Композитная подложка LN-on-Si толщиной 6-8 дюймов, материал Si/SiC/сапфир 0,3-50 мкм

Композитная подложка LN-on-Si толщиной 6-8 дюймов, толщина 0,3-50 мкм, материал Si/SiC/сапфир. Изображение

Краткое описание:

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов представляет собой высокопроизводительный материал, который объединяет тонкие пленки монокристаллического ниобата лития (LN) с кремниевыми (Si) подложками толщиной от 0,3 мкм до 50 мкм. Она предназначена для изготовления современных полупроводниковых и оптоэлектронных устройств. Используя передовые методы склеивания или эпитаксиального роста, эта подложка обеспечивает высокое кристаллическое качество тонкой пленки LN, одновременно используя большой размер пластины (от 6 до 8 дюймов) кремниевой подложки для повышения эффективности производства и экономической эффективности.
По сравнению с обычными объемными материалами LN, 6-дюймовая или 8-дюймовая композитная подложка LN-on-Si обеспечивает превосходное термическое соответствие и механическую стабильность, что делает ее пригодной для крупномасштабной обработки на уровне пластин. Кроме того, можно выбрать альтернативные базовые материалы, такие как SiC или сапфир, для удовлетворения конкретных требований применения, включая высокочастотные радиочастотные устройства, интегрированную фотонику и датчики MEMS.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Технические параметры

0,3-50 мкм LN/LT на изоляторах
Верхний слой
Диаметр	6-8 дюймов
Ориентация	X, Z, Y-42 и т.д.
Материалы	LT, LN
Толщина	0,3-50мкм
Подложка (индивидуальная)
Материал	Si, SiC, сапфир, шпинель, кварц

Основные характеристики

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов отличается уникальными свойствами материала и настраиваемыми параметрами, что обеспечивает ее широкое применение в полупроводниковой и оптоэлектронной промышленности:

1. Совместимость с большими пластинами: размер пластины от 6 до 8 дюймов обеспечивает бесшовную интеграцию с существующими линиями по производству полупроводников (например, КМОП-процессами), снижая производственные затраты и обеспечивая массовое производство.

2. Высокое качество кристаллов: оптимизированные эпитаксиальные или склеивающие методы обеспечивают низкую плотность дефектов в тонкой пленке LN, что делает ее идеальной для высокопроизводительных оптических модуляторов, фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и других прецизионных устройств.

3. Регулируемая толщина (0,3–50 мкм): сверхтонкие слои LN (<1 мкм) подходят для интегрированных фотонных чипов, в то время как более толстые слои (10–50 мкм) поддерживают мощные радиочастотные устройства или пьезоэлектрические датчики.

4. Несколько вариантов подложек: в дополнение к Si, в качестве базовых материалов можно выбрать SiC (высокая теплопроводность) или сапфир (высокая изоляция), чтобы удовлетворить требования высокочастотных, высокотемпературных или высокомощных приложений.

5. Термическая и механическая стабильность: кремниевая подложка обеспечивает надежную механическую поддержку, сводя к минимуму деформацию или растрескивание во время обработки и повышая выход годных устройств.

Эти характеристики позиционируют композитную подложку LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов как предпочтительный материал для передовых технологий, таких как связь 5G, LiDAR и квантовая оптика.

Основные приложения

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов широко применяется в высокотехнологичных отраслях промышленности благодаря своим исключительным электрооптическим, пьезоэлектрическим и акустическим свойствам:

1. Оптическая связь и интегрированная фотоника: позволяет использовать высокоскоростные электрооптические модуляторы, волноводы и фотонные интегральные схемы (ФИС), удовлетворяя потребности центров обработки данных и оптоволоконных сетей в пропускной способности.

Радиочастотные устройства 2.5G/6G: Высокий пьезоэлектрический коэффициент LN делает его идеальным для фильтров поверхностных акустических волн (SAW) и объемных акустических волн (BAW), улучшая обработку сигналов в базовых станциях 5G и мобильных устройствах.

3. МЭМС и датчики: пьезоэлектрический эффект LN-on-Si позволяет создавать высокочувствительные акселерометры, биосенсоры и ультразвуковые преобразователи для медицинских и промышленных применений.

4. Квантовые технологии: тонкие пленки LN, как нелинейный оптический материал, используются в квантовых источниках света (например, запутанные пары фотонов) и интегрированных квантовых чипах.

5.Лазеры и нелинейная оптика: Сверхтонкие слои LN позволяют создавать эффективные устройства генерации второй гармоники (SHG) и оптических параметрических колебаний (OPO) для лазерной обработки и спектроскопического анализа.

Стандартизированная композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов позволяет изготавливать эти устройства на крупномасштабных фабриках по производству пластин, что значительно снижает производственные затраты.

Индивидуализация и услуги

Мы предоставляем комплексную техническую поддержку и услуги по настройке композитных подложек LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов для удовлетворения различных потребностей в области НИОКР и производства:

1. Изготовление по индивидуальному заказу: толщина пленки LN (0,3–50 мкм), ориентация кристалла (X-срез/Y-срез) и материал подложки (Si/SiC/сапфир) могут быть адаптированы для оптимизации производительности устройства.

2. Обработка на уровне пластин: оптовые поставки 6-дюймовых и 8-дюймовых пластин, включая такие внутренние услуги, как резка, полировка и нанесение покрытия, гарантирующие готовность подложек к интеграции устройств.

3.Технические консультации и испытания: характеристика материалов (например, рентгеновская дифракция, атомно-силовая микроскопия), испытания электрооптических характеристик и поддержка моделирования устройств для ускорения проверки конструкции.

Наша миссия — сделать композитную подложку LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов основным материалом для оптоэлектронных и полупроводниковых приложений, предлагая комплексную поддержку от НИОКР до массового производства.

Заключение

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов с большим размером пластины, превосходным качеством материала и универсальностью является движущей силой прогресса в области оптической связи, 5G RF и квантовых технологий. Будь то крупносерийное производство или индивидуальные решения, мы поставляем надежные подложки и дополнительные услуги для поддержки технологических инноваций.