English

Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов

Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов Рекомендуемое изображение
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
  • Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов

Краткое описание:

Мы предлагаем широкий выбор высококачественных кремниевых карбидных (SiC) пластин, уделяя особое внимание пластинам N-типа 4H-N и 6H-N, которые идеально подходят для применения в передовой оптоэлектронике, силовых устройствах и высокотемпературных средах. Эти пластины N-типа известны своей исключительной теплопроводностью, выдающейся электрической стабильностью и замечательной долговечностью, что делает их идеальными для высокопроизводительных применений, таких как силовая электроника, системы привода электромобилей, инверторы возобновляемой энергии и промышленные источники питания. В дополнение к нашим предложениям N-типа, мы также предлагаем пластины SiC P-типа 4H/6H-P и 3C для специализированных нужд, включая высокочастотные и радиочастотные устройства, а также фотонные приложения. Наши пластины доступны в размерах от 2 до 8 дюймов, и мы предлагаем индивидуальные решения для удовлетворения конкретных требований различных отраслей промышленности. Для получения дополнительной информации или вопросов, пожалуйста, свяжитесь с нами.


Функции

Характеристики

4H-N и 6H-N (кремниевые пластины N-типа)

Приложение:В основном используется в силовой электронике, оптоэлектронике и высокотемпературных областях применения.

Диапазон диаметров:От 50,8 мм до 200 мм.

Толщина:350 мкм ± 25 мкм, с возможностью выбора толщины 500 мкм ± 25 мкм.

Удельное сопротивление:N-тип 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ом·см (класс Z), ≤ 0,3 Ом·см (класс P); N-тип 3C-N: ≤ 0,8 мОм·см (класс Z), ≤ 1 мОм·см (класс P).

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм (CMP или MP).

Плотность микротрубок (MPD):< 1 шт./см².

ТТВ: ≤ 10 мкм для всех диаметров.

Искажение: ≤ 30 мкм (≤ 45 мкм для 8-дюймовых пластин).

Исключение краев:От 3 до 6 мм в зависимости от типа пластины.

Упаковка:Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины.

Доступные другие размеры: 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов.

HPSI (высокочистые полуизолирующие кремниевые карбидные пластины)

Приложение:Используется в устройствах, требующих высокого сопротивления и стабильной работы, таких как радиочастотные устройства, фотонные приложения и датчики.

Диапазон диаметров:От 50,8 мм до 200 мм.

Толщина:Стандартная толщина составляет 350 мкм ± 25 мкм, с возможностью изготовления пластин большей толщины до 500 мкм.

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм.

Плотность микротрубок (MPD): ≤ 1 шт./см².

Удельное сопротивление:Обладает высоким сопротивлением, обычно используется в полуизолирующих конструкциях.

Искажение: ≤ 30 мкм (для меньших размеров), ≤ 45 мкм для больших диаметров.

ТТВ: ≤ 10 мкм.

Доступные другие размеры: 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов.

4H-P、6H-P&3C Кремниевая карбидная пластина(Кремниевые пластины P-типа)

Приложение:В основном для силовых и высокочастотных устройств.

Диапазон диаметров:От 50,8 мм до 200 мм.

Толщина:350 мкм ± 25 мкм или по индивидуальному заказу.

Удельное сопротивление:P-тип 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ом·см (класс Z), ≤ 0,3 Ом·см (класс P).

Шероховатость:Ra ≤ 0,2 нм (CMP или MP).

Плотность микротрубок (MPD):< 1 шт./см².

ТТВ: ≤ 10 мкм.

Исключение краев:от 3 мм до 6 мм.

Искажение: ≤ 30 мкм для меньших размеров, ≤ 45 мкм для больших размеров.

