Монокристаллическая подложка из карбида кремния (SiC) – пластина 10×10 мм

Краткое описание:

Подложка из монокристаллического карбида кремния (SiC) размером 10×10 мм представляет собой высокоэффективный полупроводниковый материал, разработанный для силовой электроники и оптоэлектронных приложений следующего поколения. Обладая исключительной теплопроводностью, широкой запрещенной зоной и превосходной химической стабильностью, подложки из SiC обеспечивают основу для устройств, эффективно работающих в условиях высоких температур, высоких частот и высоких напряжений. Эти подложки точно нарезаются на квадратные чипы размером 10×10 мм, идеально подходящие для исследований, прототипирования и изготовления устройств.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Подробная схема подложки из карбида кремния (SiC).

Обзор подложки из карбида кремния (SiC).

ОнПодложка из монокристаллического карбида кремния (SiC) размером 10×10 мм.Карбид кремния (SiC) — высокоэффективный полупроводниковый материал, разработанный для силовой электроники и оптоэлектронных приложений следующего поколения. Обладая исключительной теплопроводностью, широкой запрещенной зоной и превосходной химической стабильностью, подложки из карбида кремния (SiC) обеспечивают основу для устройств, эффективно работающих в условиях высоких температур, высоких частот и высоких напряжений. Эти подложки точно вырезаны.Квадратные чипы размером 10×10 ммИдеально подходит для исследований, создания прототипов и изготовления устройств.

Принцип производства кремниево-карбидных (SiC) подложек

Подложки из карбида кремния (SiC) изготавливаются с помощью методов физического парофазного роста (PVT) или сублимационного роста. Процесс начинается с загрузки высокочистого порошка SiC в графитовый тигель. При экстремальных температурах, превышающих 2000 °C, и в контролируемой среде порошок сублимируется в пар и повторно осаждается на тщательно ориентированном затравочном кристалле, образуя большой монокристаллический слиток с минимальным количеством дефектов.

После выращивания слитка SiC он подвергается следующим процессам:

Нарезка слитков: Высокоточные алмазные проволочные пилы разрезают слиток карбида кремния на пластины или стружку.

Притирка и шлифовка: Поверхности выравниваются для удаления следов от пилы и достижения равномерной толщины.

Химико-механическая полировка (ХМП): обеспечивает зеркальную поверхность, готовую к эпитаксии, с чрезвычайно низкой шероховатостью.

Дополнительное легирование: для изменения электрических свойств (n-тип или p-тип) можно использовать легирование азотом, алюминием или бором.

Контроль качества: Передовые методы метрологии гарантируют, что плоскостность пластины, однородность толщины и плотность дефектов соответствуют строгим требованиям полупроводникового класса.

В результате этого многоступенчатого процесса получаются прочные кремниевые пластины размером 10×10 мм на подложке из карбида кремния (SiC), готовые к эпитаксиальному выращиванию или непосредственному изготовлению устройств.

Материальные характеристики подложки из карбида кремния (SiC).

Кремниевые подложки из карбида кремния (SiC) в основном изготавливаются из4H-SiC or 6H-SiCполитипы:

4H-SiC:Обладает высокой подвижностью электронов, что делает его идеальным материалом для силовых устройств, таких как MOSFET-транзисторы и диоды Шоттки.
6H-SiC:Обладает уникальными свойствами для радиочастотных и оптоэлектронных компонентов.

Основные физические свойства подложки из карбида кремния (SiC):

Широкая запрещенная зона:~3,26 эВ (4H-SiC) – обеспечивает высокое напряжение пробоя и низкие потери при переключении.
Теплопроводность:3–4,9 Вт/см·К – эффективно рассеивает тепло, обеспечивая стабильность в мощных системах.
Твердость:~9,2 по шкале Мооса – обеспечивает механическую прочность в процессе обработки и эксплуатации устройства.

Применение подложек из карбида кремния (SiC)

Универсальность кремнийкарбидных (SiC) подложек делает их ценными во многих отраслях промышленности:

Силовая электроника: основа для MOSFET, IGBT и диодов Шоттки, используемых в электромобилях, промышленных источниках питания и инверторах для возобновляемой энергии.

Радиочастотные и микроволновые устройства: Поддержка транзисторов, усилителей и радиолокационных компонентов для сетей 5G, спутниковой связи и оборонной промышленности.

Оптоэлектроника: используется в УФ-светодиодах, фотодетекторах и лазерных диодах, где критически важны высокая прозрачность и стабильность в УФ-диапазоне.

Аэрокосмическая и оборонная промышленность: надежная подложка для высокотемпературной, радиационно-стойкой электроники.

Научно-исследовательские учреждения и университеты: Идеально подходит для исследований в области материаловедения, разработки прототипов устройств и тестирования новых эпитаксиальных процессов.

Технические характеристики кремниево-карбидных (SiC) подложек для микросхем

Свойство	Ценить
Размер	квадрат 10 мм × 10 мм
Толщина	330–500 мкм (настраиваемый размер)
Политип	4H-SiC или 6H-SiC
Ориентация	Плоскость C, внеосевая (0°/4°)
Отделка поверхности	Односторонняя или двусторонняя полировка; возможность нанесения эпилятора.
Варианты допинга	N-типа или P-типа
Оценка	Научно-исследовательский класс или класс для медицинских устройств

Часто задаваемые вопросы о кремниево-карбидных (SiC) подложках

В1: Чем подложка из карбида кремния (SiC) превосходит традиционные кремниевые подложки?
Карбид кремния (SiC) обладает в 10 раз большей напряженностью пробоя, превосходной термостойкостью и меньшими потерями при переключении, что делает его идеальным материалом для высокоэффективных и мощных устройств, которые невозможно создать на основе кремния.

В2: Можно ли поставлять кремниевые подложки из карбида кремния (SiC) размером 10×10 мм с эпитаксиальными слоями?
Да. Мы предоставляем подложки, готовые к эпитаксиальному осаждению, и можем поставлять пластины с индивидуально подобранными эпитаксиальными слоями для удовлетворения конкретных потребностей в производстве силовых устройств или светодиодов.

В3: Доступны ли индивидуальные размеры и уровни допинга?
Безусловно. Хотя чипы размером 10×10 мм являются стандартными для исследовательских целей и изготовления образцов устройств, по запросу доступны чипы нестандартных размеров, толщины и профилей легирования.

Вопрос 4: Насколько долговечны эти пластины в экстремальных условиях?
Карбид кремния сохраняет структурную целостность и электрические характеристики при температурах выше 600°C и высоком уровне радиации, что делает его идеальным материалом для аэрокосмической и военной электроники.

О нас

Компания XKH специализируется на высокотехнологичной разработке, производстве и продаже специального оптического стекла и новых кристаллических материалов. Наша продукция используется в оптической электронике, бытовой электронике и военной промышленности. Мы предлагаем сапфировые оптические компоненты, защитные крышки для объективов мобильных телефонов, керамику, LT, карбид кремния (SIC), кварц и полупроводниковые кристаллические пластины. Благодаря высококвалифицированным специалистам и современному оборудованию мы преуспеваем в обработке нестандартной продукции, стремясь стать ведущим высокотехнологичным предприятием в области оптоэлектронных материалов.