SiC
-
2-дюймовые кремниевые пластины SiC с полуизолирующими подложками SiC 6H или 4H, диаметр 50,8 мм.
-
2-дюймовые кремниевые карбидные пластины, подложки из N-типа или полуизолирующего карбида кремния 6H или 4H.
-
4H-N 4-дюймовая кремниевая подложка SiC, макетная пластина из карбида кремния исследовательского класса
-
6-дюймовые (150 мм) кремниево-карбидные пластины (SiC) типа 4H-N для производства MOS- или SBD-транзисторов, исследовательских и опытно-конструкторских образцов.
-
8-дюймовая (200 мм) SiC пластина 4H-N, проводящий макет исследовательского класса.
-
2-дюймовые кремниевые карбидные пластины, подложки из N-типа или полуизолирующего карбида кремния 6H или 4H.