English

Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов

Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов Рекомендованное изображение
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов

Краткое описание:

Мы предлагаем разнообразный выбор высококачественных пластин SiC (карбид кремния), уделяя особое внимание пластинам N-типа 4H-N и 6H-N, которые идеально подходят для применения в передовой оптоэлектронике, силовых устройствах и высокотемпературных средах. Эти пластины N-типа известны своей исключительной теплопроводностью, выдающейся электрической стабильностью и замечательной долговечностью, что делает их идеальными для высокопроизводительных приложений, таких как силовая электроника, системы привода электромобилей, инверторы возобновляемой энергии и промышленные источники питания. В дополнение к нашим предложениям N-типа мы также предлагаем пластины P-типа 4H/6H-P и 3C SiC для специализированных нужд, включая высокочастотные и радиочастотные устройства, а также фотонные приложения. Наши пластины доступны в размерах от 2 до 8 дюймов, и мы предлагаем индивидуальные решения для удовлетворения конкретных требований различных промышленных секторов. Для получения дополнительной информации или запросов, пожалуйста, свяжитесь с нами.


Функции

Характеристики

4H-N и 6H-N (пластины SiC N-типа)

Приложение:В основном используется в силовой электронике, оптоэлектронике и высокотемпературных приложениях.

Диапазон диаметров:50,8 мм - 200 мм.

Толщина:350 мкм ± 25 мкм, с дополнительной толщиной 500 мкм ± 25 мкм.

Удельное сопротивление:N-тип 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ом·см (класс Z), ≤ 0,3 Ом·см (класс P); N-тип 3C-N: ≤ 0,8 мОм·см (класс Z), ≤ 1 мОм·см (класс P).

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм (CMP или MP).

Плотность микротрубок (MPD):< 1 шт./см².

ТТВ: ≤ 10 мкм для всех диаметров.

Варп: ≤ 30 мкм (≤ 45 мкм для 8-дюймовых пластин).

Исключение кромки:От 3 мм до 6 мм в зависимости от типа пластины.

Упаковка:Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер.

Другие доступные размеры 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов

HPSI (высокочистые полуизолирующие пластины SiC)

Приложение:Используется для устройств, требующих высокого сопротивления и стабильной работы, таких как радиочастотные устройства, фотонные устройства и датчики.

Диапазон диаметров:50,8 мм - 200 мм.

Толщина:Стандартная толщина 350 мкм ± 25 мкм с возможностью использования более толстых пластин до 500 мкм.

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм.

Плотность микротрубок (MPD): ≤ 1 шт./см².

Удельное сопротивление:Высокое сопротивление, обычно используется в полуизолирующих приложениях.

Варп: ≤ 30 мкм (для меньших размеров), ≤ 45 мкм для больших диаметров.

ТТВ: ≤ 10 мкм.

Другие доступные размеры 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов

4H-P、6H-P&3C Пластина SiC(Пластины SiC P-типа)

Приложение:В первую очередь для силовых и высокочастотных устройств.

Диапазон диаметров:50,8 мм - 200 мм.

Толщина:350 мкм ± 25 мкм или индивидуальные варианты.

Удельное сопротивление:P-тип 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ом·см (класс Z), ≤ 0,3 Ом·см (класс P).

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм (CMP или MP).

Плотность микротрубок (MPD):< 1 шт./см².

ТТВ: ≤ 10 мкм.

Исключение кромки:3 мм - 6 мм.

Варп: ≤ 30 мкм для меньших размеров, ≤ 45 мкм для больших размеров.

