100 мм 4-дюймовая пластина GaN на сапфировой эпитаксиальной пластине с эпитаксиальным слоем нитрида галлия

(1) Высокотемпературная сушка: сапфировая подложка сначала нагревается до 1050 ℃ в атмосфере водорода, цель – очистить поверхность подложки;

(2) Когда температура подложки падает до 510 ℃, на поверхность сапфировой подложки наносится низкотемпературный буферный слой GaN/AlN толщиной 30 нм;

(3) Повышение температуры до 10 ℃, впрыскивание реакционного газа аммиака, триметилгаллия и силана, соответственно, контроль соответствующей скорости потока, и выращивание легированного кремнием GaN N-типа толщиной 4 мкм;

(4) Реакционный газ триметилалюминия и триметилгаллия использовался для приготовления легированных кремнием континентов N-типа A⒑ толщиной 0,15 мкм;

(5) InGaN, легированный Zn, размером 50 нм, получали путем впрыскивания триметилгаллия, триметилиндия, диэтилцинка и аммиака при температуре 800℃ и регулирования различных скоростей потока соответственно;

(6) Температуру повысили до 1020 ℃, ввели триметилалюминий, триметилгаллий и бис (циклопентадиенил) магний для получения 0,15 мкм легированного Mg AlGaN P-типа и 0,5 мкм легированного Mg P-типа G глюкозы в крови;

(7) Высококачественная пленка GaN Sibuyan P-типа была получена путем отжига в атмосфере азота при 700 ℃;

(8) Травление на стазисной поверхности G-типа P для выявления статической поверхности G-типа N;

(9) Испарение контактных пластин Ni/Au на поверхность p-GaNI, испарение контактных пластин △/Al на поверхность ll-GaN для формирования электродов.