p-тип 4H/6H-P 3C-N ТИП SIC подложка 4 дюйма 〈111〉± 0,5° Нулевой MPD

Краткое описание:

Подложка SiC типа P 4H/6H-P 3C-N, 4 дюйма с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD (Micro Pipe Defect), представляет собой высокопроизводительный полупроводниковый материал, разработанный для производства современных электронных устройств. Известный своей превосходной теплопроводностью, высоким пробивным напряжением и высокой устойчивостью к высоким температурам и коррозии, этот субстрат идеально подходит для силовой электроники и радиочастотных приложений. Класс Zero MPD гарантирует минимальные дефекты, обеспечивая надежность и стабильность в высокопроизводительных устройствах. Его точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание во время изготовления, что делает его пригодным для крупномасштабных производственных процессов. Этот субстрат широко используется в высокотемпературных, высоковольтных и высокочастотных электронных устройствах, таких как силовые преобразователи, инверторы и радиочастотные компоненты.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Таблица общих параметров композитных подложек SiC типа 4H/6H-P

4 дюймовый диаметр кремнияКарбидная (SiC) подложка Спецификация

Оценка			Нулевое производство MPD Оценка (З) Оценка)	Стандартное производство Оценка (P) Оценка)	Оценка манекена (D Оценка)
Диаметр			99,5 мм~100,0 мм
Толщина			350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины			Вне оси: 2,0°-4,0° в направлении [112(-)0] ± 0,5° для 4H/6H-P, OОсь n:〈111〉± 0,5° для 3C-N
Плотность микротрубок			0 см-2
Удельное сопротивление	p-тип 4H/6H-P		≤0,1 Омꞏсм		≤0,3 Омꞏсм
	n-тип 3C-N		≤0,8 мОмꞏсм		≤1 м Омꞏсм
Первичная плоская ориентация		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Длина первичной плоскости			32,5 мм ± 2,0 мм
Длина вторичной плоскости			18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская ориентация			Кремниевая поверхность вверх: 90° CW. от Prime flat±5.0°
Исключение кромки			3 мм		6 мм
LTV/TTV/Бук/Варп			≤2.5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм		≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Шероховатость			Полировка Ra≤1 нм
			CMP Ra≤0,2 нм		Ra≤0,5 нм
Трещины на краях из-за света высокой интенсивности			Никто		Общая длина ≤ 10 мм, единичная длина ≤ 2 мм
Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света			Кумулятивная площадь ≤0,05%		Кумулятивная площадь ≤0,1%
Политипные области с высокой интенсивностью света			Никто		Кумулятивная площадь≤3%
Визуальные углеродные включения			Кумулятивная площадь ≤0,05%		Общая площадь ≤3%
Царапины на поверхности кремния под воздействием света высокой интенсивности			Никто		Суммарная длина ≤1×диаметр пластины
Краевые чипы высокой интенсивности света			Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм		Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью			Никто
Упаковка			Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер

Примечания:

※Ограничения по дефектам применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. # Царапины следует проверять только на поверхности Si.

4-дюймовая подложка SiC типа P 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD широко используется в высокопроизводительных электронных приложениях. Ее превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают ее идеальной для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи мощности, работающие в экстремальных условиях. Кроме того, устойчивость подложки к высоким температурам и коррозии обеспечивает стабильную работу в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° повышает точность изготовления, что делает ее пригодной для радиочастотных устройств и высокочастотных приложений, таких как радиолокационные системы и оборудование беспроводной связи.

Преимущества композитных подложек SiC N-типа включают в себя:

1. Высокая теплопроводность: эффективное рассеивание тепла, что делает его пригодным для высокотемпературных сред и приложений с высокой мощностью.
2. Высокое напряжение пробоя: обеспечивает надежную работу в высоковольтных устройствах, таких как силовые преобразователи и инверторы.
3. Класс Zero MPD (микродефекты труб): гарантирует минимальное количество дефектов, обеспечивая стабильность и высокую надежность критически важных электронных устройств.
4. Устойчивость к коррозии: долговечность в суровых условиях, обеспечение длительной эксплуатации в сложных условиях.
5. Точная ориентация (111) ± 0,5°: обеспечивает точное выравнивание во время производства, улучшая производительность устройства в высокочастотных и радиочастотных приложениях.

В целом, 4-дюймовая подложка SiC типа P 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD является высокопроизводительным материалом, идеально подходящим для современных электронных приложений. Его превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают его идеальным для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи. Класс Zero MPD обеспечивает минимальное количество дефектов, обеспечивая надежность и стабильность в критических устройствах. Кроме того, устойчивость подложки к коррозии и высоким температурам обеспечивает долговечность в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание во время производства, что делает его очень подходящим для радиочастотных устройств и высокочастотных приложений.