4H/6H-P 6-дюймовая кремниевая пластина SiC, класс Zero MPD, производственный класс, пробный класс
Таблица общих параметров композитных подложек из карбида кремния типа 4H/6H-P
6 Подложка из карбида кремния (SiC) диаметром в дюйм Спецификация
| Оценка | Производство нулевого MPDКласс (Z) Оценка) | Стандартное производствоОценка (P) Оценка) | Оценка фиктивного ученика (D Оценка) | ||
| Диаметр | 145,5 мм~150,0 мм | ||||
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | ||||
| Ориентация пластины | -OffОсь: 2,0°-4,0° в направлении [1120] ± 0,5° для 4H/6H-P, На оси: 〈111〉± 0,5° для 3C-N | ||||
| Плотность микротрубок | 0 см-2 | ||||
| Сопротивление | p-тип 4H/6H-P | ≤0,1 Омꞏсм | ≤0,3 Омꞏсм | ||
| n-тип 3C-N | ≤0,8 мОмꞏсм | ≤1 м Омꞏсм | |||
| Ориентация основной квартиры | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Основная плоская длина | 32,5 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм | ||||
| Вторичная ориентация квартиры | Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0° | ||||
| Исключение края | 3 мм | 6 мм | |||
| LTV/TTV/Bow/Warp | <2,5 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм | <10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм | |||
| Шероховатость | Польское Ra≤1 нм | ||||
| CMP Ra≤0,2 нм | Ra≤0,5 нм | ||||
| Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности. | Никто | Суммарная длина ≤ 10 мм, длина одного образца ≤ 2 мм | |||
| Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности. | Суммарная площадь ≤0,05% | Суммарная площадь ≤0,1% | |||
| Политипные участки при высокой интенсивности света | Никто | Суммарная площадь ≤3% | |||
| Визуальные включения углерода | Суммарная площадь ≤0,05% | Суммарная площадь ≤3% | |||
| Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности. | Никто | Суммарная длина ≤ 1 × диаметр пластины | |||
| Сколы на кромках, вызванные высокой интенсивностью света. | Не допускается использование материалов шириной и глубиной ≥0,2 мм. | Допускается 5, ≤1 мм каждый | |||
| Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным излучением | Никто | ||||
| Упаковка | Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины | ||||
Примечания:
※ Допустимые дефекты распространяются на всю поверхность пластины, за исключением зоны исключения по краям. # Царапины следует проверять на кремниевой поверхности.
6-дюймовые кремниевые пластины SiC типа 4H/6H-P с нулевым уровнем дефектов (Zero MPD) и серийного или контрольного качества широко используются в передовых электронных приложениях. Их превосходная теплопроводность, высокое напряжение пробоя и устойчивость к агрессивным средам делают их идеальными для силовой электроники, например, для высоковольтных переключателей и инверторов. Нулевой уровень дефектов обеспечивает минимальное количество дефектов, что критически важно для высоконадежных устройств. Пластины серийного качества используются в крупномасштабном производстве силовых устройств и радиочастотных приложений, где производительность и точность имеют решающее значение. Пластины контрольного качества, с другой стороны, используются для калибровки процессов, тестирования оборудования и прототипирования, обеспечивая стабильный контроль качества в условиях полупроводникового производства.
К преимуществам композитных подложек из N-типа SiC относятся:
- Высокая теплопроводностьКремниевая пластина 4H/6H-P SiC эффективно рассеивает тепло, что делает ее пригодной для применения в высокотемпературной и мощной электронике.
- Высокое напряжение пробояБлагодаря своей способности выдерживать высокие напряжения без сбоев, он идеально подходит для силовой электроники и высоковольтных коммутационных приложений.
- Нулевой уровень дефектов микротруб (MPD).Минимальная плотность дефектов обеспечивает более высокую надежность и производительность, что крайне важно для требовательных электронных устройств.
- Производственный класс для массового производстваПодходит для крупномасштабного производства высокопроизводительных полупроводниковых устройств, соответствующих строгим стандартам качества.
- Образец для тестирования и калибровкиПозволяет оптимизировать процессы, тестировать оборудование и создавать прототипы без использования дорогостоящих кремниевых пластин производственного класса.
В целом, 6-дюймовые кремниевые пластины SiC 4H/6H-P с нулевым уровнем дефектов (Zero MPD), серийного и контрольного качества (dummy grade) предлагают значительные преимущества для разработки высокопроизводительных электронных устройств. Эти пластины особенно полезны в приложениях, требующих работы при высоких температурах, высокой удельной мощности и эффективного преобразования энергии. Нулевой уровень дефектов обеспечивает минимальное количество дефектов для надежной и стабильной работы устройства, в то время как пластины серийного качества поддерживают крупномасштабное производство со строгим контролем качества. Пластины контрольного качества представляют собой экономически эффективное решение для оптимизации процесса и калибровки оборудования, что делает их незаменимыми для высокоточного производства полупроводников.
Подробная схема
