Субстрат
-
Пластины антимонида индия (InSb) типа N, типа P, готовые к эпитаксии, нелегированные, легированные Te или легированные Ge, толщиной 2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма
-
Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
-
Слиток сапфира 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, монокристалл CZ, метод KY, настраиваемый
-
Мощная эпитаксиальная пластина GaAs с подложкой из арсенида галлия, лазерная пластина с длиной волны 905 нм для лазерной медицинской терапии
-
Эпитаксиальная пластина лазера GaAs размером 4 дюйма и 6 дюймов с вертикальным резонатором VCSEL, длина волны поверхностного излучения лазера 940 нм, один переход
-
2-дюймовый, 3-дюймовый, 4-дюймовый эпитаксиальный InP-пластинчатый детектор света APD для волоконно-оптической связи или лидара
-
Кольцо с сапфиром из синтетического сапфирового материала. Прозрачное и персонализированное. Твердость по шкале Мооса 9.
-
2-дюймовая подложка из карбида кремния Sic 6H-N типа 0,33 мм 0,43 мм, двухсторонняя полировка, высокая теплопроводность, низкое энергопотребление
-
Кольцо с сапфиром. Кольцо полностью изготовлено из сапфира. Прозрачный сапфировый материал, изготовленный в лаборатории.
-
Слиток сапфира диаметром 4 дюйма × 80 мм, монокристаллический Al2O3 99,999%
-
Сапфировая призма. Сапфировая линза. Высокая прозрачность. Материал Al2O3 BK7 JGS1 JGS2. Оптический прибор.
-
Подложка SiC толщиной 3 дюйма и 350 мкм, тип HPSI, класс Prime, класс Dummy