Композитная подложка LN-on-Si толщиной 6–8 дюймов, материал Si/SiC/сапфир – 0,3–50 мкм

Композитная подложка LN-on-Si толщиной 6–8 дюймов, материал Si/SiC/сапфир, толщина 0,3–50 мкм. Изображение

Краткое описание:

Композитная подложка LN-on-Si толщиной от 6 до 8 дюймов (15,5 до 20,5 см) представляет собой высокопроизводительный материал, представляющий собой интеграцию тонких монокристаллических плёнок ниобата лития (LN) с кремниевыми (Si) подложками толщиной от 0,3 до 50 мкм. Она разработана для производства современных полупроводниковых и оптоэлектронных устройств. Благодаря передовым методам склеивания или эпитаксиального роста эта подложка обеспечивает высокое качество кристаллической структуры тонкой плёнки LN, используя при этом большой размер кремниевой подложки (от 6 до 8 дюймов) для повышения эффективности производства и снижения затрат.
По сравнению с традиционными объёмными материалами LN, композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов обеспечивает превосходное тепловое согласование и механическую стабильность, что делает её пригодной для крупномасштабной обработки на уровне пластин. Кроме того, для удовлетворения конкретных требований приложений, включая высокочастотные радиочастотные устройства, интегрированную фотонику и МЭМС-датчики, можно выбрать альтернативные базовые материалы, такие как SiC или сапфир.

Написать нам письмо

Функции

Технические параметры

0,3-50 мкм LN/LT на изоляторах
Верхний слой
Диаметр	6-8 дюймов
Ориентация	X, Z, Y-42 и т. д.
Материалы	ЛТ, ЛН
Толщина	0,3-50 мкм
Субстрат (индивидуальный)
Материал	Si, SiC, сапфир, шпинель, кварц

Ключевые особенности

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов отличается уникальными свойствами материала и настраиваемыми параметрами, что обеспечивает ее широкое применение в полупроводниковой и оптоэлектронной промышленности:

1. Совместимость с большими пластинами: размер пластины от 6 до 8 дюймов обеспечивает полную интеграцию с существующими линиями по производству полупроводников (например, КМОП-процессами), снижая производственные затраты и делая возможным массовое производство.

2. Высокое качество кристаллов: оптимизированные эпитаксиальные или связующие методы обеспечивают низкую плотность дефектов в тонкой пленке LN, что делает ее идеальной для высокопроизводительных оптических модуляторов, фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ) и других прецизионных устройств.

3. Регулируемая толщина (0,3–50 мкм): сверхтонкие слои LN (<1 мкм) подходят для интегрированных фотонных чипов, в то время как более толстые слои (10–50 мкм) поддерживают мощные радиочастотные устройства или пьезоэлектрические датчики.

4. Различные варианты подложек: в дополнение к Si в качестве базовых материалов можно выбрать SiC (высокая теплопроводность) или сапфир (высокая изоляция), чтобы удовлетворить требованиям высокочастотных, высокотемпературных или высокомощных применений.

5. Термическая и механическая стабильность: кремниевая подложка обеспечивает надежную механическую поддержку, сводя к минимуму деформацию или растрескивание во время обработки и повышая выход годных устройств.

Благодаря этим характеристикам композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов является предпочтительным материалом для таких передовых технологий, как связь 5G, LiDAR и квантовая оптика.

Основные области применения

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов широко применяется в высокотехнологичных отраслях промышленности благодаря своим исключительным электрооптическим, пьезоэлектрическим и акустическим свойствам:

1. Оптическая связь и интегрированная фотоника: позволяет создавать высокоскоростные электрооптические модуляторы, волноводы и фотонные интегральные схемы (ФИС), удовлетворяя потребности центров обработки данных и оптоволоконных сетей в пропускной способности.

Радиочастотные устройства 2.5G/6G: Высокий пьезоэлектрический коэффициент LN делает его идеальным для фильтров поверхностных акустических волн (SAW) и объемных акустических волн (BAW), улучшая обработку сигналов на базовых станциях 5G и мобильных устройствах.

3. МЭМС и датчики: Пьезоэлектрический эффект LN-on-Si позволяет создавать высокочувствительные акселерометры, биодатчики и ультразвуковые преобразователи для медицинских и промышленных применений.

4.Квантовые технологии: тонкие пленки LN, являясь нелинейным оптически материалом, используются в квантовых источниках света (например, запутанные пары фотонов) и интегрированных квантовых чипах.

5.Лазеры и нелинейная оптика: Сверхтонкие слои LN позволяют создавать эффективные устройства генерации второй гармоники (SHG) и оптических параметрических колебаний (OPO) для лазерной обработки и спектроскопического анализа.

Стандартизированная композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов позволяет изготавливать эти устройства на крупномасштабных заводах по производству пластин, что значительно снижает производственные затраты.

Настройка и услуги

Мы предоставляем комплексную техническую поддержку и услуги по настройке композитных подложек LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов для удовлетворения различных потребностей в области НИОКР и производства:

1. Изготовление по индивидуальному заказу: толщина пленки LN (0,3–50 мкм), ориентация кристалла (X-срез/Y-срез) и материал подложки (Si/SiC/сапфир) могут быть изменены для оптимизации производительности устройства.

2. Обработка на уровне пластин: оптовая поставка 6-дюймовых и 8-дюймовых пластин, включая такие внутренние услуги, как резка, полировка и нанесение покрытия, гарантирующие готовность подложек к интеграции устройств.

3.Техническая консультация и тестирование: характеристика материалов (например, рентгеновская дифракция, атомно-силовой микроскоп), тестирование электрооптических характеристик и поддержка моделирования устройств для ускорения проверки конструкции.

Наша миссия заключается в том, чтобы сделать композитную подложку LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов основным материалом для оптоэлектронных и полупроводниковых приложений, предлагая комплексную поддержку от НИОКР до массового производства.

Заключение

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов, отличающаяся большим размером пластины, превосходным качеством материала и универсальностью, является движущей силой развития оптической связи, радиочастотных технологий 5G и квантовых технологий. Мы предлагаем надежные подложки и сопутствующие услуги для внедрения технологических инноваций, будь то крупносерийное производство или индивидуальные решения.