Фотодетекторные матрицы PD Array на основе эпитаксиальной пластины InGaAs могут использоваться для LiDAR

Фотодетекторные матрицы PD Array на основе эпитаксиальной пластины InGaAs могут использоваться для лидара. Изображение

Краткое описание:

Эпитаксиальная плёнка InGaAs представляет собой тонкоплёночный монокристаллический материал на основе индия, галлия и мышьяка (InGaAs), сформированный методом эпитаксиального роста на специальной подложке. В качестве эпитаксиальных подложек для InGaAs обычно используются фосфид индия (InP) и арсенид галлия (GaAs). Эти подложки обладают хорошим качеством кристаллов и термической стабильностью, что делает их отличными подложками для роста эпитаксиальных слоёв InGaAs.
Матрица фотоприёмников (PD Array, Photodetector Array) представляет собой матрицу из нескольких фотоприёмников, способных одновременно регистрировать несколько оптических сигналов. Эпитаксиальный слой, выращенный методом MOCVD, в основном используется в фотоприёмных диодах. Поглощающий слой состоит из U-InGaAs, фоновое легирование <5E14, а диффузный Zn может быть добавлен заказчиком или компанией Epihouse. Эпитаксиальные таблетки были исследованы методами фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и электровакуумной вольтамперометрии.

Напишите нам письмо

Функции

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа InGaAs включают:

1. Согласование решеток: хорошее согласование решеток может быть достигнуто между эпитаксиальным слоем InGaAs и подложкой InP или GaAs, тем самым снижая плотность дефектов эпитаксиального слоя и улучшая производительность устройства.
2. Регулируемая ширина запрещенной зоны: Ширина запрещенной зоны материала InGaAs может быть достигнута путем регулирования соотношения компонентов In и Ga, что обеспечивает широкий спектр перспектив применения эпитаксиальных листов InGaAs в оптоэлектронных устройствах.
3. Высокая фоточувствительность: эпитаксиальная пленка InGaAs обладает высокой чувствительностью к свету, что обеспечивает ей уникальные преимущества в области фотоэлектрического обнаружения, оптической связи и других областях.
4. Высокая температурная стабильность: эпитаксиальная структура InGaAs/InP обладает превосходной высокотемпературной стабильностью и может поддерживать стабильную работу устройства при высоких температурах.

Основные области применения лазерных эпитаксиальных таблеток InGaAs включают:

1. Оптоэлектронные приборы: эпитаксиальные таблетки InGaAs могут использоваться для изготовления фотодиодов, фотоприемников и других оптоэлектронных приборов, которые имеют широкий спектр применения в оптической связи, ночном видении и других областях.

2. Лазеры: эпитаксиальные листы InGaAs также могут использоваться для производства лазеров, особенно длинноволновых лазеров, которые играют важную роль в оптоволоконной связи, промышленной обработке и других областях.

3. Солнечные элементы: материал InGaAs имеет широкий диапазон регулировки ширины запрещенной зоны, что может удовлетворить требования к ширине запрещенной зоны, предъявляемые к тепловым фотоэлектрическим элементам, поэтому эпитаксиальный лист InGaAs также имеет определенный потенциал применения в области солнечных элементов.

4. Медицинская визуализация: в медицинском диагностическом оборудовании (например, КТ, МРТ и т. д.) для обнаружения и визуализации.

5. Сенсорная сеть: при мониторинге окружающей среды и обнаружении газов можно одновременно контролировать несколько параметров.

6. Промышленная автоматизация: используется в системах машинного зрения для контроля состояния и качества объектов на производственной линии.

В будущем свойства эпитаксиальных подложек InGaAs будут продолжать совершенствоваться, включая повышение эффективности фотоэлектрического преобразования и снижение уровня шума. Это обеспечит более широкое применение эпитаксиальных подложек InGaAs в оптоэлектронных устройствах, а также повысит их производительность. В то же время процесс изготовления будет постоянно оптимизироваться для снижения затрат и повышения эффективности, чтобы соответствовать потребностям более широкого рынка.

В целом эпитаксиальная подложка InGaAs занимает важное место в области полупроводниковых материалов благодаря своим уникальным характеристикам и широким перспективам применения.

Компания XKH предлагает изготовление эпитаксиальных листов InGaAs различной структуры и толщины по индивидуальным заказам, охватывая широкий спектр применения в оптоэлектронных устройствах, лазерах и солнечных элементах. Продукция XKH производится на передовом оборудовании MOCVD, обеспечивающем высокую производительность и надежность. В сфере логистики XKH располагает широким спектром международных каналов поставок, что позволяет гибко обрабатывать заказы и предоставлять услуги с добавленной стоимостью, такие как доработка и сегментация. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и соответствие требованиям клиентов к качеству и срокам поставки.