Эпитаксиальная подложка пластины InGaAs. Матрицы фотодетекторов PD Array можно использовать для LiDAR.

Эпитаксиальная подложка пластины InGaAs. Массивы фотодетекторов PD Array можно использовать для LiDAR.

Краткое описание:

Эпитаксиальная пленка InGaAs представляет собой монокристаллический тонкий пленочный материал индия-галлия-мышьяка (InGaAs), сформированный с помощью технологии эпитаксиального выращивания на конкретной подложке. Обычными эпитаксиальными подложками InGaAs являются фосфид индия (InP) и арсенид галлия (GaAs). Эти материалы подложки обладают хорошим кристаллическим качеством и термической стабильностью, что может стать отличной подложкой для выращивания эпитаксиальных слоев InGaAs.
PD Array (матрица фотодетекторов) представляет собой массив из нескольких фотодетекторов, способных одновременно обнаруживать несколько оптических сигналов. Эпитаксиальный лист, выращенный методом MOCVD, в основном используется в фотодетекторных диодах, поглощающий слой состоит из U-InGaAs, фоновое легирование <5E14, а диффузионный Zn может быть выполнен заказчиком или Epihouse. Эпитаксиальные таблетки анализировали с помощью измерений PL, XRD и ECV.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Ключевые особенности лазерного эпитаксиального листа InGaAs включают в себя:

1. Согласование решеток. Хорошее согласование решеток может быть достигнуто между эпитаксиальным слоем InGaAs и подложкой InP или GaAs, тем самым уменьшая плотность дефектов эпитаксиального слоя и улучшая характеристики устройства.
2. Регулируемая запрещенная зона: запрещенная зона материала InGaAs может быть достигнута путем регулирования пропорции компонентов In и Ga, что делает эпитаксиальный лист InGaAs имеющим широкий спектр перспектив применения в оптоэлектронных устройствах.
3. Высокая фоточувствительность: эпитаксиальная пленка InGaAs обладает высокой чувствительностью к свету, что дает ей преимущества в области фотоэлектрического обнаружения, оптической связи и других уникальных преимуществ.
4. Устойчивость к высоким температурам: эпитаксиальная структура InGaAs/InP обладает превосходной стабильностью при высоких температурах и может поддерживать стабильную работу устройства при высоких температурах.

Основные области применения лазерных эпитаксиальных таблеток InGaAs включают:

1. Оптоэлектронные устройства. Эпитаксиальные таблетки InGaAs могут использоваться для изготовления фотодиодов, фотодетекторов и других оптоэлектронных устройств, которые имеют широкий спектр применения в оптической связи, ночном видении и других областях.

2. Лазеры. Эпитаксиальные листы InGaAs также можно использовать для производства лазеров, особенно длинноволновых лазеров, которые играют важную роль в оптоволоконной связи, промышленной обработке и других областях.

3. Солнечные элементы: материал InGaAs имеет широкий диапазон регулировки запрещенной зоны, что может удовлетворить требования к запрещенной зоне, необходимые для тепловых фотоэлектрических элементов, поэтому эпитаксиальный лист InGaAs также имеет определенный потенциал применения в области солнечных элементов.

4. Медицинская визуализация: в оборудовании медицинской визуализации (например, КТ, МРТ и т. д.) для обнаружения и визуализации.

5. Сенсорная сеть: при мониторинге окружающей среды и обнаружении газа можно контролировать несколько параметров одновременно.

6. Промышленная автоматизация: используется в системах машинного зрения для контроля состояния и качества объектов на производственной линии.

В будущем свойства материала эпитаксиальной подложки InGaAs будут продолжать улучшаться, включая повышение эффективности фотоэлектрического преобразования и снижение уровня шума. Это позволит более широко использовать эпитаксиальную подложку InGaAs в оптоэлектронных устройствах и улучшить ее характеристики. В то же время процесс подготовки также будет постоянно оптимизироваться для снижения затрат и повышения эффективности, чтобы удовлетворить потребности более широкого рынка.

В целом эпитаксиальная подложка InGaAs занимает важное место в области полупроводниковых материалов благодаря своим уникальным характеристикам и широким перспективам применения.

XKH предлагает изготовление эпитаксиальных листов InGaAs различной структуры и толщины, охватывающих широкий спектр применений в оптоэлектронных устройствах, лазерах и солнечных элементах. Продукция XKH производится с использованием современного оборудования MOCVD, обеспечивающего высокую производительность и надежность. Что касается логистики, XKH имеет широкий спектр международных каналов поставок, которые могут гибко обрабатывать количество заказов и предоставлять дополнительные услуги, такие как уточнение и сегментация. Эффективные процессы доставки обеспечивают своевременную доставку и отвечают требованиям клиентов по качеству и срокам доставки.