Подложка SIC типа 4H/6H-P 3C-N p-type, 4 дюйма (111) ± 0,5°, нулевой MPD
Таблица общих параметров композитных подложек SiC типа 4H/6H-P
4 дюймовый диаметр кремнияКарбидная (SiC) подложка Спецификация
| Оценка | Нулевое производство MPD Оценка (Z) Оценка) | Стандартное производство Оценка (P) Оценка) | Оценка манекена (D Оценка) | ||
| Диаметр | 99,5 мм~100,0 мм | ||||
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Ориентация пластины | Вне оси: 2,0°-4,0° в направлении [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, OОсь n:〈111〉± 0,5° для 3C-N | ||||
| Плотность микротрубок | 0 см-2 | ||||
| Удельное сопротивление | p-типа 4H/6H-P | ≤0,1 Ом·см | ≤0,3 Ом·см | ||
| n-типа 3C-N | ≤0,8 мОмꞏсм | ≤1 м Ом ꞏсм | |||
| Первичная плоская ориентация | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Длина первичной плоскости | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Длина вторичной плоскости | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная плоская ориентация | Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоскости Prime±5.0° | ||||
| Исключение границ | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Бук/Варп | ≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм | ≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм | |||
| Шероховатость | Полировка Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Трещины на краях под воздействием света высокой интенсивности | Никто | Общая длина ≤ 10 мм, единичная длина ≤ 2 мм | |||
| Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света | Кумулятивная площадь ≤0,05% | Кумулятивная площадь ≤0,1% | |||
| Политипные области с высокой интенсивностью света | Никто | Кумулятивная площадь≤3% | |||
| Визуальные углеродные включения | Кумулятивная площадь ≤0,05% | Кумулятивная площадь ≤3% | |||
| Царапины на поверхности кремния под воздействием высокоинтенсивного света | Никто | Суммарная длина ≤1×диаметр пластины | |||
| Edge Chips High By Intensity Light | Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм | допускается 5, ≤1 мм каждый | |||
| Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью | Никто | ||||
| Упаковка | Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер | ||||
Примечания:
※Ограничения по дефектам применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять только на поверхности Si.
4-дюймовая подложка SiC типа 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD широко используется в высокопроизводительных электронных устройствах. Благодаря превосходной теплопроводности и высокому пробивному напряжению она идеально подходит для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи мощности, работающие в экстремальных условиях. Кроме того, устойчивость подложки к высоким температурам и коррозии обеспечивает стабильную работу в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° повышает точность изготовления, делая её пригодной для использования в радиочастотных устройствах и высокочастотных приложениях, таких как радиолокационные системы и оборудование беспроводной связи.
К преимуществам композитных подложек SiC N-типа относятся:
1. Высокая теплопроводность: эффективное рассеивание тепла, что делает его пригодным для высокотемпературных сред и приложений с высокой мощностью.
2. Высокое напряжение пробоя: обеспечивает надежную работу в высоковольтных приложениях, таких как преобразователи мощности и инверторы.
3. Нулевой уровень MPD (дефектов микротрубок): гарантирует минимальное количество дефектов, обеспечивая стабильность и высокую надежность критически важных электронных устройств.
4. Устойчивость к коррозии: долговечность в суровых условиях, обеспечение длительной эксплуатации в тяжелых условиях.
5. Точная ориентация (111) ± 0,5°: обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, улучшая производительность устройства в высокочастотных и радиочастотных приложениях.
В целом, 4-дюймовая подложка SiC типа P-type 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD является высокопроизводительным материалом, идеально подходящим для современных электронных приложений. Его превосходная теплопроводность и высокое пробивное напряжение делают его идеальным для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи. Класс Zero MPD обеспечивает минимальное количество дефектов, обеспечивая надежность и стабильность в критически важных устройствах. Кроме того, стойкость подложки к коррозии и высоким температурам обеспечивает долговечность в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание в процессе производства, что делает его очень подходящим для СВЧ-устройств и высокочастотных приложений.
Подробная схема
