SiC подложка P-типа 4H/6H-P 3C-N 4 дюйма, толщина 350 мкм, производственный класс, макетный класс
Таблица параметров 4-дюймовой подложки SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N
4 дюймовый диаметр кремнияКарбидная (SiC) подложка Спецификация
| Оценка | Производство нулевого MPD Класс (Z) Оценка) | Стандартное производство Оценка (P) Оценка) | Оценка фиктивного образца (D Оценка) | ||
| Диаметр | 99,5 мм~100,0 мм | ||||
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Ориентация пластины | Вне оси: 2,0°-4,0° в сторону [11]20] ± 0,5° для 4H/6H-P, OОсь n: 〈111〉± 0,5° для 3C-N | ||||
| Плотность микротрубок | 0 см-2 | ||||
| Сопротивление | p-тип 4H/6H-P | ≤0,1 Омꞏсм | ≤0,3 Омꞏсм | ||
| n-тип 3C-N | ≤0,8 мОмꞏсм | ≤1 м Омꞏсм | |||
| Ориентация основной квартиры | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Основная плоская длина | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная ориентация квартиры | Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоской поверхности Prime.±5,0° | ||||
| Исключение края | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм | ≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм | |||
| Шероховатость | Польское Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности. | Никто | Суммарная длина ≤ 10 мм, длина одного образца ≤ 2 мм | |||
| Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности. | Суммарная площадь ≤0,05% | Суммарная площадь ≤0,1% | |||
| Политипные участки при высокой интенсивности света | Никто | Суммарная площадь ≤3% | |||
| Визуальные включения углерода | Суммарная площадь ≤0,05% | Суммарная площадь ≤3% | |||
| Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности. | Никто | Суммарная длина ≤ 1 × диаметр пластины | |||
| Сколы на кромках, вызванные высокой интенсивностью света. | Не допускается использование материалов шириной и глубиной ≥0,2 мм. | Допускается 5, ≤1 мм каждый | |||
| Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным излучением | Никто | ||||
| Упаковка | Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины | ||||
Примечания:
※Предельные значения дефектов распространяются на всю поверхность пластины, за исключением зоны исключения по краям. # Царапины следует проверять только на кремниевой поверхности.
Подложка из карбида кремния P-типа 4H/6H-P 3C-N толщиной 350 мкм широко применяется в производстве передовых электронных и силовых устройств. Благодаря превосходной теплопроводности, высокому напряжению пробоя и высокой устойчивости к экстремальным условиям, эта подложка идеально подходит для высокопроизводительной силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и радиочастотные устройства. Подложки производственного класса используются в крупномасштабном производстве, обеспечивая надежную и высокоточную работу устройств, что критически важно для силовой электроники и высокочастотных приложений. Подложки промежуточного класса, с другой стороны, в основном используются для калибровки процесса, тестирования оборудования и разработки прототипов, помогая поддерживать контроль качества и стабильность процесса в полупроводниковом производстве.
Технические характеристики. Преимущества композитных подложек из N-типа SiC включают в себя:
- Высокая теплопроводностьБлагодаря эффективному рассеиванию тепла, данная подложка идеально подходит для применения в условиях высоких температур и большой мощности.
- Высокое напряжение пробояПоддерживает работу при высоком напряжении, обеспечивая надежность в силовой электронике и радиочастотных устройствах.
- Устойчивость к суровым условиям окружающей среды: Прочность в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и агрессивные среды, что обеспечивает длительный срок службы.
- Точность производственного уровняОбеспечивает высокое качество и надежную работу в крупномасштабном производстве, подходит для передовых силовых и радиочастотных приложений.
- Пробный вариант для тестированияОбеспечивает точную калибровку технологических процессов, тестирование оборудования и создание прототипов без ущерба для качества полупроводниковых пластин, пригодных для серийного производства.
В целом, 4-дюймовая подложка из карбида кремния P-типа 4H/6H-P 3C-N толщиной 350 мкм обладает значительными преимуществами для высокопроизводительных электронных приложений. Высокая теплопроводность и напряжение пробоя делают её идеальной для работы в условиях высоких нагрузок и высоких температур, а устойчивость к суровым условиям обеспечивает долговечность и надежность. Подложка производственного класса гарантирует точную и стабильную работу при крупномасштабном производстве силовой электроники и радиочастотных устройств. В то же время, подложка испытательного класса необходима для калибровки процесса, тестирования оборудования и прототипирования, поддерживая контроль качества и стабильность в полупроводниковом производстве. Эти характеристики делают подложки из карбида кремния очень универсальными для передовых применений.
Подробная схема
