Фотодетекторные матрицы PD Array на основе эпитаксиальной пластины InGaAs могут использоваться для LiDAR

Краткое описание:

Эпитаксиальная пленка InGaAs относится к тонкопленочному монокристаллическому материалу InGaAs (InGaAs), сформированному с помощью технологии эпитаксиального роста на определенной подложке. Обычными эпитаксиальными подложками InGaAs являются фосфид индия (InP) и арсенид галлия (GaAs). Эти материалы подложки обладают хорошим качеством кристаллов и термической стабильностью, что может обеспечить превосходную подложку для роста эпитаксиальных слоев InGaAs.
Массив PD (массив фотодетекторов) представляет собой массив из нескольких фотодетекторов, способных одновременно обнаруживать несколько оптических сигналов. Эпитаксиальный лист, выращенный из MOCVD, в основном используется в фотодетекторных диодах, поглощающий слой состоит из U-InGaAs, фоновое легирование составляет <5E14, а диффузный Zn может быть заполнен заказчиком или Epihouse. Эпитаксиальные таблетки были проанализированы с помощью измерений PL, XRD и ECV.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа InGaAs включают в себя:

1. Согласование решеток: хорошее согласование решеток может быть достигнуто между эпитаксиальным слоем InGaAs и подложкой InP или GaAs, тем самым снижая плотность дефектов эпитаксиального слоя и улучшая производительность устройства.
2. Регулируемая ширина запрещенной зоны: Ширина запрещенной зоны материала InGaAs может быть достигнута путем регулирования соотношения компонентов In и Ga, что обеспечивает широкий спектр перспектив применения эпитаксиальных листов InGaAs в оптоэлектронных устройствах.
3. Высокая фоточувствительность: эпитаксиальная пленка InGaAs обладает высокой чувствительностью к свету, что обеспечивает ей уникальные преимущества в области фотоэлектрического обнаружения, оптической связи и других областях.
4. Высокая температурная стабильность: эпитаксиальная структура InGaAs/InP обладает превосходной высокотемпературной стабильностью и может поддерживать стабильную работу устройства при высоких температурах.

Основные области применения лазерных эпитаксиальных таблеток InGaAs включают:

1. Оптоэлектронные приборы: эпитаксиальные таблетки InGaAs могут использоваться для изготовления фотодиодов, фотоприемников и других оптоэлектронных приборов, которые имеют широкий спектр применения в оптической связи, ночном видении и других областях.

2. Лазеры: эпитаксиальные листы InGaAs также могут использоваться для производства лазеров, особенно длинноволновых лазеров, которые играют важную роль в оптоволоконной связи, промышленной обработке и других областях.

3. Солнечные элементы: материал InGaAs имеет широкий диапазон регулировки ширины запрещенной зоны, что может удовлетворить требования к ширине запрещенной зоны, предъявляемые к тепловым фотоэлектрическим элементам, поэтому эпитаксиальный лист InGaAs также имеет определенный потенциал применения в области солнечных элементов.

4. Медицинская визуализация: в медицинском диагностическом оборудовании (например, КТ, МРТ и т. д.) для обнаружения и визуализации.

5. Сенсорная сеть: при мониторинге окружающей среды и обнаружении газов можно одновременно контролировать несколько параметров.

6. Промышленная автоматизация: используется в системах машинного зрения для контроля состояния и качества объектов на производственной линии.

В будущем свойства материала эпитаксиальной подложки InGaAs будут продолжать улучшаться, включая улучшение эффективности фотоэлектрического преобразования и снижение уровня шума. Это сделает эпитаксиальную подложку InGaAs более широко используемой в оптоэлектронных устройствах, а ее производительность более превосходной. В то же время процесс подготовки также будет постоянно оптимизироваться для снижения затрат и повышения эффективности, чтобы соответствовать потребностям более крупного рынка.

В целом эпитаксиальная подложка InGaAs занимает важное место в области полупроводниковых материалов благодаря своим уникальным характеристикам и широким перспективам применения.

XKH предлагает кастомизацию эпитаксиальных листов InGaAs с различной структурой и толщиной, охватывая широкий спектр приложений для оптоэлектронных устройств, лазеров и солнечных элементов. Продукция XKH производится с использованием передового оборудования MOCVD для обеспечения высокой производительности и надежности. С точки зрения логистики, XKH имеет широкий спектр международных каналов поставок, которые могут гибко обрабатывать количество заказов и предоставлять услуги с добавленной стоимостью, такие как уточнение и сегментация. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и отвечают требованиям клиентов по качеству и срокам доставки.