4-дюймовые пластины SiC 6H Полуизолирующие подложки SiC для основного, исследовательского и фиктивного классов

4-дюймовые пластины SiC 6H Полуизолирующие подложки SiC для основных, исследовательских и экспериментальных целей. Изображение

Краткое описание:

Полуизолированная подложка из карбида кремния формируется путем резки, шлифовки, полировки, очистки и других технологических процессов после выращивания полуизолированного кристалла карбида кремния. На подложке методом эпитаксии выращивается слой или многослойный кристалл, отвечающий требованиям качества, после чего, объединяя схемотехническую конструкцию и корпус, изготавливается СВЧ-устройство. Доступны промышленные, исследовательские и испытательные полуизолированные подложки из монокристалла карбида кремния размером 2 дюйма, 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов и 8 дюймов.

Написать нам письмо

Функции

Спецификация продукта

Оценка			Нулевой уровень добычи MPD (класс Z)			Стандартный производственный класс (класс P)		Уровень D (уровень D)
Диаметр			99,5 мм~100,0 мм
	4H-SI		500 мкм±20 мкм			500 мкм±25 мкм
Ориентация пластины			Вне оси: 4,0° в направлении < 1120 > ±0,5° для 4H-N, На оси: <0001>±0,5° для 4H-SI
	4H-SI		≤1см^-2			≤5 см^-2		≤15 см^-2
	4H-SI		≥1E9 Ом·см					≥1E5 Ом·см
Первичная плоская ориентация		{10-10} ±5,0°
Длина первичной плоскости		32,5 мм±2,0 мм
Длина вторичной плоскости		18,0 мм±2,0 мм
Вторичная плоская ориентация		Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоскости Prime ±5,0°
Исключение границ		3 мм
LTV/TTV/Бук/Варп		<3 мкм/<5 мкм/<15 мкм/<30 мкм						<10 мкм/<15 мкм/<25 мкм/<40 мкм
Шероховатость			C-образное лицо				польский		Ra≤1 нм
			Лицо Си	КМП	Ra≤0,2 нм					Ra≤0,5 нм
Трещины на краях под воздействием света высокой интенсивности		Никто						Общая длина ≤ 10 мм, одиночная длина≤2 мм
Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света		Кумулятивная площадь ≤0,05%						Кумулятивная площадь ≤0,1%
Политипные области с высокой интенсивностью света		Никто						Кумулятивная площадь≤3%
Визуальные углеродные включения		Кумулятивная площадь ≤0,05%						Кумулятивная площадь ≤3%
Царапины на поверхности кремния под воздействием высокоинтенсивного света		Никто						Суммарная длина ≤1＊диаметр пластины
Edge Chips High By Intensity Light		Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм						допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью		Никто
Упаковка		Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер