p-тип 4H/6H-P 3C-N ТИП SIC подложка 4 дюйма 〈111〉± 0,5°Ноль MPD

Краткое описание:

Подложка SiC типа P-type 4H/6H-P 3C-N, 4 дюйма, с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом нулевого MPD (микротрубный дефект), представляет собой высокопроизводительный полупроводниковый материал, разработанный для современных электронных устройств. производство. Эта подложка, известная своей превосходной теплопроводностью, высоким напряжением пробоя и высокой устойчивостью к высоким температурам и коррозии, идеально подходит для силовой электроники и радиочастотных приложений. Марка Zero MPD гарантирует минимальные дефекты, обеспечивая надежность и стабильность высокопроизводительных устройств. Его точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание во время изготовления, что делает его пригодным для крупномасштабных производственных процессов. Эта подложка широко используется в высокотемпературных, высоковольтных и высокочастотных электронных устройствах, таких как преобразователи мощности, инверторы и радиочастотные компоненты.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Композитные подложки SiC типа 4H/6H-P Таблица общих параметров

4 Диаметр дюйма КремнийКарбидная (SiC) подложка Спецификация

Оценка			Производство с нулевым MPD Оценка (З Оценка)	Стандартное производство Оценка (П Оценка)	Фиктивная оценка (D Оценка)
Диаметр			99,5 мм~100,0 мм
Толщина			350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины			Вне оси: 2,0°-4,0° в направлении [112(-)0] ± 0,5° для 4H/6H-P, Oось n:〈111〉± 0,5° для 3C-N
Плотность микротрубок			0 см-2
Удельное сопротивление	р-тип 4H/6H-P		≤0,1 Омꞏсм		≤0,3 Омꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0,8 мОмꞏсм		≤1 м Омꞏсм
Первичная плоская ориентация		4H/6H-П	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Основная плоская длина			32,5 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская ориентация			Кремниевая лицевая сторона вверх: 90° по часовой стрелке. из Прайм Флэт±5,0°
Исключение краев			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Лук/Деформация			≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм		≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Шероховатость			Польский Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Краевые трещины от света высокой интенсивности			Никто		Совокупная длина ≤ 10 мм, отдельная длина≤2 мм
Шестигранные пластины от света высокой интенсивности			Совокупная площадь ≤0,05%		Совокупная площадь ≤0,1%
Политипные области под воздействием света высокой интенсивности			Никто		Совокупная площадь≤3%
Визуальные включения углерода			Совокупная площадь ≤0,05%		Совокупная площадь ≤3%
Поверхность кремния царапается светом высокой интенсивности			Никто		Совокупная длина≤1×диаметр пластины
Краевые чипы с высокой интенсивностью света			Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм.		Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивности			Никто
Упаковка			Кассета с несколькими пластинами или одиночный контейнер для пластин

Примечания:

※Предельные значения дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять только на лицевой стороне Si.

4-дюймовая подложка SiC типа P-type 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом нулевого MPD широко используется в высокопроизводительных электронных приложениях. Его превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают его идеальным для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи мощности, работающие в экстремальных условиях. Кроме того, устойчивость подложки к высоким температурам и коррозии обеспечивает стабильную работу в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° повышает точность изготовления, что делает ее подходящей для радиочастотных устройств и высокочастотных приложений, таких как радиолокационные системы и оборудование беспроводной связи.

К преимуществам композитных подложек SiC N-типа относятся:

1. Высокая теплопроводность: эффективное рассеивание тепла, что делает его пригодным для высокотемпературных сред и приложений с высокой мощностью.
2. Высокое напряжение пробоя: обеспечивает надежную работу в высоковольтных устройствах, таких как силовые преобразователи и инверторы.
3. Степень нулевого MPD (дефект микротруб): гарантирует минимальные дефекты, обеспечивая стабильность и высокую надежность критически важных электронных устройств.
4. Коррозионная стойкость: долговечность в суровых условиях, обеспечение долгосрочной функциональности в сложных условиях.
5. Точная 〈111〉± 0,5° ориентация: обеспечивает точное выравнивание во время производства, улучшая производительность устройства в высокочастотных и радиочастотных приложениях.

В целом, 4-дюймовая подложка SiC типа P-type 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉±0,5° и классом нулевого MPD представляет собой высокопроизводительный материал, идеально подходящий для передовых электронных приложений. Его превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают его идеальным для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи. Марка Zero MPD гарантирует минимальное количество дефектов, обеспечивая надежность и стабильность критически важных устройств. Кроме того, устойчивость подложки к коррозии и высоким температурам обеспечивает долговечность в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание во время производства, что делает его очень подходящим для радиочастотных устройств и высокочастотных приложений.