2-дюймовые пластины карбида кремния 6H или 4H N-типа или полуизолирующие подложки SiC

4H SiC пластина N-типа
Диаметр: 2 дюйма 50,8 мм |4 дюйма 100 мм |6 дюймов 150 мм
Ориентация: от оси на 4,0° в сторону <1120> ± 0,5°.
Удельное сопротивление: < 0,1 Ом·см
Шероховатость: Si-сторона CMP Ra <0,5 нм, оптическая полировка C-стороны Ra <1 нм

4H SiC пластина Полуизолирующая
Диаметр: 2 дюйма 50,8 мм |4 дюйма 100 мм |6 дюймов 150 мм
Ориентация: по оси {0001} ± 0,25˚.
Сопротивление:> 1E5 Ом.см
Шероховатость: Si-сторона CMP Ra <0,5 нм, оптическая полировка C-стороны Ra <1 нм

1. Инфраструктура 5G — источник питания связи.
Источник питания связи является энергетической основой для связи сервера и базовой станции.Он обеспечивает электроэнергией различное передающее оборудование для обеспечения нормальной работы системы связи.

2. Зарядная установка для транспортных средств на новой энергии - силовой модуль зарядной установки.
Высокая эффективность и высокая мощность модуля питания зарядного блока может быть реализована за счет использования карбида кремния в модуле питания зарядного блока, что позволяет повысить скорость зарядки и снизить стоимость зарядки.

3. Большой дата-центр, промышленный Интернет – электропитание серверов.
Блок питания сервера — это библиотека энергопотребления сервера.Сервер обеспечивает питание для обеспечения нормальной работы серверной системы.Использование силовых компонентов из карбида кремния в блоке питания сервера может улучшить плотность мощности и эффективность блока питания сервера, уменьшить объем центра обработки данных в целом, снизить общую стоимость строительства центра обработки данных и добиться более высоких экологических показателей. эффективность.

4. СВВ – Применение автоматических выключателей постоянного тока с гибкой передачей.

5. Междугородное высокоскоростное железнодорожное сообщение и междугородное железнодорожное сообщение - тяговые преобразователи, силовые электронные трансформаторы, вспомогательные преобразователи, источники вспомогательного питания.