8-дюймовая кремниевая пластина P/N-типа (100) 1-100 Ом, фиктивная подложка для восстановления
Введение вафельной коробки
8-дюймовая кремниевая пластина – это распространённый материал для кремниевой подложки, широко используемый в производстве интегральных схем. Такие кремниевые пластины широко используются для изготовления различных типов интегральных схем, включая микропроцессоры, микросхемы памяти, датчики и другие электронные устройства. 8-дюймовые кремниевые пластины обычно используются для изготовления микросхем относительно больших размеров, имея такие преимущества, как большая площадь поверхности и возможность изготовления большего количества микросхем на одной кремниевой пластине, что приводит к повышению эффективности производства. 8-дюймовая кремниевая пластина также обладает хорошими механическими и химическими свойствами, что делает её подходящей для крупносерийного производства интегральных схем.
Характеристики продукта
8-дюймовая полированная кремниевая пластина типа P/N (25 шт.)
Ориентация: 200
Удельное сопротивление: 0,1 - 40 Ом·см (может варьироваться в зависимости от партии)
Толщина: 725+/-20мкм
Prime/Monitor/Test Grade
СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА
Параметр | Характеристика |
Тип/Легирующая примесь | P, бор N, фосфор N, сурьма N, мышьяк |
Ориентации | <100>, <111> ориентация нарезки по спецификации заказчика |
Содержание кислорода | 1019ppmA Индивидуальные допуски по спецификации заказчика |
Содержание углерода | < 0,6 ppmA |
МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Параметр | Основной | Монитор/Тест А | Тест |
Диаметр | 200±0,2 мм | 200 ± 0,2 мм | 200 ± 0,5 мм |
Толщина | 725±20 мкм (стандарт) | 725±25 мкм (стандарт) 450±25 мкм 625±25мкм 1000±25мкм 1300±25мкм 1500±25 мкм | 725±50 мкм (стандарт) |
ТТВ | < 5 мкм | < 10 мкм | < 15 мкм |
Поклон | < 30 мкм | < 30 мкм | < 50 мкм |
Сворачивать | < 30 мкм | < 30 мкм | < 50 мкм |
Скругление краев | SEMI-STD | ||
Маркировка | Только первичные полуплоские, полустандартные плоские, плоские, с выемкой |
Параметр | Основной | Монитор/Тест А | Тест |
Критерии лицевой стороны | |||
Состояние поверхности | Химико-механическая полировка | Химико-механическая полировка | Химико-механическая полировка |
Шероховатость поверхности | < 2 А° | < 2 А° | < 2 А° |
Загрязнение Частицы @ >0,3 мкм | = 20 | = 20 | = 30 |
Дымка, Ямы Апельсиновая корка | Никто | Никто | Никто |
Пила,Маркс Полосы | Никто | Никто | Никто |
Критерии обратной стороны | |||
Трещины, «гусиные лапки», следы от пилы, пятна | Никто | Никто | Никто |
Состояние поверхности | Едкое травление |
Подробная схема


