Лодка из кремниевой карбидной (SiC) пластины

Краткое описание:

Лодочка для кремниевых пластин (SiC) — это носитель для полупроводниковых технологических процессов, изготовленный из высокочистого материала SiC, предназначенный для удержания и транспортировки пластин во время критически важных высокотемпературных процессов, таких как эпитаксия, окисление, диффузия и отжиг.


Функции

Подробная схема

1_副本
2_副本

Обзор кварцевого стекла

Лодочка для кремниевых пластин (SiC) — это носитель для полупроводниковых технологических процессов, изготовленный из высокочистого материала SiC, предназначенный для удержания и транспортировки пластин во время критически важных высокотемпературных процессов, таких как эпитаксия, окисление, диффузия и отжиг.

В связи с быстрым развитием силовых полупроводников и устройств с широкой запрещенной зоной, традиционные кварцевые лодочки сталкиваются с такими ограничениями, как деформация при высоких температурах, сильное загрязнение частицами и короткий срок службы. Ложочки из кремниево-карбидных пластин, обладающие превосходной термической стабильностью, низким уровнем загрязнения и увеличенным сроком службы, все чаще заменяют кварцевые лодочки и становятся предпочтительным выбором в производстве устройств на основе карбида кремния.

Основные характеристики

1. Материальные преимущества

  • Изготовлено из высокочистого карбида кремния свысокая твердость и прочность.

  • Температура плавления выше 2700 °C, что значительно выше, чем у кварца, обеспечивая долговременную стабильность в экстремальных условиях.

2. Тепловые свойства

  • Высокая теплопроводность обеспечивает быструю и равномерную передачу тепла, минимизируя напряжение в подложке.

  • Коэффициент теплового расширения (КТР) точно соответствует КТР подложек из карбида кремния, что уменьшает деформацию и растрескивание пластин.

3. Химическая стабильность

  • Стабилен при высоких температурах и в различных атмосферах (H₂, N₂, Ar, NH₃ и др.).

  • Превосходная стойкость к окислению, предотвращающая разложение и образование частиц.

4. Производительность процесса

  • Гладкая и плотная поверхность уменьшает осыпание частиц и загрязнение.

  • Сохраняет стабильность размеров и несущую способность после длительного использования.

5. Экономическая эффективность

  • В 3–5 раз больший срок службы, чем у лодок с кварцевыми корпусами.

  • Снижение частоты технического обслуживания, сокращение времени простоя и затрат на замену.

Приложения

  • Эпитаксия SiC: Поддержка подложек из карбида кремния размером 4, 6 и 8 дюймов во время высокотемпературного эпитаксиального роста.

  • Изготовление силовых устройствИдеально подходит для SiC MOSFET, диодов Шоттки (SBD), IGBT и других устройств.

  • Термическая обработкаПроцессы отжига, азотирования и карбонизации.

  • Окисление и диффузияСтабильная платформа для поддержки кремниевых пластин при высокотемпературном окислении и диффузии.

Технические характеристики

Элемент Спецификация
Материал Высокочистый карбид кремния (SiC)
Размер вафли 4 дюйма / 6 дюймов / 8 дюймов (с возможностью индивидуальной настройки)
Максимальная рабочая температура. ≤ 1800°C
Коэффициент теплового расширения (КТР) 4,2 × 10⁻⁶ /K (близко к SiC подложке)
Теплопроводность 120–200 Вт/м·К
Шероховатость поверхности Ra < 0,2 мкм
Параллелизм ±0,1 мм
Служба жизни В 3 раза длиннее кварцевых лодок

 

Сравнение: кварцевая лодка против лодки из карбида кремния

Измерение Кварцевая лодка Лодка SiC
Термостойкость ≤ 1200 °C, деформация при высокой температуре. ≤ 1800 °C, термостабильный
CTE Match с SiC Большое несоответствие, риск повреждения пластины. Точное соответствие, снижает растрескивание пластин.
Загрязнение частицами Высокая концентрация примесей. Низкая, гладкая и плотная поверхность
Служба жизни Короткая, частая замена Длительный срок службы, в 3–5 раз больше обычного.
Подходящий процесс Традиционная эпитаксия кремния Оптимизировано для эпитаксии SiC и силовых устройств.

 

Часто задаваемые вопросы – Лодки из кремниевых карбидных (SiC) пластин

1. Что такое лодочка из кремниевой пластины (SiC)?

Лодочка для кремниевых пластин из карбида кремния (SiC) — это носитель для полупроводниковых технологических процессов, изготовленный из высокочистого карбида кремния. Она используется для удержания и транспортировки пластин во время высокотемпературных процессов, таких как эпитаксия, окисление, диффузия и отжиг. По сравнению с традиционными кварцевыми лодочками, лодочки из SiC обладают превосходной термической стабильностью, меньшим загрязнением и более длительным сроком службы.


2. Почему стоит выбрать лодочки из кремниевых пластин вместо кварцевых?

  • Повышенная термостойкостьСтабильна при температуре до 1800°C по сравнению с кварцем (≤1200°C).

  • Более подходящий вариант для ХТЭ: Расположен в непосредственной близости от подложек из карбида кремния, что минимизирует напряжение и растрескивание пластины.

  • Более низкое образование частицГладкая, плотная поверхность снижает загрязнение.

  • Более длительный срок службыВ 3–5 раз дольше, чем лодки из кварца, что снижает эксплуатационные расходы.


3. Какие размеры кремниевых пластин могут поддерживаться в лотках для кремниевых пластин из карбида кремния?

Мы предлагаем стандартные проекты для4-дюймовые, 6-дюймовые и 8-дюймовыевафли, с возможностью полной индивидуализации в соответствии с потребностями заказчика.


4. В каких процессах обычно используются лодочки из кремниевых пластин?

  • Эпитаксиальный рост SiC

  • Производство силовых полупроводниковых приборов (SiC MOSFET, SBD, IGBT)

  • Высокотемпературный отжиг, азотирование и карбонизация

  • Процессы окисления и диффузии

О нас

Компания XKH специализируется на высокотехнологичной разработке, производстве и продаже специального оптического стекла и новых кристаллических материалов. Наша продукция используется в оптической электронике, бытовой электронике и военной промышленности. Мы предлагаем сапфировые оптические компоненты, защитные крышки для объективов мобильных телефонов, керамику, LT, карбид кремния (SIC), кварц и полупроводниковые кристаллические пластины. Благодаря высококвалифицированным специалистам и современному оборудованию мы преуспеваем в обработке нестандартной продукции, стремясь стать ведущим высокотехнологичным предприятием в области оптоэлектронных материалов.

456789

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.