2-дюймовый, 3-дюймовый, 4-дюймовый эпитаксиальный InP-детектор света на подложке для волоконно-оптической связи или LiDAR.

2-дюймовая, 3-дюймовая, 4-дюймовая подложка из эпитаксиальной пластины InP, детектор света APD для волоконно-оптической связи или LiDAR. Изображение на обложке.

Краткое описание:

Эпитаксиальная подложка из InP является основным материалом для изготовления лавинных фотодиодов (APD), обычно это полупроводниковый материал, осажденный на подложку методом эпитаксиального роста. К распространенным материалам относятся кремний (Si), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN) и др., обладающие превосходными фотоэлектрическими свойствами. APD-фотодетектор — это особый тип фотодетектора, использующий лавинный фотоэлектрический эффект для усиления сигнала обнаружения. При падении фотонов на APD генерируются электронно-дырочные пары. Ускорение этих носителей под действием электрического поля может привести к образованию большего количества носителей, «лавинному эффекту», который значительно усиливает выходной ток.
Эпитаксиальные пластины, выращенные методом MOCvD, являются основным направлением применения лавинных фотодетекторов. Поглощающий слой был получен из материала U-InGaAs с фоновым легированием <5E14. В качестве функционального слоя можно использовать InP или InAlAs. Эпитаксиальная подложка из InP является основным материалом для изготовления лавинных фотодиодов, определяющим характеристики оптического детектора. Лавинный фотодетектор — это высокочувствительный фотодетектор, широко используемый в области связи, сенсорики и визуализации.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Ключевые особенности лазерной эпитаксиальной пленки InP включают в себя:

1. Характеристики ширины запрещенной зоны: InP имеет узкую запрещенную зону, что подходит для обнаружения длинноволнового инфракрасного излучения, особенно в диапазоне длин волн от 1,3 мкм до 1,5 мкм.
2. Оптические характеристики: Эпитаксиальная пленка InP обладает хорошими оптическими характеристиками, такими как световая мощность и внешняя квантовая эффективность на разных длинах волн. Например, при 480 нм световая мощность и внешняя квантовая эффективность составляют 11,2% и 98,8% соответственно.
3. Динамика носителей заряда: Наночастицы InP демонстрируют двухэкспоненциальное затухание в процессе эпитаксиального роста. Быстрое время затухания объясняется инжекцией носителей заряда в слой InGaAs, тогда как медленное время затухания связано с рекомбинацией носителей заряда в наночастицах InP.
4. Высокотемпературные характеристики: материал AlGaInAs/InP с квантовыми ямами обладает превосходными характеристиками при высоких температурах, что позволяет эффективно предотвращать утечку тока и улучшать высокотемпературные характеристики лазера.
5. Технологический процесс: Эпитаксиальные слои InP обычно выращивают на подложке с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) или металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (МХОС) для получения высококачественных пленок.
Эти характеристики обуславливают важное значение лазерной эпитаксиальной обработки пластин InP для волоконно-оптической связи, квантового распределения ключей и дистанционного оптического детектирования.

Основные области применения эпитаксиальных таблеток на основе InP-лазера включают в себя:

1. Фотоника: InP-лазеры и детекторы широко используются в оптической связи, центрах обработки данных, инфракрасной визуализации, биометрии, 3D-сканировании и лидаре.

2. Телекоммуникации: Материалы на основе InP находят важное применение в крупномасштабной интеграции длинноволновых лазеров на основе кремния, особенно в волоконно-оптической связи.

3. Инфракрасные лазеры: Применение лазеров на основе квантовых ям InP в среднеинфракрасном диапазоне (например, 4-38 микрон), включая газоанализ, обнаружение взрывчатых веществ и инфракрасную визуализацию.

4. Кремниевая фотоника: Благодаря технологии гетерогенной интеграции, InP-лазер переносится на кремниевую подложку для формирования многофункциональной кремниевой оптоэлектронной интеграционной платформы.

5. Высокопроизводительные лазеры: Материалы InP используются для производства высокопроизводительных лазеров, таких как транзисторные лазеры InGaAsP-InP с длиной волны 1,5 микрона.

Компания XKH предлагает изготовление на заказ эпитаксиальных пластин InP с различной структурой и толщиной, охватывающих широкий спектр применений, таких как оптическая связь, датчики, базовые станции 4G/5G и т. д. Продукция XKH производится с использованием передового оборудования MOCVD, что обеспечивает высокую производительность и надежность. В плане логистики XKH имеет широкую сеть международных каналов поставок, может гибко обрабатывать заказы и предоставлять дополнительные услуги, такие как утонение, сегментация и т. д. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и соответствие требованиям заказчика к качеству и срокам поставки. После получения заказа клиенты получают всестороннюю техническую поддержку и послепродажное обслуживание, что обеспечивает бесперебойную эксплуатацию продукции.