Карбид кремния
-
4H-semi HPSI 2-дюймовая пластина с подложкой SiC Производственный манекен Исследовательский класс
-
2-дюймовые пластины SiC 6H или 4H. Полуизолирующие подложки SiC диаметром 50,8 мм.
-
4Х-Н 8-дюймовая вафельная подложка SiC, манекен из карбида кремния, толщина исследования 500 мкм
-
тип вафель 4Х-Н карбида кремния 8инч 200мм толщина 500ум ранга продукции
-
2-дюймовые пластины карбида кремния 6H или 4H N-типа или полуизолирующие подложки SiC
-
4H-N 4-дюймовая подложка SiC, манекен для производства карбида кремния, исследовательский класс
-
6-дюймовые 150-миллиметровые вафли SiC из карбида кремния типа 4H-N для производственных исследований MOS или SBD и фиктивного класса
-
8-дюймовая 200-миллиметровая пластина 4H-N SiC, проводящая манекен, исследовательский класс
-
2-дюймовые пластины карбида кремния 6H или 4H N-типа или полуизолирующие подложки SiC