Другие доступные размеры 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов5×5 10×10

Таблица параметров частичных данных

Свойство

2 дюйма

3дюйма

4дюйма

6 дюймов

8 дюймов

Тип

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Диаметр

50,8 ± 0,3 мм

76,2±0,3 мм

100±0,3 мм

150±0,3 мм

200 ± 0,3 мм

Толщина

330 ± 25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350±25мкм；

500±25мкм

500±25мкм

500±25мкм

500±25мкм

или индивидуальный

или индивидуальный

или индивидуальный

или индивидуальный

или индивидуальный

Шероховатость

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Варп

≤ 30мкм

≤ 30мкм

≤ 30мкм

≤ 30мкм

≤45мкм

ТТВ

≤ 10мкм

≤ 10мкм

≤ 10мкм

≤ 10мкм

≤ 10мкм

Царапать/копать

КМП/МП

МПД

<1ea/см-2

<1ea/см-2

<1ea/см-2

<1ea/см-2

<1ea/см-2

Форма

Круглый, плоский 16 мм; длина OF 22 мм; длина OF 30/32,5 мм; длина OF 47,5 мм; ВЫЕМКА; ВЫЕМКА;

Скос

45°, SEMI Spec; Форма C

 Оценка

Производственный класс для MOS&SBD; Исследовательский класс; Макетный класс, Класс затравочных пластин

Замечания

Диаметр, толщина, ориентация, указанные выше характеристики могут быть изменены по вашему запросу.

 

Приложения

·Силовая электроника

Пластины SiC типа N имеют решающее значение в силовых электронных устройствах из-за их способности выдерживать высокое напряжение и большой ток. Они обычно используются в преобразователях мощности, инверторах и приводах двигателей для таких отраслей, как возобновляемая энергетика, электромобили и промышленная автоматизация.

· Оптоэлектроника
Материалы SiC типа N, особенно для оптоэлектронных приложений, используются в таких устройствах, как светодиоды (LED) и лазерные диоды. Их высокая теплопроводность и широкая запрещенная зона делают их идеальными для высокопроизводительных оптоэлектронных устройств.

·Высокотемпературные применения
Пластины SiC 4H-N 6H-N хорошо подходят для высокотемпературных сред, например, в датчиках и силовых устройствах, используемых в аэрокосмической, автомобильной и промышленной отраслях, где рассеивание тепла и стабильность при повышенных температурах имеют решающее значение.

·Радиочастотные устройства
Пластины SiC 4H-N 6H-N используются в радиочастотных (РЧ) устройствах, работающих в диапазонах высоких частот. Они применяются в системах связи, радиолокационной технике и спутниковой связи, где требуются высокая энергоэффективность и производительность.

·Фотонные приложения
В фотонике пластины SiC используются для таких устройств, как фотодетекторы и модуляторы. Уникальные свойства материала позволяют ему быть эффективным в генерации, модуляции и детектировании света в оптических системах связи и устройствах формирования изображений.

·Датчики
Пластины SiC используются в различных сенсорных приложениях, особенно в суровых условиях, где другие материалы могут выйти из строя. К ним относятся датчики температуры, давления и химические датчики, которые необходимы в таких областях, как автомобилестроение, нефть и газ, а также мониторинг окружающей среды.

·Системы привода электромобилей
Технология SiC играет важную роль в электромобилях, повышая эффективность и производительность систем привода. Благодаря силовым полупроводникам SiC электромобили могут достичь лучшего срока службы батареи, более быстрого времени зарядки и большей энергоэффективности.

·Усовершенствованные датчики и фотонные преобразователи
В передовых сенсорных технологиях пластины SiC используются для создания высокоточных датчиков для применения в робототехнике, медицинских приборах и мониторинге окружающей среды. В фотонных преобразователях свойства SiC используются для эффективного преобразования электрической энергии в оптические сигналы, что жизненно важно в телекоммуникационной и высокоскоростной интернет-инфраструктуре.

Вопросы и ответы

Q：Что такое 4H в 4H SiC?
A："4H" в 4H SiC относится к кристаллической структуре карбида кремния, в частности к гексагональной форме с четырьмя слоями (H). "H" указывает на тип гексагонального политипа, отличая его от других политипов SiC, таких как 6H или 3C.

Q：Какова теплопроводность 4H-SiC?
A: Теплопроводность 4H-SiC (карбида кремния) составляет приблизительно 490-500 Вт/м·К при комнатной температуре. Такая высокая теплопроводность делает его идеальным для применения в силовой электронике и высокотемпературных средах, где эффективное рассеивание тепла имеет решающее значение.

  • Предыдущий:
  • Следующий:

    • Сопутствующие товары

    Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам
    Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.