12-дюймовая подложка SiC Диаметр 300 мм Толщина 750 мкм Тип 4H-N может быть изготовлен по индивидуальному заказу

12-дюймовая подложка SiC Диаметр 300 мм Толщина 750 мкм Тип 4H-N может быть настроен Главное изображение

Краткое описание:

На критическом этапе перехода полупроводниковой промышленности к более эффективным и компактным решениям появление 12-дюймовой подложки SiC (12-дюймовой подложки из карбида кремния) кардинально изменило ситуацию. По сравнению с традиционными 6-дюймовыми и 8-дюймовыми спецификациями преимущество большого размера 12-дюймовой подложки увеличивает количество чипов, производимых на пластине, более чем в четыре раза. Кроме того, себестоимость единицы 12-дюймовой подложки SiC снижается на 35-40% по сравнению с обычными 8-дюймовыми подложками, что имеет решающее значение для широкого внедрения конечных продуктов.
Используя нашу фирменную технологию роста с переносом паров, мы достигли ведущего в отрасли контроля над плотностью дислокаций в 12-дюймовых кристаллах, обеспечив исключительную материальную основу для последующего производства устройств. Это достижение особенно значимо в условиях нынешнего глобального дефицита чипов.

Ключевые силовые устройства в повседневных приложениях, такие как станции быстрой зарядки электромобилей и базовые станции 5G, все чаще используют эту крупногабаритную подложку. Особенно в условиях высоких температур, высокого напряжения и других жестких рабочих условиях 12-дюймовая подложка SiC демонстрирует гораздо более высокую стабильность по сравнению с материалами на основе кремния.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Технические параметры

Технические характеристики 12-дюймовой подложки из карбида кремния (SiC)
Оценка		Производство ZeroMPD Класс (класс Z)	Стандартное производство Оценка (оценка P)		Оценка манекена (класс D)
Диаметр		3 0 0 мм~1305 мм
Толщина	4H-N	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
	4H-SI	750 мкм±15 мкм	750 мкм±25 мкм
Ориентация пластины		Вне оси: 4,0° по направлению к <1120 >±0,5° для 4H-N, На оси: <0001>±0,5° для 4H-SI
Плотность микротрубок	4H-N	≤0,4см-2	≤4см-2		≤25см-2
	4H-SI	≤5см-2	≤10см-2		≤25см-2
Удельное сопротивление	4H-N	0,015~0,024 Ом·см			0,015~0,028 Ом·см
	4H-SI	≥1E10 Ом·см			≥1E5 Ом·см
Первичная плоская ориентация		{10-10} ±5,0°
Длина первичной плоскости	4H-N	Н/Д
	4H-SI	Выемка
Исключение кромки		3 мм
LTV/TTV/Бук/Варп		<5 мкм/<15 мкм/<35 мкм/<55 мкм			<5 мкм/<15 мкм/<35 □ мкм/<55 □ мкм
Шероховатость		Полировка Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,2 нм			Ra≤0,5 нм
Трещины на краях из-за света высокой интенсивности Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света Политипные области с высокой интенсивностью света Визуальные углеродные включения Царапины на поверхности кремния под воздействием света высокой интенсивности		Никто Кумулятивная площадь ≤0,05% Никто Кумулятивная площадь ≤0,05% Никто			Общая длина ≤ 20 мм, единичная длина ≤ 2 мм Кумулятивная площадь ≤0,1% Кумулятивная площадь≤3% Общая площадь ≤3% Суммарная длина ≤1×диаметр пластины
Сколы на краях с помощью света высокой интенсивности		Не допускается ширина и глубина ≥0,2 мм			Допускается 7, ≤1 мм каждое
(TSD) Вывих резьбового винта		≤500 см-2		Н/Д
(БПД) Дислокация базовой плоскости		≤1000 см-2		Н/Д
Загрязнение поверхности кремния светом высокой интенсивности		Никто
Упаковка		Многопластинчатая кассета или однопластинчатый контейнер
Примечания:
1 Пределы дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев. 2Царапины следует проверять только на поверхности Si. 3 Данные по дислокациям получены только на пластинах, протравленных КОН.

