12-дюймовая подложка SiC, диаметр 300 мм, толщина 750 мкм, тип 4H-N может быть изготовлена по индивидуальному заказу.

12-дюймовая подложка SiC, диаметр 300 мм, толщина 750 мкм, тип 4H-N может быть изготовлен по индивидуальному заказу. Изображение

Краткое описание:

На критическом этапе перехода полупроводниковой промышленности к более эффективным и компактным решениям появление 12-дюймовой подложки SiC (12-дюймовой подложки из карбида кремния) коренным образом изменило ситуацию. По сравнению с традиционными 6- и 8-дюймовыми подложками, преимущество 12-дюймовой подложки в увеличении размера позволяет увеличить количество производимых кристаллов на одной пластине более чем в четыре раза. Кроме того, себестоимость 12-дюймовой подложки SiC снижается на 35–40% по сравнению с традиционными 8-дюймовыми подложками, что имеет решающее значение для широкого внедрения конечных продуктов.
Используя нашу запатентованную технологию роста методом переноса паров, мы добились ведущего в отрасли контроля плотности дислокаций в 12-дюймовых кристаллах, обеспечив исключительную материальную основу для последующего производства устройств. Это достижение особенно важно в условиях нынешнего глобального дефицита микросхем.

Ключевые силовые устройства повседневного применения, такие как станции быстрой зарядки электромобилей и базовые станции 5G, всё чаще используют эту крупногабаритную подложку. 12-дюймовая подложка из SiC демонстрирует значительно более высокую стабильность по сравнению с материалами на основе кремния, особенно в условиях высоких температур, высокого напряжения и других сложных условиях эксплуатации.

Написать нам письмо

Функции

Технические параметры

Спецификация 12-дюймовой подложки из карбида кремния (SiC)
Оценка		Производство ZeroMPD Класс (класс Z)	Стандартное производство Оценка (оценка P)		Оценка манекена (класс D)
Диаметр		3 0 0 мм~1305 мм
Толщина	4H-N	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
	4H-SI	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
Ориентация пластины		Вне оси: 4,0° в направлении <1120 >±0,5° для 4H-N, На оси: <0001>±0,5° для 4H-SI
Плотность микротрубок	4H-N	≤0,4 см-2	≤4см-2		≤25см-2
	4H-SI	≤5см-2	≤10см-2		≤25см-2
Удельное сопротивление	4H-N	0,015~0,024 Ом·см			0,015~0,028 Ом·см
	4H-SI	≥1E10 Ом·см			≥1E5 Ом·см
Первичная плоская ориентация		{10-10} ±5,0°
Длина первичной плоскости	4H-N	Н/Д
	4H-SI	Выемка
Исключение границ		3 мм
LTV/TTV/Бук/Варп		<5 мкм/<15 мкм/<35 мкм/<55 мкм			<5 мкм/<15 мкм/<35 □ мкм/<55 □ мкм
Шероховатость		Полировка Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,2 нм			Ra≤0,5 нм
Трещины на краях под воздействием света высокой интенсивности Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света Политипные области с высокой интенсивностью света Визуальные углеродные включения Царапины на поверхности кремния под воздействием высокоинтенсивного света		Никто Кумулятивная площадь ≤0,05% Никто Кумулятивная площадь ≤0,05% Никто			Общая длина ≤ 20 мм, единичная длина ≤ 2 мм Кумулятивная площадь ≤0,1% Кумулятивная площадь≤3% Кумулятивная площадь ≤3% Суммарная длина ≤1×диаметр пластины
Сколы на краях под воздействием света высокой интенсивности		Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм			допускается 7, ≤1 мм каждый
(TSD) Вывих резьбового винта		≤500 см-2		Н/Д
(БПД) Дислокация базовой плоскости		≤1000 см-2		Н/Д
Загрязнение поверхности кремния светом высокой интенсивности		Никто
Упаковка		Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер
Примечания:
1 Пределы дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. 2Царапины следует проверять только на поверхности Si. 3 Данные о дислокациях получены только из пластин, протравленных KOH.

