SiC
-
2-дюймовые пластины карбида кремния 6H или 4H N-типа или полуизолирующие подложки SiC
-
4H-N 4-дюймовая подложка из карбида кремния, производственный макет, исследовательский класс
-
6-дюймовые 150-миллиметровые пластины из карбида кремния SiC типа 4H-N для исследований и испытаний на производстве МОП-транзисторов или SBD-транзисторов.
-
8-дюймовая 200-мм 4H-N SiC-пластина, проводящий макет исследовательского класса
-
2-дюймовые пластины карбида кремния 6H или 4H N-типа или полуизолирующие подложки SiC