Пластина SiC P-типа 4H/6H-P 3C-N толщиной 6 дюймов, 350 мкм с первичной плоской ориентацией
Спецификация: Композитные подложки SiC типа 4H/6H-P. Таблица общих параметров.
6 Подложка из карбида кремния (SiC) диаметром дюйма Спецификация
| Оценка | Нулевое производство MPDОценка (Z) Оценка) | Стандартное производствоОценка (P) Оценка) | Оценка манекена (D Оценка) | ||
| Диаметр | 145,5 мм~150,0 мм | ||||
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Ориентация пластины | -Offось: 2,0°-4,0° в направлении [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, по оси:〈111〉± 0,5° для 3C-N | ||||
| Плотность микротрубок | 0 см-2 | ||||
| Удельное сопротивление | p-типа 4H/6H-P | ≤0,1 Ом·см | ≤0,3 Ом·см | ||
| n-типа 3C-N | ≤0,8 мОмꞏсм | ≤1 м Ом ꞏсм | |||
| Первичная плоская ориентация | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Длина первичной плоскости | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Длина вторичной плоскости | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная плоская ориентация | Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоскости Prime ± 5,0° | ||||
| Исключение границ | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Бук/Варп | <2,5 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм | <10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм | |||
| Шероховатость | Полировка Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Трещины на краях под воздействием света высокой интенсивности | Никто | Общая длина ≤ 10 мм, единичная длина ≤ 2 мм | |||
| Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света | Кумулятивная площадь ≤0,05% | Кумулятивная площадь ≤0,1% | |||
| Политипные области с высокой интенсивностью света | Никто | Кумулятивная площадь≤3% | |||
| Визуальные углеродные включения | Кумулятивная площадь ≤0,05% | Кумулятивная площадь ≤3% | |||
| Царапины на поверхности кремния под воздействием высокоинтенсивного света | Никто | Суммарная длина ≤1×диаметр пластины | |||
| Edge Chips High By Intensity Light | Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм | допускается 5, ≤1 мм каждый | |||
| Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью | Никто | ||||
| Упаковка | Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер | ||||
Примечания:
※ Пределы дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять на поверхности Si.
Пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, размером 6 дюймов и толщиной 350 мкм, играет ключевую роль в промышленном производстве высокопроизводительной силовой электроники. Её превосходная теплопроводность и высокое пробивное напряжение делают её идеальным решением для производства таких компонентов, как силовые ключи, диоды и транзисторы, используемые в условиях высоких температур, например, в электромобилях, энергосетях и системах возобновляемой энергетики. Способность пластины эффективно работать в жёстких условиях обеспечивает надёжную работу в промышленных приложениях, требующих высокой плотности мощности и энергоэффективности. Кроме того, её плоская ориентация способствует точному выравниванию при изготовлении устройств, повышая эффективность производства и стабильность характеристик продукции.
Преимущества композитных подложек SiC N-типа включают в себя:
- Высокая теплопроводность: Пластины SiC P-типа эффективно рассеивают тепло, что делает их идеальными для высокотемпературных применений.
- Высокое напряжение пробоя: Способен выдерживать высокие напряжения, обеспечивая надежность силовой электроники и высоковольтных устройств.
- Устойчивость к суровым условиям окружающей среды: Отличная долговечность в экстремальных условиях, таких как высокие температуры и агрессивные среды.
- Эффективное преобразование энергии: Легирование P-типа обеспечивает эффективную обработку мощности, что делает пластину пригодной для систем преобразования энергии.
- Первичная плоская ориентация: Обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, повышая точность и единообразие устройства.
- Тонкая структура (350 мкм): Оптимальная толщина пластины обеспечивает интеграцию в современные электронные устройства с ограниченным пространством.
В целом, пластина SiC P-типа, 4H/6H-P 3C-N, обладает рядом преимуществ, которые делают её исключительно подходящей для промышленного и электронного применения. Высокая теплопроводность и высокое пробивное напряжение обеспечивают надёжную работу в условиях высоких температур и напряжений, а устойчивость к суровым условиям эксплуатации гарантирует долговечность. Легирование P-типа обеспечивает эффективное преобразование энергии, что делает её идеальным решением для силовой электроники и энергетических систем. Кроме того, первичная плоская ориентация пластины обеспечивает точное совмещение в процессе производства, повышая стабильность производства. Толщина пластины 350 мкм идеально подходит для интеграции в современные компактные устройства.
Подробная схема