Основные характеристики

1.Производственная мощность и преимущества по стоимости: Массовое производство 12-дюймовых подложек SiC (12-дюймовых подложек из карбида кремния) знаменует собой новую эру в производстве полупроводников. Количество чипов, которые можно получить с одной пластины, достигает 2,25 раз больше, чем у 8-дюймовых подложек, что напрямую приводит к скачку в эффективности производства. Отзывы клиентов показывают, что внедрение 12-дюймовых подложек снизило их затраты на производство силовых модулей на 28%, создав решающее конкурентное преимущество на жестко конкурентном рынке.
2. Выдающиеся физические свойства: 12-дюймовая подложка SiC наследует все преимущества материала карбида кремния - ее теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, а ее напряженность поля пробоя достигает 10 раз больше, чем у кремния. Эти характеристики позволяют устройствам на основе 12-дюймовых подложек стабильно работать в высокотемпературных средах, превышающих 200°C, что делает их особенно подходящими для требовательных приложений, таких как электромобили.
3.Технология обработки поверхности: Мы разработали новый процесс химико-механической полировки (CMP) специально для 12-дюймовых подложек SiC, достигая плоскостности поверхности на атомном уровне (Ra<0,15 нм). Этот прорыв решает всемирную проблему обработки поверхности пластин карбида кремния большого диаметра, устраняя препятствия для высококачественного эпитаксиального роста.
4.Характеристики терморегулирования: В практических приложениях 12-дюймовые подложки SiC демонстрируют замечательные возможности рассеивания тепла. Тестовые данные показывают, что при той же плотности мощности устройства, использующие 12-дюймовые подложки, работают при температурах на 40-50°C ниже, чем устройства на основе кремния, что значительно продлевает срок службы оборудования.

Основные приложения

1. Экосистема нового энергетического автомобиля: 12-дюймовая подложка SiC (12-дюймовая подложка из карбида кремния) производит революцию в архитектуре силовой установки электромобиля. От бортовых зарядных устройств (OBC) до главных инверторов привода и систем управления аккумулятором, повышение эффективности, обеспечиваемое 12-дюймовыми подложками, увеличивает запас хода автомобиля на 5-8%. Отчеты ведущего автопроизводителя показывают, что внедрение наших 12-дюймовых подложек сократило потери энергии в их системе быстрой зарядки на впечатляющие 62%.
2. Сектор возобновляемой энергии: На фотоэлектрических электростанциях инверторы на основе 12-дюймовых подложек SiC не только отличаются меньшими форм-факторами, но и достигают эффективности преобразования, превышающей 99%. Особенно в сценариях распределенной генерации эта высокая эффективность означает ежегодную экономию сотен тысяч юаней на потерях электроэнергии для операторов.
3. Промышленная автоматизация: преобразователи частоты, использующие 12-дюймовые подложки, демонстрируют превосходную производительность в промышленных роботах, станках с ЧПУ и другом оборудовании. Их высокочастотные коммутационные характеристики повышают скорость реакции двигателя на 30%, одновременно снижая электромагнитные помехи до одной трети от обычных решений.
4.Инновации в области потребительской электроники: Технологии быстрой зарядки смартфонов следующего поколения начали использовать 12-дюймовые подложки SiC. Прогнозируется, что продукты быстрой зарядки мощностью свыше 65 Вт полностью перейдут на решения из карбида кремния, а 12-дюймовые подложки станут оптимальным выбором по соотношению цены и производительности.

Индивидуальные услуги XKH для 12-дюймовой подложки SiC

Для удовлетворения особых требований к 12-дюймовым подложкам SiC (12-дюймовым подложкам из карбида кремния) компания XKH предлагает комплексную сервисную поддержку:
1.Настройка толщины:
Мы поставляем 12-дюймовые подложки различной толщины, включая 725 мкм, для удовлетворения различных потребностей в области применения.
2.Концентрация допинга：
Наше производство поддерживает несколько типов проводимости, включая подложки n-типа и p-типа, с точным контролем удельного сопротивления в диапазоне 0,01–0,02 Ом·см.
3.Услуги тестирования:
Благодаря наличию полного спектра испытательного оборудования на уровне пластин мы предоставляем полные отчеты о проверке.
XKH понимает, что у каждого клиента есть уникальные требования к 12-дюймовым подложкам SiC. Поэтому мы предлагаем гибкие модели делового сотрудничества для предоставления наиболее конкурентоспособных решений, будь то для:
· Образцы НИОКР
· Закупки массового производства
Наши индивидуальные услуги гарантируют, что мы сможем удовлетворить ваши особые технические и производственные потребности в 12-дюймовых подложках SiC.