Слиток карбида кремния SiC 6 дюймов N-типа, толщина макета/первоклассного сорта может быть изготовлена по индивидуальному заказу

Слиток карбида кремния SiC толщиной 6 дюймов типа N, толщина заготовки/основного сорта может быть изготовлена по индивидуальному заказу. Изображение

Краткое описание:

Карбид кремния (SiC) — широкозонный полупроводниковый материал, набирающий популярность в различных отраслях промышленности благодаря своим превосходным электрическим, термическим и механическим свойствам. Слиток SiC толщиной 6 дюймов (15,5 см) в исполнении Dummy/Prime N-типа специально разработан для производства современных полупроводниковых приборов, в том числе для высокочастотных и мощных устройств. Благодаря возможности индивидуального подбора толщины и точным характеристикам этот слиток SiC представляет собой идеальное решение для разработки устройств, используемых в электромобилях, промышленных энергосистемах, телекоммуникациях и других высокопроизводительных отраслях. Устойчивость SiC к высоким напряжениям, температурам и высоким частотам обеспечивает длительную, эффективную и надежную работу в различных областях применения.
Слиток SiC доступен в размере 6 дюймов, диаметром 150,25 мм ± 0,25 мм и толщиной более 10 мм, что делает его идеальным для резки пластин. Этот продукт обеспечивает чёткую ориентацию поверхности 4° к направлению <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокую точность изготовления устройств. Кроме того, слиток имеет первичную плоскую ориентацию <1-100> ± 5°, что способствует оптимальному выравниванию кристаллов и повышению производительности обработки.
Благодаря высокому сопротивлению в диапазоне 0,015–0,0285 Ом·см, низкой плотности микротрубок <0,5 и превосходному качеству кромок этот слиток SiC подходит для производства силовых устройств, требующих минимального количества дефектов и высокой производительности в экстремальных условиях.

Напишите нам письмо

Функции

Характеристики

Класс: Производственный класс (пустышка/премиум)
Размер: диаметр 6 дюймов
Диаметр: 150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина: >10 мм (толщина может быть изменена по запросу)
Ориентация поверхности: 4° по направлению <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокое качество кристалла и точное выравнивание при изготовлении устройств.
Первичная плоская ориентация: <1-100> ± 5°, ключевая характеристика для эффективной нарезки слитка на пластины и оптимального роста кристаллов.
Длина первичной плоской части: 47,5 мм ± 1,5 мм, разработана для удобства использования и точной резки.
Удельное сопротивление: 0,015–0,0285 Ом·см, идеально подходит для применения в высокоэффективных силовых устройствах.
Плотность микротрубок: <0,5, что обеспечивает минимальное количество дефектов, которые могут повлиять на производительность изготовленных устройств.
BPD (плотность питтингов бора): <2000, низкое значение, указывающее на высокую чистоту кристалла и низкую плотность дефектов.
TSD (плотность дислокаций резьбового винта): <500, что обеспечивает отличную целостность материала для высокопроизводительных устройств.
Политипные области: отсутствуют — слиток не имеет политипных дефектов, что обеспечивает превосходное качество материала для высокотехнологичных применений.
Отступы на кромке: <3, шириной и глубиной 1 мм, гарантируют минимальное повреждение поверхности и сохраняют целостность слитка для эффективной резки пластин.
Трещины на кромках: 3, <1 мм каждая, с низкой вероятностью повреждения кромок, что обеспечивает безопасное обращение и дальнейшую переработку.
Упаковка: Футляр для пластин – слиток SiC надежно упакован в футляр для пластин, что обеспечивает безопасную транспортировку и обработку.

