Композитная подложка LN-on-Si размером 6-8 дюймов, толщина 0,3-50 мкм, состав материалов Si/SiC/Sapphire.

Краткое описание:

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов представляет собой высокоэффективный материал, объединяющий тонкие пленки монокристаллического ниобата лития (LN) с кремниевыми (Si) подложками толщиной от 0,3 мкм до 50 мкм. Она предназначена для производства современных полупроводниковых и оптоэлектронных устройств. Благодаря использованию передовых методов соединения или эпитаксиального роста, эта подложка обеспечивает высокое кристаллическое качество тонкой пленки LN, одновременно используя большой размер кремниевой подложки (от 6 до 8 дюймов) для повышения эффективности и экономичности производства.
По сравнению с традиционными объемными материалами на основе ниобата лития (LN), композитная подложка LN-на-кремнии размером от 6 до 8 дюймов обеспечивает превосходное согласование теплового режима и механическую стабильность, что делает ее подходящей для крупномасштабной обработки на уровне пластин. Кроме того, для удовлетворения конкретных требований приложений, включая высокочастотные радиочастотные устройства, интегральные фотонные схемы и MEMS-датчики, могут быть выбраны альтернативные базовые материалы, такие как карбид кремния (SiC) или сапфир.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Технические параметры

0,3-50 мкм LN/LT на изоляторах
Верхний слой
Диаметр	6-8 дюймов
Ориентация	X, Z, Y-42 и т. д.
Материалы	ЛТ, ЛН
Толщина	0,3-50 мкм
Подложка (на заказ)
Материал	Si, SiC, сапфир, шпинель, кварц

Основные характеристики

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов отличается уникальными свойствами материала и возможностью регулирования параметров, что обеспечивает ее широкое применение в полупроводниковой и оптоэлектронной промышленности:

1. Совместимость с большими кремниевыми пластинами: размер пластин от 6 до 8 дюймов обеспечивает бесшовную интеграцию с существующими линиями производства полупроводников (например, CMOS-процессами), снижая производственные затраты и позволяя осуществлять массовое производство.

2. Высокое качество кристаллической структуры: Оптимизированные методы эпитаксиального или связующего нанесения обеспечивают низкую плотность дефектов в тонкой пленке LN, что делает ее идеальной для высокоэффективных оптических модуляторов, фильтров поверхностных акустических волн (ПАВ) и других прецизионных устройств.

3. Регулируемая толщина (0,3–50 мкм): Сверхтонкие слои ниобата лития (<1 мкм) подходят для интегральных фотонных чипов, а более толстые слои (10–50 мкм) используются в мощных радиочастотных устройствах или пьезоэлектрических датчиках.

4. Различные варианты подложек: Помимо кремния, в качестве основных материалов можно выбрать карбид кремния (с высокой теплопроводностью) или сапфир (с высокими изоляционными свойствами) для удовлетворения требований высокочастотных, высокотемпературных или мощных применений.

5. Термическая и механическая стабильность: Кремниевая подложка обеспечивает надежную механическую поддержку, минимизируя деформацию или растрескивание в процессе обработки и повышая выход годных изделий.

Эти характеристики делают композитную подложку LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов предпочтительным материалом для передовых технологий, таких как связь 5G, LiDAR и квантовая оптика.

Основные области применения

Композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов широко используется в высокотехнологичных отраслях промышленности благодаря своим исключительным электрооптическим, пьезоэлектрическим и акустическим свойствам:

1. Оптическая связь и интегрированная фотоника: Обеспечивает высокоскоростные электрооптические модуляторы, волноводы и фотонные интегральные схемы (PIC), удовлетворяя потребности центров обработки данных и волоконно-оптических сетей в пропускной способности.

Радиочастотные устройства 2.5G/6G: Высокий пьезоэлектрический коэффициент ниобия лития делает его идеальным материалом для фильтров поверхностных акустических волн (ПАВ) и объемных акустических волн (ОАВ), повышая эффективность обработки сигналов в базовых станциях 5G и мобильных устройствах.

3. MEMS и датчики: Пьезоэлектрический эффект LN-на-Si позволяет создавать высокочувствительные акселерометры, биосенсоры и ультразвуковые преобразователи для медицинского и промышленного применения.

4. Квантовые технологии: Тонкие пленки ниобата лития (LN), являясь нелинейным оптическим материалом, используются в квантовых источниках света (например, в запутанных парах фотонов) и интегрированных квантовых чипах.

5. Лазеры и нелинейная оптика: Сверхтонкие слои ниобата лития позволяют создавать эффективные устройства генерации второй гармоники (SHG) и оптической параметрической осцилляции (OPO) для лазерной обработки и спектроскопического анализа.

Стандартизированная композитная подложка LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов позволяет производить эти устройства на крупномасштабных кремниевых фабриках, что значительно снижает производственные затраты.

Индивидуальная настройка и услуги

Мы предоставляем комплексную техническую поддержку и услуги по индивидуальной настройке композитных подложек LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов для удовлетворения разнообразных потребностей в исследованиях и разработках и производстве:

1. Изготовление на заказ: Толщина пленки LN (0,3–50 мкм), ориентация кристалла (X-срез/Y-срез) и материал подложки (Si/SiC/сапфир) могут быть подобраны для оптимизации характеристик устройства.

2. Обработка на уровне пластин: Поставка больших партий 6-дюймовых и 8-дюймовых пластин, включая услуги на заключительном этапе, такие как нарезка, полировка и нанесение покрытий, обеспечивающие готовность подложек к интеграции устройств.

3. Технические консультации и тестирование: характеризация материалов (например, рентгеновская дифракция, атомно-силовая микроскопия), тестирование электрооптических характеристик и поддержка моделирования устройств для ускорения проверки конструкции.

Наша миссия — сделать композитную подложку LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов ключевым материалом для оптоэлектронных и полупроводниковых применений, предлагая комплексную поддержку от исследований и разработок до массового производства.

Заключение

Композитные подложки LN-on-Si размером от 6 до 8 дюймов, благодаря большому размеру пластины, превосходному качеству материала и универсальности, способствуют развитию оптической связи, радиочастотных технологий 5G и квантовых технологий. Независимо от того, идет ли речь о крупномасштабном производстве или индивидуальных решениях, мы предлагаем надежные подложки и дополнительные услуги, способствующие технологическим инновациям.