Пластина карбида кремния SiC Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI (полуизоляционный материал высокой чистоты) 4H/6H-P 3C -n тип 2 3 4 6 8 дюймов в наличии

Пластина карбида кремния SiC Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI (полуизоляционный материал высокой чистоты) 4H/6H-P 3C -n тип 2 3 4 6 Доступны 8 дюймов Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Мы предлагаем широкий выбор высококачественных пластин SiC (карбида кремния), уделяя особое внимание пластинам N-типа 4H-N и 6H-N, которые идеально подходят для применения в современной оптоэлектронике, силовых устройствах и высокотемпературных средах. . Эти пластины N-типа известны своей исключительной теплопроводностью, выдающейся электрической стабильностью и замечательной долговечностью, что делает их идеальными для высокопроизводительных приложений, таких как силовая электроника, системы привода электромобилей, инверторы возобновляемой энергии и промышленные источники питания. В дополнение к нашим предложениям N-типа мы также предлагаем пластины SiC 4H/6H-P и 3C P-типа для специализированных нужд, включая высокочастотные и радиочастотные устройства, а также фотонные приложения. Наши пластины доступны в размерах от 2 до 8 дюймов, и мы предлагаем индивидуальные решения, отвечающие конкретным требованиям различных отраслей промышленности. Для получения дополнительной информации или вопросов, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Характеристики

4H-N и 6H-N (SiC пластины N-типа)

Приложение:В основном используется в силовой электронике, оптоэлектронике и высокотемпературных приложениях.

Диапазон диаметров:От 50,8 мм до 200 мм.

Толщина:350 мкм ± 25 мкм, возможна дополнительная толщина 500 мкм ± 25 мкм.

Сопротивление:4H/6H-P типа N: ≤ 0,1 Ом·см (класс Z), ≤ 0,3 Ом·см (класс P); 3C-N типа N: ≤ 0,8 мОм·см (класс Z), ≤ 1 мОм·см (класс P).

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм (CMP или MP).

Плотность микротрубок (MPD):< 1 шт./см².

ТТВ: ≤ 10 мкм для всех диаметров.

Деформация: ≤ 30 мкм (≤ 45 мкм для 8-дюймовых пластин).

Исключение краев:От 3 мм до 6 мм в зависимости от типа пластины.

Упаковка:Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластиной.

Другие доступные размеры: 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов.

HPSI (полуизолирующие пластины SiC высокой чистоты)

Приложение:Используется для устройств, требующих высокого сопротивления и стабильной работы, таких как радиочастотные устройства, фотонные приложения и датчики.

Диапазон диаметров:От 50,8 мм до 200 мм.

Толщина:Стандартная толщина 350 мкм ± 25 мкм с возможностью установки более толстых пластин до 500 мкм.

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм.

Плотность микротрубок (MPD): ≤ 1 шт./см².

Сопротивление:Высокое сопротивление, обычно используется в полуизоляционных целях.

Деформация: ≤ 30 мкм (для меньших размеров), ≤ 45 мкм для больших диаметров.

ТТВ: ≤ 10 мкм.

Другие доступные размеры: 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов.

4H-P、6H-P&3C SiC пластина(SiC пластины P-типа)

Приложение:В первую очередь для силовых и высокочастотных устройств.

Диапазон диаметров:От 50,8 мм до 200 мм.

Толщина:350 мкм ± 25 мкм или опции по индивидуальному заказу.

Сопротивление:Тип P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ом·см (класс Z), ≤ 0,3 Ом·см (класс P).

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм (CMP или MP).

Плотность микротрубок (MPD):< 1 шт./см².

ТТВ: ≤ 10 мкм.

Исключение краев:от 3 мм до 6 мм.

Деформация: ≤ 30 мкм для меньших размеров, ≤ 45 мкм для больших размеров.

Другие доступные размеры: 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов.5×5 10×10