Приложения

Силовая электроника:6-дюймовые слитки SiC широко используются в производстве силовых электронных устройств, таких как МОП-транзисторы, БТИЗ и диоды, которые являются важнейшими компонентами систем преобразования энергии. Эти устройства широко применяются в инверторах электромобилей, промышленных приводах двигателей, источниках питания и системах накопления энергии. Способность SiC работать при высоких напряжениях, высоких частотах и экстремальных температурах делает его идеальным для приложений, в которых традиционные кремниевые (Si) устройства неэффективны.

Электромобили (ЭМ):В электромобилях компоненты на основе SiC играют ключевую роль в разработке силовых модулей инверторов, DC/DC-преобразователей и бортовых зарядных устройств. Высокая теплопроводность SiC позволяет снизить тепловыделение и повысить эффективность преобразования энергии, что крайне важно для повышения производительности и запаса хода электромобилей. Кроме того, компоненты на основе SiC позволяют создавать более компактные, лёгкие и надёжные компоненты, что способствует повышению общей производительности электромобилей.

Системы возобновляемой энергии:Слитки SiC являются важнейшим материалом для разработки устройств преобразования энергии, используемых в системах возобновляемой энергетики, включая солнечные инверторы, ветровые турбины и системы накопления энергии. Высокая мощность и эффективное терморегулирование SiC обеспечивают более высокую эффективность преобразования энергии и повышенную надежность этих систем. Его использование в возобновляемой энергетике способствует глобальным усилиям по достижению энергетической устойчивости.

Телекоммуникации:6-дюймовый слиток SiC также подходит для производства компонентов, используемых в мощных радиочастотных устройствах. К ним относятся усилители, генераторы и фильтры, используемые в телекоммуникационных и спутниковых системах связи. Способность SiC выдерживать высокие частоты и высокую мощность делает его превосходным материалом для телекоммуникационных устройств, требующих высокой производительности и минимальных потерь сигнала.

Аэрокосмическая промышленность и оборона:Высокое пробивное напряжение и устойчивость к высоким температурам делают SiC идеальным материалом для применения в аэрокосмической и оборонной промышленности. Компоненты из слитков SiC используются в радиолокационных системах, системах спутниковой связи и силовой электронике для самолётов и космических аппаратов. Материалы на основе SiC позволяют аэрокосмическим системам работать в экстремальных условиях, возникающих в космосе и на большой высоте.

Промышленная автоматизация:В промышленной автоматизации компоненты SiC используются в датчиках, приводах и системах управления, которые должны работать в суровых условиях. Устройства на основе SiC используются в оборудовании, которому требуются эффективные, долговечные компоненты, способные выдерживать высокие температуры и электрические напряжения.

Таблица спецификаций продукта

Свойство	Спецификация
Оценка	Производство (фиктивный/основной)
Размер	6-дюймовый
Диаметр	150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина	>10 мм (настраиваемый)
Ориентация поверхности	4° в сторону <11-20> ± 0,2°
Первичная плоская ориентация	<1-100> ± 5°
Длина первичной плоскости	47,5 мм ± 1,5 мм
Удельное сопротивление	0,015–0,0285 Ом·см
Плотность микротрубок	<0,5
Плотность питтинга бора (BPD)	<2000
Плотность дислокаций резьбового винта (TSD)	<500
Политипные области	Никто
Отступы по краям	<3, 1 мм шириной и глубиной
Трещины на краях	3, <1мм/шт.
Упаковка	Вафельный корпус

Заключение

6-дюймовый слиток SiC N-типа Dummy/Prime – это материал премиум-класса, отвечающий строгим требованиям полупроводниковой промышленности. Высокая теплопроводность, исключительное удельное сопротивление и низкая плотность дефектов делают его отличным выбором для производства современных силовых электронных устройств, автомобильных компонентов, телекоммуникационных систем и систем возобновляемой энергетики. Возможность индивидуального подбора толщины и точности позволяет адаптировать этот слиток SiC к широкому спектру применений, обеспечивая высокую производительность и надежность в сложных условиях. Для получения дополнительной информации или размещения заказа свяжитесь с нашим отделом продаж.