4-дюймовые пластины SiC. Полуизолирующие подложки SiC 6H основного, исследовательского и стандартного класса.

4-дюймовые пластины SiC. Полуизолирующие подложки SiC 6H основного, исследовательского и макетного класса. Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Полуизолированная подложка из карбида кремния формируется путем резки, шлифования, полировки, очистки и других технологий обработки после роста полуизолированного кристалла карбида кремния. На подложке выращивается слой или многослойный кристаллический слой, отвечающий требованиям качества, предъявляемым к эпитаксии, а затем изготавливается СВЧ-ВЧ-устройство путем объединения схемотехники и упаковки. Доступны полуизолированные монокристаллические подложки из карбида кремния промышленного, исследовательского и испытательного класса размером 2 дюйма, 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Спецификация продукта

Оценка			Уровень производства с нулевым MPD (класс Z)			Стандартный производственный класс (класс P)		Манекен класса (класс D)
Диаметр			99,5 мм~100,0 мм
	4H-SI		500 мкм±20 мкм			500 мкм±25 мкм
Ориентация пластины			Вне оси: 4,0° в сторону < 1120 > ±0,5° для 4H-N, По оси: <0001>±0,5° для 4H-SI
	4H-SI		≤1 см^-2			≤5 см^-2		≤15 см^-2
	4H-SI		≥1E9 Ом·см					≥1E5 Ом·см
Первичная плоская ориентация		{10-10} ±5,0°
Основная плоская длина		32,5 мм±2,0 мм
Вторичная плоская длина		18,0 мм±2,0 мм
Вторичная плоская ориентация		Кремниевая лицевая сторона вверх: 90° по часовой стрелке. от Прайм-флэт ±5,0°
Исключение краев		3 мм
LTV/TTV/Лук/Деформация		<3 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм						<10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм
Шероховатость			Лицо С				Польский		Ra≤1 нм
			Си лицо	КМП	Ра≤0,2 нм					Ra≤0,5 нм
Краевые трещины от света высокой интенсивности		Никто						Совокупная длина ≤ 10 мм, одиночный длина≤2 мм
Шестигранные пластины от света высокой интенсивности		Совокупная площадь ≤0,05%						Совокупная площадь ≤0,1%
Политипные области под воздействием света высокой интенсивности		Никто						Совокупная площадь≤3%
Визуальные включения углерода		Совокупная площадь ≤0,05%						Совокупная площадь ≤3%
Поверхность кремния царапается светом высокой интенсивности		Никто						Совокупная длина≤1＊диаметр пластины
Краевые чипы с высокой интенсивностью света		Не допускается Ширина и глубина ≥0,2 мм						Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью		Никто
Упаковка		Кассета с несколькими пластинами или одиночный контейнер для пластин