Новости
-
Технология эпитаксиальных пластин светодиодов нового поколения: будущее освещения
Светодиоды освещают наш мир, и в основе каждого высокопроизводительного светодиода лежит эпитаксиальная пластина — критически важный компонент, определяющий его яркость, цвет и эффективность. Освоив науку эпитаксиального роста, ...Читать далее -
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC
Банкротство Wolfspeed сигнализирует о важном поворотном моменте для отрасли полупроводников SiC Wolfspeed, давний лидер в технологии карбида кремния (SiC), на этой неделе подал заявление о банкротстве, что ознаменовало собой существенный сдвиг в мировом ландшафте полупроводников SiC. Падение компании подчеркивает глубочайшие...Читать далее -
Комплексный анализ формирования напряжений в плавленом кварце: причины, механизмы и последствия
1. Термическое напряжение при охлаждении (основная причина) Плавленый кварц создает напряжение в условиях неравномерной температуры. При любой заданной температуре атомная структура плавленого кварца достигает относительно «оптимальной» пространственной конфигурации. При изменении температуры атомная сп...Читать далее -
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC
Банкротство Wolfspeed сигнализирует о важном поворотном моменте для отрасли полупроводников SiC Wolfspeed, давний лидер в технологии карбида кремния (SiC), на этой неделе подал заявление о банкротстве, что ознаменовало собой существенный сдвиг в мировом ландшафте полупроводников SiC. Падение компании подчеркивает глубочайшие...Читать далее -
Полное руководство по пластинам из карбида кремния/SiC-пластинам
Абстрактная пластина SiC Пластины из карбида кремния (SiC) стали основой выбора для мощной, высокочастотной и высокотемпературной электроники в автомобильной, возобновляемой энергетике и аэрокосмической отраслях. Наше портфолио охватывает ключевые политипы...Читать далее -
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD
В производстве полупроводников, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, эпитаксиальные или тонкопленочные методы осаждения не менее важны. В этой статье представлены несколько распространенных методов осаждения тонких пленок, используемых при изготовлении чипов, включая MOCVD, магнетрон...Читать далее -
Сапфировые защитные трубки для термопар: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля В современных отраслях промышленности, работающих во все более сложных и экстремальных условиях, точный и надежный мониторинг температуры стал необходимым. Среди различных технологий измерения термопары широко применяются благодаря...Читать далее -
Карбид кремния освещает очки дополненной реальности, открывая безграничные новые визуальные впечатления
Историю человеческих технологий часто можно рассматривать как неустанное стремление к «улучшениям» — внешним инструментам, которые усиливают естественные возможности. Огонь, например, служил «дополнительной» пищеварительной системой, высвобождая больше энергии для развития мозга. Радио, родившееся в конце 19 века, стало...Читать далее -
Сапфир: «Магия», скрытая в прозрачных драгоценных камнях
Вы когда-нибудь восхищались яркой синевой сапфира? Этот ослепительный драгоценный камень, ценимый за свою красоту, таит в себе секретную «научную сверхспособность», которая может произвести революцию в технологиях. Недавние прорывы китайских ученых раскрыли скрытые термические тайны сапфирового кристалла...Читать далее -
Выращенный в лаборатории цветной сапфир — будущее ювелирных материалов? Комплексный анализ его преимуществ и тенденций
В последние годы выращенные в лаборатории цветные сапфировые кристаллы стали революционным материалом в ювелирной промышленности. Предлагая яркий спектр цветов за пределами традиционного синего сапфира, эти синтетические драгоценные камни созданы с помощью передовых...Читать далее -
Прогнозы и проблемы полупроводниковых материалов пятого поколения
Полупроводники служат краеугольным камнем информационной эпохи, и каждая итерация материала переопределяет границы человеческих технологий. От полупроводников на основе кремния первого поколения до современных сверхширокозонных материалов четвертого поколения, каждый эволюционный скачок приводил к переходу...Читать далее -
Лазерная резка станет основной технологией резки 8-дюймового карбида кремния в будущем. Коллекция вопросов и ответов
В: Каковы основные технологии, используемые при нарезке и обработке пластин SiC? О: Карбид кремния (SiC) по твердости уступает только алмазу и считается очень твердым и хрупким материалом. Процесс нарезки, включающий резку выращенных кристаллов на тонкие пластины,...Читать далее