Субстрат
-
12-дюймовая подложка из карбида кремния высшего сорта, диаметр 300 мм, большой размер 4H-N. Подходит для отвода тепла от мощных устройств.
-
Сапфировая пластина диаметром 300 мм и толщиной 1,0 мм, плоскость C, SSP/DSP
-
Кремниевые пластины HPSI SiC диаметром 3 дюйма и толщиной 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники.
-
8-дюймовая 200-мм сапфировая подложка, тонкая сапфировая пластина, 1SP, 2SP, 0,5 мм, 0,75 мм
-
8-дюймовая кремниевая карбидная пластина SiC типа 4H-N, 0,5 мм, производственного и исследовательского класса, с индивидуальной полировкой.
-
Монокристаллический оксид алюминия Al2O3 99,999%, сапфировые пластины диаметром 200 мм, толщиной 1,0 мм и 0,75 мм.
-
156 мм 159 мм 6-дюймовая сапфировая пластина для C-Plane DSP TTV
-
Сапфировые пластины диаметром 4 дюйма с осью C/A/M, монокристаллический Al2O3, SSP DSP, высокотвердая сапфировая подложка.
-
3-дюймовая полупроводниковая кремниевая пластина высокой чистоты (HPSI) SiC, 350 мкм, сорт "Dummy grade" (первоклассный).
-
Новый продукт: кремнийкарбидная подложка P-типа, кремнийкарбидная пластина диаметром 2 дюйма.
-
8-дюймовые 200-мм кремниево-карбидные пластины (SiC) типа 4H-N, производственного класса, толщина 500 мкм.
-
2-дюймовая подложка из карбида кремния 6H-N, двойная полировка, проводящая, высшего качества, класса MOSFET.