Подложка «кремний-на-изоляторе» с тремя слоями SOI для микроэлектроники и радиочастот

Краткое описание:

Полное название SOI — «Кремний на изоляторе», что означает структуру кремниевого транзистора поверх изолятора, принцип действия которого заключается в том, что между кремниевым транзистором и добавлением изолирующего материала можно уменьшить паразитную емкость между ними более чем вдвое по сравнению с исходной.


Функции

Введение вафельной коробки

Представляем нашу усовершенствованную пластину «кремний на изоляторе» (SOI), тщательно спроектированную с тремя отдельными слоями, которая произвела революцию в микроэлектронике и радиочастотных (РЧ) приложениях. Эта инновационная подложка сочетает в себе верхний кремниевый слой, изолирующий оксидный слой и нижнюю кремниевую подложку, обеспечивая непревзойденную производительность и универсальность.

Разработанная с учётом требований современной микроэлектроники, наша КНИ-пластина обеспечивает надёжную основу для производства сложных интегральных схем (ИС) с превосходной скоростью, энергоэффективностью и надёжностью. Верхний кремниевый слой обеспечивает бесшовную интеграцию сложных электронных компонентов, а изолирующий оксидный слой минимизирует паразитную ёмкость, повышая общую производительность устройства.

В области радиочастотных применений наша пластина SOI отличается низкой паразитной ёмкостью, высоким пробивным напряжением и превосходными изоляционными свойствами. Эта подложка идеально подходит для радиочастотных переключателей, усилителей, фильтров и других радиочастотных компонентов, обеспечивая оптимальную производительность в системах беспроводной связи, радиолокационных системах и других системах.

Более того, высокая радиационная стойкость нашей пластины SOI делает её идеальным решением для применения в аэрокосмической и оборонной промышленности, где надёжность в суровых условиях эксплуатации критически важна. Прочная конструкция и исключительные эксплуатационные характеристики гарантируют стабильную работу даже в экстремальных условиях.

Основные характеристики:

Трехслойная архитектура: верхний кремниевый слой, изолирующий оксидный слой и нижняя кремниевая подложка.

Превосходные характеристики микроэлектроники: позволяет производить современные ИС с повышенной скоростью и энергоэффективностью.

Отличные радиочастотные характеристики: низкая паразитная емкость, высокое напряжение пробоя и превосходные изоляционные свойства для радиочастотных устройств.

Надежность аэрокосмического уровня: устойчивость к радиации обеспечивает надежность в суровых условиях.

Универсальное применение: подходит для широкого спектра отраслей, включая телекоммуникации, аэрокосмическую, оборонную и другие.

Откройте для себя новое поколение микроэлектроники и радиочастотных технологий с нашей усовершенствованной пластиной «кремний на изоляторе» (SOI). Откройте новые возможности для инноваций и ускорьте прогресс в своих приложениях с помощью нашего передового решения для подложек.

Подробная схема

асд
асд

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам