3-дюймовые полуизолирующие кремниевые подложки из карбида кремния высокой чистоты (нелегированные) (HPSl)

Краткое описание:

3-дюймовая пластина полуизолирующего карбида кремния высокой чистоты (HPSI) (SiC) представляет собой подложку премиум-класса, оптимизированную для мощных, высокочастотных и оптоэлектронных приложений. Изготовленные из нелегированного высокочистого материала 4H-SiC, эти пластины обладают превосходной теплопроводностью, широкой запрещенной зоной и исключительными полуизолирующими свойствами, что делает их незаменимыми для разработки современных устройств. Обладая превосходной структурной целостностью и качеством поверхности, подложки HPSI SiC служат основой для технологий следующего поколения в силовой электронике, телекоммуникациях и аэрокосмической промышленности, поддерживая инновации в различных областях.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Характеристики

1. Физические и структурные свойства.
●Тип материала: карбид кремния (SiC) высокой чистоты (нелегированный).
●Диаметр: 3 дюйма (76,2 мм).
●Толщина: 0,33–0,5 мм, настраивается в зависимости от требований применения.
●Кристаллическая структура: политип 4H-SiC с гексагональной решеткой, известный высокой подвижностью электронов и термической стабильностью.
●Ориентация:
oСтандарт: [0001] (C-плоскость), подходит для широкого спектра применений.
oДополнительно: внеосевой (наклон 4° или 8°) для улучшенного эпитаксиального роста слоев устройства.
●Плоскостность: общее изменение толщины (TTV). ●Качество поверхности:
oПолировка до oНизкая плотность дефектов (плотность микротрубок <10/см²). 2. Электрические свойства ● Удельное сопротивление: > 109^99 Ом·см, поддерживается за счет исключения преднамеренных примесей.
● Диэлектрическая прочность: устойчивость к высоким напряжениям с минимальными диэлектрическими потерями, идеально подходит для применений с высокой мощностью.
●Теплопроводность: 3,5–4,9 Вт/см·К, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла в высокопроизводительных устройствах.

3. Термические и механические свойства.
● Широкая запрещенная зона: 3,26 эВ, поддержка работы в условиях высокого напряжения, высокой температуры и высокой радиации.
●Твердость: 9 по шкале Мооса, что обеспечивает устойчивость к механическому износу во время обработки.
●Коэффициент теплового расширения: 4,2×10−6/K4,2 \times 10^{-6}/\text{K}4,2×10−6/K, что обеспечивает стабильность размеров при изменениях температуры.

Параметр	Уровень производства	Исследовательский уровень	Фиктивная оценка	Единица
Оценка	Уровень производства	Исследовательский уровень	Фиктивная оценка
Диаметр	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Толщина	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	мкм
Ориентация пластины	По оси: <0001> ± 0,5°	По оси: <0001> ± 2,0°	По оси: <0001> ± 2,0°	степень
Плотность микротрубок (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	см−2^-2−2
Электрическое сопротивление	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ом·см
легирующая примочка	Нелегированный	Нелегированный	Нелегированный
Первичная плоская ориентация	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	степень
Основная плоская длина	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Вторичная плоская длина	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Вторичная плоская ориентация	90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0°	90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0°	90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0°	степень
Исключение краев	3	3	3	mm
LTV/TTV/Лук/Деформация	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5/15/±40/45	мкм
Шероховатость поверхности	Лицо Si: CMP, Лицо C: Полированное	Лицо Si: CMP, Лицо C: Полированное	Лицо Si: CMP, Лицо C: Полированное
Трещины (Свет высокой интенсивности)	Никто	Никто	Никто
Шестигранные пластины (свет высокой интенсивности)	Никто	Никто	Совокупная площадь 10%	%
Политипные области (освещение высокой интенсивности)	Совокупная площадь 5%	Совокупная площадь 20%	Совокупная площадь 30%	%
Царапины (свет высокой интенсивности)	≤ 5 царапин, совокупная длина ≤ 150	≤ 10 царапин, совокупная длина ≤ 200	≤ 10 царапин, совокупная длина ≤ 200	mm
Сколы кромок	Нет Ширина/глубина ≥ 0,5 мм	2 допустимых ширины/глубины ≤ 1 мм	5 допускается ширина/глубина ≤ 5 мм	mm
Загрязнение поверхности	Никто	Никто	Никто

Приложения

1. Силовая электроника
Широкая запрещенная зона и высокая теплопроводность подложек HPSI SiC делают их идеальными для силовых устройств, работающих в экстремальных условиях, таких как:
● Высоковольтные устройства: включая МОП-транзисторы, IGBT и диоды с барьером Шоттки (SBD) для эффективного преобразования энергии.
● Системы возобновляемой энергии: такие как солнечные инверторы и контроллеры ветряных турбин.
●Электрические транспортные средства (EV): используются в инверторах, зарядных устройствах и системах силовых агрегатов для повышения эффективности и уменьшения размеров.

2. Радиочастотные и микроволновые применения
Высокое удельное сопротивление и низкие диэлектрические потери пластин HPSI необходимы для радиочастотных (РЧ) и микроволновых систем, в том числе:
●Телекоммуникационная инфраструктура: базовые станции для сетей 5G и спутниковой связи.
● Аэрокосмическая и оборонная промышленность: радиолокационные системы, антенны с фазированной решеткой и компоненты авионики.

3. Оптоэлектроника
Прозрачность и широкая запрещенная зона 4H-SiC позволяют использовать его в оптоэлектронных устройствах, таких как:
●УФ-фотодетекторы: Для мониторинга окружающей среды и медицинской диагностики.
●Мощные светодиоды: поддержка твердотельных систем освещения.
●Лазерные диоды: Для промышленного и медицинского применения.

4. Исследования и разработки
Подложки HPSI SiC широко используются в академических и промышленных научно-исследовательских лабораториях для изучения передовых свойств материалов и изготовления устройств, в том числе:
● Рост эпитаксиального слоя: исследования по уменьшению дефектов и оптимизации слоев.
●Исследования подвижности носителей: исследование транспорта электронов и дырок в материалах высокой чистоты.
●Прототипирование: начальная разработка новых устройств и схем.

Преимущества

Превосходное качество:
Высокая чистота и низкая плотность дефектов обеспечивают надежную платформу для продвинутых приложений.

Термическая стабильность:
Отличные свойства теплоотвода позволяют устройствам эффективно работать в условиях высокой мощности и температуры.

Широкая совместимость:
Доступные варианты ориентации и индивидуальной толщины обеспечивают адаптируемость к различным требованиям к устройствам.

Долговечность:
Исключительная твердость и структурная стабильность минимизируют износ и деформацию во время обработки и эксплуатации.

Универсальность:
Подходит для широкого спектра отраслей промышленности: от возобновляемых источников энергии до аэрокосмической отрасли и телекоммуникаций.

Заключение

3-дюймовая пластина из полуизолирующего карбида кремния высокой чистоты представляет собой вершину технологии подложек для мощных, высокочастотных и оптоэлектронных устройств. Сочетание превосходных тепловых, электрических и механических свойств обеспечивает надежную работу в сложных условиях. От силовой электроники и радиочастотных систем до оптоэлектроники и передовых исследований и разработок — эти подложки HPSI обеспечивают основу для инноваций завтрашнего дня.
Для получения дополнительной информации или размещения заказа свяжитесь с нами. Наша техническая команда готова предоставить рекомендации и варианты настройки с учетом ваших потребностей.