2-дюймовые пластины карбида кремния 6H или 4H N-типа или полуизолирующие подложки SiC

4H SiC пластина N-типа
Диаметр: 2 дюйма 50,8 мм | 4 дюйма 100 мм | 6 дюймов 150 мм
Ориентация: от оси 4,0˚ к <1120> ± 0,5˚
Удельное сопротивление: < 0,1 Ом·см
Шероховатость: CMP-поверхность Si Ra <0,5 нм, оптическая полировка C-поверхности Ra <1 нм

4H SiC пластина полуизолирующая
Диаметр: 2 дюйма 50,8 мм | 4 дюйма 100 мм | 6 дюймов 150 мм
Ориентация: по оси {0001} ± 0,25˚
Удельное сопротивление: >1E5 Ом·см
Шероховатость: CMP-поверхность Si Ra <0,5 нм, оптическая полировка C-поверхности Ra <1 нм

1. Инфраструктура 5G — электроснабжение связи.
Источник питания связи является энергетической основой для серверов и базовых станций связи. Он обеспечивает электроэнергией различное передающее оборудование для обеспечения нормальной работы системы связи.

2. Зарядная станция новых энергетических транспортных средств — силовой модуль зарядной станции.
Высокая эффективность и большая мощность модуля зарядной сваи могут быть достигнуты за счет использования карбида кремния в модуле зарядной сваи, что позволяет повысить скорость зарядки и снизить стоимость зарядки.

3. Большой центр обработки данных, промышленный Интернет — электропитание серверов.
Блок питания сервера представляет собой энергетическую библиотеку сервера. Сервер обеспечивает электропитание для обеспечения нормальной работы серверной системы. Использование компонентов из карбида кремния в блоке питания сервера позволяет повысить плотность мощности и эффективность питания сервера, уменьшить объём центра обработки данных в целом, снизить общую стоимость строительства центра обработки данных и повысить экологическую эффективность.

4. Uhv - Применение гибких передающих автоматических выключателей постоянного тока.

5. Междугородние высокоскоростные железнодорожные перевозки и междугородний железнодорожный транспорт — тяговые преобразователи, силовые электронные трансформаторы, вспомогательные преобразователи, вспомогательные источники питания.