Таблица параметров частичных данных

Свойство	2 дюйма		3 дюйма		4 дюйма	6 дюймов	8 дюймов
Тип	4H-N/HPSI/ 6Х-Н/4Х/6Х-П/3К;		4H-N/HPSI/ 6Х-Н/4Х/6Х-П/3К;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Диаметр	50,8 ± 0,3 мм		76,2±0,3 мм		100±0,3 мм	150±0,3 мм	200 ± 0,3 мм
Толщина	330 ± 25 мкм		350 ± 25 мкм		350 ± 25 мкм	350 ± 25 мкм	350 ± 25 мкм
	350±25 мкм;		500±25ум		500±25ум	500±25ум	500±25ум
	или по индивидуальному заказу		или по индивидуальному заказу		или по индивидуальному заказу	или по индивидуальному заказу	или по индивидуальному заказу
Шероховатость	Ра ≤ 0,2 нм		Ра ≤ 0,2 нм		Ра ≤ 0,2 нм	Ра ≤ 0,2 нм	Ра ≤ 0,2 нм
Деформация	≤ 30 мкм		≤ 30 мкм		≤ 30 мкм	≤ 30 мкм	≤45 мкм
ТТВ	≤ 10 мкм		≤ 10 мкм		≤ 10 мкм	≤ 10 мкм	≤ 10 мкм
Царапать/копать	КМП/МП
MPD	<1 шт./см-2	<1 шт./см-2		<1 шт./см-2		<1 шт./см-2		<1 шт./см-2
Форма	Круглый, плоский 16 мм; длиной 22 мм; Длина 30/32,5 мм; Длина 47,5 мм; НОТЧ; НОТЧ;
Фаска	45°, полуспек.; Форма С
Оценка	Производственный класс для MOS&SBD; Уровень исследования; Фиктивный сорт, сорт семенной вафли
Примечания	Диаметр, толщина, ориентация, указанные выше характеристики могут быть настроены по вашему запросу.

Приложения

·Силовая электроника

Пластины SiC типа N имеют решающее значение в силовых электронных устройствах из-за их способности выдерживать высокое напряжение и большой ток. Они обычно используются в преобразователях мощности, инверторах и приводах двигателей в таких отраслях, как возобновляемые источники энергии, электромобили и промышленная автоматизация.

· Оптоэлектроника
Материалы SiC типа N, особенно для оптоэлектронных приложений, используются в таких устройствах, как светоизлучающие диоды (СИД) и лазерные диоды. Их высокая теплопроводность и широкая запрещенная зона делают их идеальными для высокопроизводительных оптоэлектронных устройств.

·Высокотемпературные применения
Пластины SiC 4H-N 6H-N хорошо подходят для высокотемпературных сред, например, в датчиках и силовых устройствах, используемых в аэрокосмической, автомобильной и промышленной сферах, где рассеивание тепла и стабильность при повышенных температурах имеют решающее значение.

·Радиочастотные устройства
Пластины SiC 4H-N и 6H-N используются в радиочастотных (РЧ) устройствах, работающих в высокочастотных диапазонах. Они применяются в системах связи, радиолокационной технике и спутниковой связи, где требуются высокая энергоэффективность и производительность.

·Фотонные приложения
В фотонике пластины SiC используются для таких устройств, как фотодетекторы и модуляторы. Уникальные свойства материала позволяют ему эффективно генерировать, модулировать и обнаруживать свет в системах оптической связи и устройствах формирования изображения.

·Датчики
Пластины SiC используются в различных сенсорных приложениях, особенно в суровых условиях, где другие материалы могут выйти из строя. К ним относятся датчики температуры, давления и химических веществ, которые необходимы в таких областях, как автомобилестроение, нефть и газ, а также мониторинг окружающей среды.

·Системы привода электромобилей
Технология SiC играет важную роль в электромобилях, повышая эффективность и производительность систем привода. Благодаря силовым полупроводникам SiC электромобили могут увеличить срок службы батареи, сократить время зарядки и повысить энергоэффективность.

·Усовершенствованные датчики и фотонные преобразователи
В передовых сенсорных технологиях пластины SiC используются для создания высокоточных датчиков для приложений в робототехнике, медицинских устройствах и мониторинге окружающей среды. В фотонных преобразователях свойства SiC используются для эффективного преобразования электрической энергии в оптические сигналы, что жизненно важно в телекоммуникациях и инфраструктуре высокоскоростного Интернета.

Вопросы и ответы

Q: Что такое 4H в 4H SiC?
A: «4H» в 4H SiC относится к кристаллической структуре карбида кремния, а именно к гексагональной форме с четырьмя слоями (H). Буква «H» указывает на тип гексагонального политипа, отличая его от других политипов SiC, таких как 6H или 3C.

Q: Какова теплопроводность 4H-SiC?
A:Теплопроводность 4H-SiC (карбида кремния) составляет примерно 490-500 Вт/м·К при комнатной температуре. Высокая теплопроводность делает его идеальным для применения в силовой электронике и в высокотемпературных средах, где эффективное рассеивание тепла имеет решающее значение.

Предыдущий: Сапфировая трубка, прецизионное производство, прозрачная трубка из кристалла Al2O3, износостойкая, высокой твердости EFG/KY, полировка различного диаметра на заказ

Следующий:

Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам