Субстрат
-
Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-полу 6H-полу 4H-P 6H-P 3C тип 2 дюйма 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов
-
Слиток сапфира 3 дюйма 4 дюйма 6 дюймов Монокристалл CZ KY метод Настраиваемый
-
2-дюймовая подложка из карбида кремния Sic 6H-N Тип 0,33 мм 0,43 мм двухсторонняя полировка Высокая теплопроводность Низкое энергопотребление
-
GaAs высокомощная эпитаксиальная пластина подложка пластина арсенида галлия мощность лазера длина волны 905 нм для лазерной медицинской терапии
-
Эпитаксиальная пластина лазера GaAs 4 дюйма 6 дюймов VCSEL вертикальный резонатор поверхностный лазер излучения длина волны 940 нм один переход
-
2-дюймовый, 3-дюймовый, 4-дюймовый эпитаксиальный InP-пластинчатый детектор света APD для волоконно-оптической связи или LiDAR
-
Кольцо с сапфиром из синтетического сапфирового материала Прозрачное и персонализированное Твердость по шкале Мооса 9
-
Сапфировая призма Сапфировая линза Высокая прозрачность Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Материал Оптический прибор
-
сапфировое кольцо, полностью изготовленное из сапфира, прозрачный сапфировый материал, изготовленный в лаборатории
-
Слиток сапфира диаметром 4 дюйма × 80 мм Монокристаллический Al2O3 99,999% Монокристалл
-
Подложка SiC 3 дюйма толщиной 350 мкм, тип HPSI, класс Prime, макет класса
-
Слиток карбида кремния SiC 6 дюймов N-типа, толщина макета/первоклассного сорта может быть изготовлена по индивидуальному заказу