Доступные другие размеры: 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов.5×5 10×10

Частичная таблица параметров данных

Свойство

2 дюйма

3 дюйма

4 дюйма

6 дюймов

8 дюймов

Тип

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Диаметр

50,8 ± 0,3 мм

76,2±0,3 мм

100±0,3 мм

150±0,3 мм

200 ± 0,3 мм

Толщина

330 ± 25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350 ±25 мкм

350±25 мкм;

500±25 мкм

500±25 мкм

500±25 мкм

500±25 мкм

или изготовленные на заказ

или изготовленные на заказ

или изготовленные на заказ

или изготовленные на заказ

или изготовленные на заказ

Шероховатость

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Ra ≤ 0,2 нм

Искажение

≤ 30 мкм

≤ 30 мкм

≤ 30 мкм

≤ 30 мкм

≤45 мкм

ТТВ

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

≤ 10 мкм

Царапать/Копать

CMP/MP

МПД

<1 шт./см-2

<1 шт./см-2

<1 шт./см-2

<1 шт./см-2

<1 шт./см-2

Форма

Круглая, плоская 16 мм; длина 22 мм; длина 30/32,5 мм; длина 47,5 мм; выемка; выемка;

Скос

45°, полустандартная форма; С-образная форма

 Оценка

Производственный сорт для MOS&SBD; исследовательский сорт; пробный сорт; сорт для затравочных пластинок.

Примечания

Диаметр, толщина, ориентация и указанные выше характеристики могут быть изменены по вашему запросу.

 

Приложения

·Силовая электроника

Кремниевые пластины N-типа на основе карбида кремния играют решающую роль в силовой электронике благодаря своей способности выдерживать высокое напряжение и большой ток. Они широко используются в преобразователях мощности, инверторах и приводах двигателей в таких отраслях, как возобновляемая энергетика, электромобили и промышленная автоматизация.

· Оптоэлектроника
Материалы на основе карбида кремния N-типа, особенно для оптоэлектронных применений, используются в таких устройствах, как светодиоды (LED) и лазерные диоды. Их высокая теплопроводность и широкая запрещенная зона делают их идеальными для высокопроизводительных оптоэлектронных устройств.

·Применение в условиях высоких температур
Кремниевые пластины 4H-N 6H-N хорошо подходят для работы в условиях высоких температур, например, в датчиках и силовых устройствах, используемых в аэрокосмической, автомобильной и промышленной отраслях, где рассеивание тепла и стабильность при повышенных температурах имеют решающее значение.

·Радиочастотные устройства
Кремниевые пластины 4H-N и 6H-N SiC используются в радиочастотных (РЧ) устройствах, работающих в высокочастотном диапазоне. Они применяются в системах связи, радиолокационной технике и спутниковой связи, где требуются высокая энергоэффективность и производительность.

·Фотонные приложения
В фотонике кремниевые карбидные пластины используются для таких устройств, как фотодетекторы и модуляторы. Уникальные свойства этого материала позволяют эффективно использовать его для генерации, модуляции и обнаружения света в оптических системах связи и устройствах обработки изображений.

·Датчики
Кремниевые пластины из карбида кремния (SiC) используются в различных сенсорных приложениях, особенно в агрессивных средах, где другие материалы могут оказаться неэффективными. К ним относятся датчики температуры, давления и химических веществ, которые необходимы в таких областях, как автомобильная промышленность, нефтегазовая отрасль и мониторинг окружающей среды.

·Системы привода электромобилей
Технология SiC играет важную роль в электромобилях, повышая эффективность и производительность силовых систем. Благодаря силовым полупроводникам на основе SiC электромобили могут добиться увеличения срока службы батарей, сокращения времени зарядки и повышения энергоэффективности.

·Передовые датчики и фотонные преобразователи
В передовых сенсорных технологиях кремниевые пластины (SiC) используются для создания высокоточных датчиков для применения в робототехнике, медицинских приборах и мониторинге окружающей среды. В фотонных преобразователях свойства SiC используются для эффективного преобразования электрической энергии в оптические сигналы, что имеет решающее значение в телекоммуникациях и высокоскоростной интернет-инфраструктуре.

Вопросы и ответы

QЧто означает 4H в 4H SiC?
A«4H» в обозначении 4H SiC относится к кристаллической структуре карбида кремния, а именно к гексагональной форме с четырьмя слоями (H). «H» указывает на тип гексагонального полиморфа, отличая его от других полиморфов SiC, таких как 6H или 3C.

QКакова теплопроводность 4H-SiC?
AТеплопроводность 4H-SiC (карбида кремния) составляет приблизительно 490-500 Вт/м·К при комнатной температуре. Эта высокая теплопроводность делает его идеальным материалом для применения в силовой электронике и высокотемпературных средах, где эффективное рассеивание тепла имеет решающее значение.

  • Предыдущий:
  • Следующий:

    • Сопутствующие товары

    Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.
    Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.