2 дюйма, 50,8 мм, сапфировая пластина, C-плоскость, M-плоскость, R-плоскость, A-плоскость, толщина 350 мкм, 430 мкм, 500 мкм.

Сапфировая пластина, 2 дюйма, 50,8 мм, плоскость C, плоскость M, плоскость R, плоскость A, толщина 350 мкм 430 мкм 500 мкм Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Сапфир — материал с уникальным сочетанием физических, химических и оптических свойств, которые делают его устойчивым к высоким температурам, тепловым ударам, водной и песчаной эрозии, а также царапинам.

Отправьте нам электронное письмо

Информация о продукте

Теги продукта

Спецификация различных ориентаций

Ориентация	C(0001)-ось		R(1-102)-ось		М(10-10)-ось	А(11-20)-ось
Физическая собственность	Ось C имеет кристальный свет, а другие оси имеют отрицательный свет.Плоскость С плоская, желательно срезанная.		R-плоскость немного сложнее, чем A.		Плоскость М имеет ступенчатые зубцы, ее нелегко резать, ее легко резать.	Твердость плоскости А значительно выше, чем у плоскости С, что проявляется в износостойкости, стойкости к царапанию и высокой твердости;Боковая А-плоскость представляет собой зигзагообразную плоскость, которую легко разрезать;
Приложения	Подложки C-ориентированного сапфира используются для выращивания осажденных пленок III-V и II-VI, таких как нитрид галлия, из которых можно производить синие светодиоды, лазерные диоды и инфракрасные детекторы. Это главным образом связано с тем, что процесс роста кристаллов сапфира вдоль оси C является зрелым, стоимость относительно невелика, физические и химические свойства стабильны, а технология эпитаксии в плоскости C является зрелой и стабильной.		R-ориентированный рост подложек различных напыленных кремниевых экстрасисталлов, используемых в интегральных схемах микроэлектроники. Кроме того, быстродействующие интегральные схемы и датчики давления также могут быть сформированы в процессе производства пленок эпитаксиального роста кремния.Подложка R-типа также может быть использована при производстве свинца, других сверхпроводящих компонентов, резисторов высокого сопротивления, арсенида галлия.		В основном он используется для выращивания неполярных/полуполярных эпитаксиальных пленок GaN для повышения светоотдачи.	Ориентация A по отношению к подложке обеспечивает однородную диэлектрическую проницаемость/среду, а в технологии гибридной микроэлектроники используется высокая степень изоляции.Высокотемпературные сверхпроводники могут быть получены из удлиненных кристаллов на основе А.
Мощность обработки	Сапфировая подложка с узором (PSS): в форме выращивания или травления на сапфировой подложке разрабатываются и изготавливаются специальные наноразмерные узоры регулярной микроструктуры для управления формой светоотдачи светодиода и уменьшения дифференциальных дефектов среди GaN, растущего на сапфировой подложке. , улучшите качество эпитаксии, улучшите внутреннюю квантовую эффективность светодиода и увеличьте эффективность извлечения света. Кроме того, сапфировая призма, зеркало, линза, отверстие, конус и другие детали конструкции могут быть изготовлены по индивидуальному заказу в соответствии с требованиями заказчика.
Декларация о собственности	Плотность	Твердость	температура плавления	Показатель преломления (видимый и инфракрасный)	Пропускание (ЦСП)	Диэлектрическая постоянная
Декларация о собственности	3,98 г/см3	9 (мес)	2053℃	1,762~1,770	≥85%	11,58 при 300 К по оси C (9,4 по оси A)

Подробная схема

авкасвб (1)

авкасвб (2)

авкасвб (3)

Предыдущий: 8-дюймовая пластина ниобата лития LiNbO3 LN пластина

Следующий: 2 дюйма, 50,8 мм, толщина 0,1 мм, 0,2 мм, 0,43 мм, сапфировая пластина, C-плоскость, M-плоскость, R-плоскость, A-плоскость.

Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам

Категории товаров