Продукты
-
Нитрид галлия на кремниевой пластине 4 дюйма 6 дюймов Индивидуальная ориентация подложки Si, удельное сопротивление и опции N-типа/P-типа
-
Индивидуальные эпитаксиальные пластины GaN-on-SiC (100 мм, 150 мм) — несколько вариантов подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
Пластины GaN-на-алмазе 4 дюйма 6 дюймов Общая толщина эпитаксиального слоя (мкм) 0,6 ~ 2,5 или по индивидуальному заказу для высокочастотных применений
-
Коробка-держатель пластин FOSB на 25 слотов для 12-дюймовых пластин. Точный разнос для автоматизированных операций. Сверхчистые материалы.
-
12-дюймовая (300 мм) транспортная коробка с открывающейся спереди крышкой. Коробка для хранения пластин FOSB вместимостью 25 шт. для обработки и доставки пластин. Автоматизированные операции.
-
Прецизионные линзы из монокристаллического кремния (Si) – индивидуальные размеры и покрытия для оптоэлектроники и инфракрасной визуализации
-
Индивидуальные линзы из высокочистого монокристаллического кремния (Si) – индивидуальные размеры и покрытия для инфракрасных и терагерцовых применений (1,2–7 мкм, 8–12 мкм)
-
Оптическое окно ступенчатого типа из сапфира, изготовленное на заказ, монокристалл Al2O3, высокой чистоты, диаметр 45 мм, толщина 10 мм, лазерная резка и полировка
-
Высокопроизводительное ступенчатое сапфировое окно, монокристалл Al2O3, прозрачное покрытие, индивидуальные формы и размеры для прецизионных оптических применений
-
Высокопроизводительный сапфировый штифт-подъемник, чистый монокристалл Al2O3 для систем переноса пластин – индивидуальные размеры, высокая прочность для прецизионных применений
-
Подъемный стержень и штифт из промышленного сапфира, штифт из сапфира Al2O3 высокой твердости для перемещения пластин, радиолокационных систем и обработки полупроводников – диаметр от 1,6 мм до 2 мм
-
Индивидуально изготовленный сапфировый штифт для подъема, оптические детали из монокристалла Al2O3 высокой твердости для переноса пластин – диаметр 1,6 мм, 1,8 мм, настраиваемый для промышленного применения