Ключевые особенности

1. Производственные мощности и преимущества в плане затрат: Массовое производство 12-дюймовых подложек из карбида кремния (SiC) знаменует собой новую эру в производстве полупроводников. Количество кристаллов, получаемых с одной пластины, достигает 2,25 раза по сравнению с 8-дюймовыми подложками, что напрямую способствует повышению эффективности производства. Отзывы клиентов показывают, что внедрение 12-дюймовых подложек снизило затраты на производство силовых модулей на 28%, что обеспечивает решающее конкурентное преимущество на высококонкурентном рынке.
2. Выдающиеся физические свойства: 12-дюймовая подложка SiC унаследовала все преимущества карбида кремния: её теплопроводность в 3 раза выше, чем у кремния, а напряжённость поля пробоя достигает 10 раз выше, чем у кремния. Эти характеристики позволяют устройствам на основе 12-дюймовых подложек стабильно работать в условиях высоких температур, превышающих 200 °C, что делает их особенно подходящими для требовательных приложений, таких как электромобили.
3. Технология обработки поверхности: Мы разработали новый процесс химико-механической полировки (ХМП) специально для 12-дюймовых подложек из SiC, позволяющий добиться плоскостности поверхности на атомном уровне (Ra < 0,15 нм). Это достижение решает международную проблему обработки поверхности пластин карбида кремния большого диаметра, устраняя препятствия для высококачественного эпитаксиального роста.
4. Эффективность терморегулирования: На практике 12-дюймовые подложки SiC демонстрируют замечательные возможности теплоотвода. Тестовые данные показывают, что при одинаковой плотности мощности устройства с 12-дюймовыми подложками работают при температурах на 40–50 °C ниже, чем устройства на основе кремния, что значительно продлевает срок службы оборудования.

Основные области применения

1. Экосистема нового энергетического автомобиля: 12-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) производит революцию в архитектуре силовой установки электромобиля. Повышение эффективности, обеспечиваемое 12-дюймовыми подложками, увеличивает запас хода автомобиля на 5–8%. Согласно отчётам ведущего автопроизводителя, внедрение наших 12-дюймовых подложек снизило потери энергии в системе быстрой зарядки на впечатляющие 62%.
2. Сектор возобновляемой энергетики: На фотоэлектрических электростанциях инверторы на основе 12-дюймовых подложек SiC не только отличаются меньшими габаритами, но и достигают эффективности преобразования, превышающей 99%. Особенно в сценариях распределенной генерации, такая высокая эффективность означает для операторов ежегодную экономию сотен тысяч юаней на потерях электроэнергии.
3. Промышленная автоматизация: преобразователи частоты на 12-дюймовых подложках демонстрируют превосходную производительность в промышленных роботах, станках с ЧПУ и другом оборудовании. Их высокочастотные коммутационные характеристики повышают скорость реакции двигателя на 30%, одновременно снижая уровень электромагнитных помех до одной трети по сравнению с традиционными решениями.
4. Инновации в потребительской электронике: Технологии быстрой зарядки смартфонов нового поколения уже используют 12-дюймовые подложки из карбида кремния. Прогнозируется, что устройства с быстрой зарядкой мощностью свыше 65 Вт полностью перейдут на решения из карбида кремния, при этом 12-дюймовые подложки станут оптимальным выбором по соотношению цены и производительности.

Индивидуальные услуги XKH для 12-дюймовой подложки SiC

Для удовлетворения особых требований к 12-дюймовым подложкам SiC (12-дюймовым подложкам из карбида кремния) компания XKH предлагает комплексную сервисную поддержку:
1.Настройка толщины:
Мы поставляем 12-дюймовые подложки различной толщины, включая 725 мкм, для удовлетворения различных потребностей в области применения.
2.Концентрация легирования：
Наше производство поддерживает несколько типов проводимости, включая подложки n-типа и p-типа, с точным контролем удельного сопротивления в диапазоне 0,01–0,02 Ом·см.
3.Услуги тестирования:
Благодаря наличию полного комплекта испытательного оборудования на уровне пластин мы предоставляем полные отчеты о проверках.
Компания XKH понимает, что у каждого заказчика есть уникальные требования к 12-дюймовым SiC-подложкам. Поэтому мы предлагаем гибкие модели сотрудничества для предоставления наиболее конкурентоспособных решений, будь то:
· Образцы для НИОКР
· Закупки массового производства
Наши индивидуальные услуги гарантируют, что мы сможем удовлетворить ваши особые технические и производственные потребности в 12-дюймовых подложках из SiC.