Субстрат
-
Подложка SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N 4 дюйма толщиной 350 мкм Производственный класс Dummy класс
-
4H/6H-P 6-дюймовая пластина SiC с нулевым MPD, производственный класс, макетный класс
-
Пластина SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N толщиной 6 дюймов, 350 мкм с первичной плоской ориентацией
-
Процесс TVG на кварцево-сапфировой пластине BF33. Штамповка стеклянной пластины.
-
Пластина из монокристаллического кремния Тип подложки Si N/P Дополнительная пластина из карбида кремния
-
Композитные подложки SiC N-типа диаметром 6 дюймов Высококачественные монокристаллические и низкокачественные подложки
-
Полуизолирующие SiC на подложках из композитного материала Si
-
Полуизолирующие подложки из композитного материала SiC диаметром 2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов HPSI
-
Синтетическая сапфировая буля Монокристаллическая сапфировая заготовка Диаметр и толщина могут быть изготовлены по индивидуальному заказу
-
N-типа SiC на композитных подложках Si диаметром 6 дюймов
-
Подложка SiC диаметром 200 мм 4H-N и HPSI карбид кремния
-
3-дюймовая подложка SiC Диаметр производства 76,2 мм 4H-N