Субстрат
-
Трехслойная кремниевая подложка на диэлектрической подложке (SOI) для микроэлектроники и радиочастотной техники.
-
SOI-диэлектрик на 8-дюймовых и 6-дюймовых кремниевых SOI-пластинах (Silicon-On-Insulator).
-
6-дюймовые эпитаксиальные кремниевые пластины SiC N/P-типа, принимаем заказы по индивидуальному проекту.
-
Алюминиевая керамическая пластина, 4 дюйма, чистота 99%, поликристаллическая, износостойкая, толщина 1 мм.
-
200-мм подложка из карбида кремния (SiC), имитация кремниевой пластины 4H-N 8 дюймов.
-
Кремниевые пластины (SiO2) толщиной 1 мм, полированные, высшего и контрольного качества.
-
Затравка из карбида кремния 4H-N диаметром 205 мм, произведенная в Китае, марки P и D, монокристаллическая.
-
Кремниевые пластины FZ CZ Si в наличии, 12 дюймов, для экспресс-доставки или тестирования.
-
Подложка из карбида кремния (SiC) диаметром 150 мм, 4H-N, 6 дюймов, производственного и макетного качества.
-
Сапфировая пластина диаметром 3 дюйма (76,2 мм), толщиной 0,5 мм, плоскость C, SSP.
-
8-дюймовая кремниевая пластина P/N-типа (100) 1-100 Ом, имитация восстановленной подложки
-
4-дюймовая эпитаксиальная кремниевая пластина SiC для MOS- или SBD-транзисторов