4-дюймовые кремниевые пластины SiC, полуизолирующие подложки SiC 6H, базового, исследовательского и демонстрационного качества.

4-дюймовые кремниевые пластины SiC, полуизолирующие подложки SiC 6H, базовый, исследовательский и демонстрационный класс. Изображение на обложке.

Краткое описание:

Полуизолированная подложка из карбида кремния формируется путем резки, шлифовки, полировки, очистки и других технологических процессов после выращивания полуизолированных кристаллов карбида кремния. На подложку выращивается слой или многослойный кристалл, отвечающий требованиям качества, в виде эпитаксии, а затем изготавливается микроволновое радиочастотное устройство путем объединения схемного проектирования и упаковки. Доступны полуизолированные монокристаллические подложки из карбида кремния промышленного, исследовательского и испытательного класса размером 2, 3, 4, 6 и 8 дюймов.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Технические характеристики изделия

Оценка			Производственный класс с нулевым расходом топлива (класс Z)			Стандартный производственный сорт (сорт P)		Контрольная оценка (оценка D)
Диаметр			99,5 мм~100,0 мм
	4H-SI		500 мкм ± 20 мкм			500 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины			Отклонение от оси: 4,0° в направлении <1120> ±0,5° для 4H-N, На оси: <0001> ±0,5° для 4H-SI
	4H-SI		≤1 см^-2			≤5 см^-2		≤15 см^-2
	4H-SI		≥1E9 Ом·см					≥1E5 Ом·см
Ориентация основной квартиры		{10-10} ±5,0°
Основная плоская длина		32,5 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина		18,0 мм±2,0 мм
Вторичная ориентация квартиры		Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоской поверхности ±5,0°
Исключение края		3 мм
LTV/TTV/Bow/Warp		<3 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм						<10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм
Шероховатость			Лицо С				польский		Ra≤1 нм
			Си лицо	CMP	Ra≤0,2 нм					Ra≤0,5 нм
Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности.		Никто						Суммарная длина ≤ 10 мм, одиночный длина≤2 мм
Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности.		Суммарная площадь ≤0,05%						Суммарная площадь ≤0,1%
Политипные участки при высокой интенсивности света		Никто						Суммарная площадь ≤3%
Визуальные включения углерода		Суммарная площадь ≤0,05%						Суммарная площадь ≤3%
Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности.		Никто						Суммарная длина ≤ 1 * диаметр пластины
Сколы на кромках, вызванные высокой интенсивностью света.		Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм.						Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным излучением		Никто
Упаковка		Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины