100 мм 4-дюймовая пластина GaN на сапфировом эпитаксиальном слое, пластина из нитрида галлия

(1) Высокотемпературная сушка: сапфировая подложка сначала нагревается до 1050 ℃ в атмосфере водорода, цель — очистить поверхность подложки;

(2) Когда температура подложки падает до 510 ℃, на поверхность сапфировой подложки осаждается низкотемпературный буферный слой GaN/AlN толщиной 30 нм;

(3) Температура повышается до 10 ℃, впрыскиваются реакционные газы аммиак, триметилгаллий и силан, соответственно регулируется соответствующая скорость потока, и выращивается легированный кремнием N-типа GaN толщиной 4 мкм;

(4) Реакционный газ триметилалюминия и триметилгаллия использовался для приготовления легированных кремнием континентов N-типа A⒑ толщиной 0,15 мкм;

(5) 50 нм легированный цинком InGaN был приготовлен путем впрыскивания триметилгаллия, триметилиндия, диэтилцинка и аммиака при температуре 800℃ и регулирования различных скоростей потока соответственно;

(6) Температура была увеличена до 1020 ℃, триметилалюминий, триметилгаллий и бис(циклопентадиенил)магний были введены для приготовления 0,15 мкм Mg легированного AlGaN P-типа и 0,5 мкм Mg легированного глюкозы крови P-типа G;

(7) Высококачественная пленка Sibuyan GaN P-типа была получена путем отжига в атмосфере азота при 700 ℃;

(8) Травление поверхности стаза G P-типа для выявления поверхности стаза G N-типа;

(9) Испарение контактных пластин Ni/Au на поверхность p-GaNI, испарение контактных пластин △/Al на поверхность ll-GaN для формирования электродов.