Пластина SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N толщиной 6 дюймов, 350 мкм, с первичной плоской ориентацией

Пластина SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N, толщина 6 дюймов, 350 мкм, с первичной плоской ориентацией. Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, представляет собой 6-дюймовый полупроводниковый материал толщиной 350 мкм и первичной плоской ориентацией, предназначенный для передовых электронных приложений. Эта пластина, известная своей высокой теплопроводностью, высоким напряжением пробоя и устойчивостью к экстремальным температурам и агрессивным средам, подходит для высокопроизводительных электронных устройств. Легирование P-типа приводит к появлению дырок в качестве основных носителей заряда, что делает его идеальным для силовой электроники и радиочастотных приложений. Его прочная конструкция обеспечивает стабильную работу в условиях высокого напряжения и высокой частоты, что делает его хорошо подходящим для силовых устройств, высокотемпературной электроники и высокоэффективного преобразования энергии. Первичная плоская ориентация обеспечивает точное выравнивание в производственном процессе, обеспечивая единообразие при изготовлении устройств.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Спецификация Композитные подложки SiC типа 4H/6H-P Таблица общих параметров

6 Диаметр в дюймах Подложка из карбида кремния (SiC) Спецификация

Оценка			Производство с нулевым MPDОценка (З Оценка)	Стандартное производствоОценка (П Оценка)	Фиктивная оценка (D Оценка)
Диаметр			145,5 мм~150,0 мм
Толщина			350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины			-Offось: 2,0°-4,0° в сторону [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, по оси:〈111〉± 0,5° для 3C-N
Плотность микротрубок			0 см-2
Удельное сопротивление	р-тип 4H/6H-P		≤0,1 Омꞏсм		≤0,3 Омꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0,8 мОмꞏсм		≤1 м Омꞏсм
Первичная плоская ориентация		4H/6H-П	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Основная плоская длина			32,5 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская ориентация			Кремниевая лицевая сторона вверх: 90° по часовой стрелке. от Прайм-флэт ± 5,0°
Исключение краев			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Лук/Деформация			<2,5 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм		<10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм
Шероховатость			Польский Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Краевые трещины от света высокой интенсивности			Никто		Совокупная длина ≤ 10 мм, отдельная длина≤2 мм
Шестигранные пластины от света высокой интенсивности			Совокупная площадь ≤0,05%		Совокупная площадь ≤0,1%
Политипные области под воздействием света высокой интенсивности			Никто		Совокупная площадь≤3%
Визуальные включения углерода			Совокупная площадь ≤0,05%		Совокупная площадь ≤3%
Поверхность кремния царапается светом высокой интенсивности			Никто		Совокупная длина≤1×диаметр пластины
Краевые чипы с высокой интенсивностью света			Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм.		Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью			Никто
Упаковка			Кассета с несколькими пластинами или одиночный контейнер для пластин

Примечания:

※ Пределы дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять на лицевой стороне Si o

Пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, размером 6 дюймов и толщиной 350 мкм, играет решающую роль в промышленном производстве высокопроизводительной силовой электроники. Его превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают его идеальным для производства таких компонентов, как силовые переключатели, диоды и транзисторы, используемые в высокотемпературных средах, таких как электромобили, электрические сети и системы возобновляемых источников энергии. Способность пластины эффективно работать в суровых условиях обеспечивает надежную работу в промышленных приложениях, требующих высокой плотности мощности и энергоэффективности. Кроме того, его основная плоская ориентация способствует точному выравниванию во время изготовления устройства, повышая эффективность производства и стабильность продукта.

К преимуществам композитных подложек SiC N-типа относятся:

Высокая теплопроводность: Пластины SiC P-типа эффективно рассеивают тепло, что делает их идеальными для высокотемпературных применений.
Высокое напряжение пробоя: Способен выдерживать высокое напряжение, обеспечивая надежность силовой электроники и высоковольтных устройств.
Устойчивость к суровым условиям: Превосходная долговечность в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и агрессивные среды.
Эффективное преобразование мощности: Легирование P-типа способствует эффективному управлению мощностью, что делает пластину пригодной для систем преобразования энергии.
Первичная плоская ориентация: Обеспечивает точное выравнивание во время производства, повышая точность и стабильность работы устройства.
Тонкая структура (350 мкм): Оптимальная толщина пластины способствует интеграции в современные электронные устройства с ограниченным пространством.

В целом, пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, предлагает ряд преимуществ, которые делают ее очень подходящей для промышленного и электронного применения. Его высокая теплопроводность и напряжение пробоя обеспечивают надежную работу в условиях высоких температур и высокого напряжения, а устойчивость к суровым условиям обеспечивает долговечность. Легирование P-типа обеспечивает эффективное преобразование энергии, что делает его идеальным для силовой электроники и энергетических систем. Кроме того, основная плоская ориентация пластины обеспечивает точное выравнивание во время производственного процесса, повышая стабильность производства. Благодаря толщине 350 мкм он хорошо подходит для интеграции в современные компактные устройства.