Пластина SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N толщиной 6 дюймов, 350 мкм с первичной плоской ориентацией

Краткое описание:

Пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, представляет собой 6-дюймовый полупроводниковый материал толщиной 350 мкм и первичной плоской ориентацией, разработанный для современных электронных приложений. Известная своей высокой теплопроводностью, высоким пробивным напряжением и устойчивостью к экстремальным температурам и коррозионным средам, эта пластина подходит для высокопроизводительных электронных устройств. Легирование P-типа вводит дырки в качестве основных носителей заряда, что делает ее идеальной для силовой электроники и радиочастотных приложений. Ее прочная структура обеспечивает стабильную работу в условиях высокого напряжения и высокой частоты, что делает ее хорошо подходящей для силовых устройств, высокотемпературной электроники и высокоэффективного преобразования энергии. Первичная плоская ориентация обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, обеспечивая согласованность в изготовлении устройств.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Спецификация4H/6H-P Тип SiC Композитные подложки Таблица общих параметров

6 Подложка из карбида кремния (SiC) диаметром дюйм Спецификация

Оценка			Нулевое производство MPDОценка (З) Оценка)	Стандартное производствоОценка (P) Оценка)	Оценка манекена (D Оценка)
Диаметр			145,5 мм~150,0 мм
Толщина			350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины			-Offось: 2,0°-4,0° в направлении [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, по оси:〈111〉± 0,5° для 3C-N
Плотность микротрубок			0 см-2
Удельное сопротивление	p-тип 4H/6H-P		≤0,1 Омꞏсм		≤0,3 Омꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0,8 мОмꞏсм		≤1 м Омꞏсм
Первичная плоская ориентация		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Длина первичной плоскости			32,5 мм ± 2,0 мм
Длина вторичной плоскости			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская ориентация			Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоскости Prime ± 5,0°
Исключение кромки			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Бук/Варп			<2,5 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм		<10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм
Шероховатость			Полировка Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Трещины на краях из-за света высокой интенсивности			Никто		Общая длина ≤ 10 мм, единичная длина ≤ 2 мм
Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света			Кумулятивная площадь ≤0,05%		Кумулятивная площадь ≤0,1%
Политипные области с высокой интенсивностью света			Никто		Кумулятивная площадь≤3%
Визуальные углеродные включения			Кумулятивная площадь ≤0,05%		Общая площадь ≤3%
Царапины на поверхности кремния под воздействием света высокой интенсивности			Никто		Суммарная длина ≤1×диаметр пластины
Краевые чипы высокой интенсивности света			Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм		Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью			Никто
Упаковка			Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер

Примечания:

※ Пределы дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять на поверхности Si

Пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, размером 6 дюймов и толщиной 350 мкм играет решающую роль в промышленном производстве высокопроизводительной силовой электроники. Ее превосходная теплопроводность и высокое пробивное напряжение делают ее идеальной для производства таких компонентов, как силовые переключатели, диоды и транзисторы, используемые в высокотемпературных средах, таких как электромобили, электросети и системы возобновляемой энергии. Способность пластины эффективно работать в суровых условиях обеспечивает надежную работу в промышленных приложениях, требующих высокой плотности мощности и энергоэффективности. Кроме того, ее первичная плоская ориентация способствует точному выравниванию во время изготовления устройств, повышая эффективность производства и однородность продукции.

Преимущества композитных подложек SiC N-типа включают в себя:

Высокая теплопроводность: Пластины SiC P-типа эффективно рассеивают тепло, что делает их идеальными для высокотемпературных применений.
Высокое пробивное напряжение: Способны выдерживать высокие напряжения, обеспечивая надежность в силовой электронике и высоковольтных устройствах.
Устойчивость к суровым условиям окружающей среды: Отличная долговечность в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и агрессивные среды.
Эффективное преобразование энергии: Легирование P-типа способствует эффективному управлению мощностью, что делает пластину пригодной для систем преобразования энергии.
Первичная плоская ориентация: Обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, повышая точность и единообразие устройства.
Тонкая структура (350 мкм): Оптимальная толщина пластины обеспечивает интеграцию в современные электронные устройства с ограниченным пространством.

В целом, пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, предлагает ряд преимуществ, которые делают ее очень подходящей для промышленных и электронных приложений. Ее высокая теплопроводность и напряжение пробоя обеспечивают надежную работу в условиях высоких температур и высокого напряжения, а ее устойчивость к суровым условиям гарантирует долговечность. Легирование P-типа обеспечивает эффективное преобразование энергии, что делает ее идеальной для силовой электроники и энергетических систем. Кроме того, первичная плоская ориентация пластины обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, повышая однородность производства. При толщине 350 мкм она хорошо подходит для интеграции в современные компактные устройства.