Кремниевая пластина P-типа SiC 4H/6H-P 3C-N толщиной 6 дюймов (350 мкм) с первичной плоской ориентацией.
Спецификация 4H/6H-P Тип SiC Композитные подложки Таблица общих параметров
6 Подложка из карбида кремния (SiC) диаметром в дюйм Спецификация
| Оценка | Производство нулевого MPDКласс (Z) Оценка) | Стандартное производствоОценка (P) Оценка) | Оценка фиктивного образца (D Оценка) | ||
| Диаметр | 145,5 мм~150,0 мм | ||||
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Ориентация пластины | -OffОсь: 2,0°-4,0° в направлении [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, На оси: 〈111〉± 0,5° для 3C-N | ||||
| Плотность микротрубок | 0 см-2 | ||||
| Сопротивление | p-тип 4H/6H-P | ≤0,1 Омꞏсм | ≤0,3 Омꞏсм | ||
| n-тип 3C-N | ≤0,8 мОмꞏсм | ≤1 м Омꞏсм | |||
| Ориентация основной квартиры | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Основная плоская длина | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная ориентация квартиры | Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0° | ||||
| Исключение края | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp | <2,5 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм | <10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм | |||
| Шероховатость | Польское Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности. | Никто | Суммарная длина ≤ 10 мм, длина одного образца ≤ 2 мм | |||
| Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности. | Суммарная площадь ≤0,05% | Суммарная площадь ≤0,1% | |||
| Политипные участки при высокой интенсивности света | Никто | Суммарная площадь ≤3% | |||
| Визуальные включения углерода | Суммарная площадь ≤0,05% | Суммарная площадь ≤3% | |||
| Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности. | Никто | Суммарная длина ≤ 1 × диаметр пластины | |||
| Сколы на кромках, вызванные высокой интенсивностью света. | Не допускается использование материалов шириной и глубиной ≥0,2 мм. | Допускается 5, ≤1 мм каждый | |||
| Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным излучением | Никто | ||||
| Упаковка | Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины | ||||
Примечания:
※ Допустимые дефекты распространяются на всю поверхность пластины, за исключением зоны исключения по краям. # Царапины следует проверять на кремниевой поверхности.
Кремниевая пластина P-типа SiC, 4H/6H-P 3C-N, размером 6 дюймов и толщиной 350 мкм, играет решающую роль в промышленном производстве высокопроизводительной силовой электроники. Ее превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают ее идеальной для производства таких компонентов, как силовые переключатели, диоды и транзисторы, используемые в высокотемпературных средах, например, в электромобилях, электросетях и системах возобновляемой энергии. Способность пластины эффективно работать в суровых условиях обеспечивает надежную работу в промышленных приложениях, требующих высокой плотности мощности и энергоэффективности. Кроме того, ее плоская первичная ориентация способствует точному выравниванию во время изготовления устройств, повышая эффективность производства и стабильность качества продукции.
К преимуществам композитных подложек из карбида кремния N-типа относятся:
- Высокая теплопроводностьКремниевые пластины p-типа эффективно рассеивают тепло, что делает их идеальными для применения при высоких температурах.
- Высокое напряжение пробояСпособен выдерживать высокие напряжения, обеспечивая надежность в силовой электронике и высоковольтных устройствах.
- Устойчивость к суровым условиям окружающей средыОтличная износостойкость в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и агрессивные среды.
- Эффективное преобразование энергииЛегирование P-типа способствует эффективному управлению мощностью, что делает пластину пригодной для систем преобразования энергии.
- Ориентация основной квартирыОбеспечивает точное выравнивание в процессе производства, повышая точность и стабильность работы устройства.
- Тонкая структура (350 мкм)Оптимальная толщина пластины обеспечивает возможность интеграции в современные электронные устройства с ограниченным пространством.
В целом, кремниевая пластина P-типа 4H/6H-P 3C-N обладает рядом преимуществ, которые делают её идеально подходящей для промышленного и электронного применения. Высокая теплопроводность и напряжение пробоя обеспечивают надёжную работу в условиях высоких температур и высокого напряжения, а устойчивость к суровым условиям гарантирует долговечность. Легирование P-типа обеспечивает эффективное преобразование энергии, что делает её идеальной для силовой электроники и энергетических систем. Кроме того, плоская ориентация пластины обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, повышая стабильность выпускаемой продукции. При толщине 350 мкм она хорошо подходит для интеграции в современные компактные устройства.
Подробная схема
