Слиток карбида кремния SiC 6 дюймов N-типа, толщина макета/первоклассного сорта может быть изготовлена по индивидуальному заказу

Краткое описание:

Карбид кремния (SiC) — широкозонный полупроводниковый материал, который набирает популярность в различных отраслях промышленности благодаря своим превосходным электрическим, термическим и механическим свойствам. Слиток SiC в 6-дюймовом N-типе Dummy/Prime сорте специально разработан для производства современных полупроводниковых приборов, включая высокомощные и высокочастотные приложения. Благодаря настраиваемым параметрам толщины и точным характеристикам этот слиток SiC представляет собой идеальное решение для разработки устройств, используемых в электромобилях, промышленных энергосистемах, телекоммуникациях и других высокопроизводительных секторах. Надежность SiC в условиях высокого напряжения, высокой температуры и высокой частоты обеспечивает длительную, эффективную и надежную работу в различных приложениях.
Слиток SiC доступен в размере 6 дюймов, диаметром 150,25 мм ± 0,25 мм и толщиной более 10 мм, что делает его идеальным для резки пластин. Этот продукт обеспечивает четко определенную ориентацию поверхности 4° по направлению к <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокую точность изготовления устройств. Кроме того, слиток имеет первичную плоскую ориентацию <1-100> ± 5°, что способствует оптимальному выравниванию кристаллов и производительности обработки.
Благодаря высокому удельному сопротивлению в диапазоне 0,015–0,0285 Ом·см, низкой плотности микротрубок <0,5 и превосходному качеству кромок этот слиток SiC подходит для производства силовых устройств, требующих минимального количества дефектов и высокой производительности в экстремальных условиях.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Характеристики

Класс: Производственный класс (пустышка/премиум)
Размер: диаметр 6 дюймов
Диаметр: 150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина: >10 мм (возможна индивидуальная толщина по запросу)
Ориентация поверхности: 4° по направлению <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокое качество кристаллов и точное выравнивание при изготовлении устройств.
Первичная плоская ориентация: <1-100> ± 5°, ключевая характеристика для эффективной нарезки слитка на пластины и оптимального роста кристаллов.
Длина первичной плоской части: 47,5 мм ± 1,5 мм, обеспечивает удобство использования и точность резки.
Удельное сопротивление: 0,015–0,0285 Ом·см, идеально подходит для применения в высокоэффективных силовых устройствах.
Плотность микротрубок: <0,5, что обеспечивает минимальное количество дефектов, которые могут повлиять на производительность изготовленных устройств.
BPD (плотность питтингов бора): <2000, низкое значение, указывающее на высокую чистоту кристалла и низкую плотность дефектов.
TSD (плотность дислокаций резьбового винта): <500, что обеспечивает отличную целостность материала для высокопроизводительных устройств.
Политипные области: отсутствуют — слиток не имеет политипных дефектов, что обеспечивает превосходное качество материала для высокотехнологичных применений.
Краевые отступы: <3, шириной и глубиной 1 мм, что обеспечивает минимальное повреждение поверхности и сохраняет целостность слитка для эффективной резки пластин.
Трещины на кромках: 3, <1 мм каждая, с низкой вероятностью повреждения кромок, что обеспечивает безопасное обращение и дальнейшую обработку.
Упаковка: футляр для пластин – слиток SiC надежно упакован в футляр для пластин, что обеспечивает безопасную транспортировку и обработку.

Приложения

Силовая электроника:6-дюймовый слиток SiC широко используется в производстве силовых электронных устройств, таких как MOSFET, IGBT и диоды, которые являются важными компонентами в системах преобразования энергии. Эти устройства широко используются в инверторах электромобилей (EV), промышленных приводах двигателей, источниках питания и системах хранения энергии. Способность SiC работать при высоких напряжениях, высоких частотах и экстремальных температурах делает его идеальным для приложений, где традиционные кремниевые (Si) устройства не могут эффективно работать.

Электромобили (ЭМ):В электромобилях компоненты на основе SiC имеют решающее значение для разработки силовых модулей в инверторах, DC-DC-преобразователях и бортовых зарядных устройствах. Превосходная теплопроводность SiC позволяет снизить тепловыделение и повысить эффективность преобразования энергии, что имеет решающее значение для повышения производительности и дальности хода электромобилей. Кроме того, устройства SiC позволяют создавать более мелкие, легкие и надежные компоненты, способствуя общей производительности систем электромобилей.

Системы возобновляемой энергии:Слитки SiC являются важным материалом при разработке устройств преобразования энергии, используемых в системах возобновляемой энергии, включая солнечные инверторы, ветровые турбины и решения по хранению энергии. Высокие возможности обработки мощности и эффективное управление температурой SiC позволяют повысить эффективность преобразования энергии и надежность этих систем. Его использование в возобновляемой энергетике помогает направлять глобальные усилия в сторону энергетической устойчивости.

Телекоммуникации:6-дюймовый слиток SiC также подходит для производства компонентов, используемых в мощных радиочастотных (РЧ) приложениях. К ним относятся усилители, генераторы и фильтры, используемые в телекоммуникациях и спутниковых системах связи. Способность SiC выдерживать высокие частоты и высокую мощность делает его превосходным материалом для телекоммуникационных устройств, которым требуется надежная работа и минимальная потеря сигнала.

Аэрокосмическая промышленность и оборона:Высокое пробивное напряжение и устойчивость SiC к высоким температурам делают его идеальным для применения в аэрокосмической и оборонной промышленности. Компоненты, изготовленные из слитков SiC, используются в радиолокационных системах, спутниковой связи и силовой электронике для самолетов и космических кораблей. Материалы на основе SiC позволяют аэрокосмическим системам работать в экстремальных условиях, встречающихся в космосе и на большой высоте.

Промышленная автоматизация:В промышленной автоматизации компоненты SiC используются в датчиках, приводах и системах управления, которые должны работать в суровых условиях. Устройства на основе SiC используются в оборудовании, которому требуются эффективные, долговечные компоненты, способные выдерживать высокие температуры и электрические напряжения.

Таблица спецификаций продукта

Свойство	Спецификация
Оценка	Производство (пустышка/основа)
Размер	6-дюймовый
Диаметр	150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина	>10 мм (настраиваемый)
Ориентация поверхности	4° в сторону <11-20> ± 0,2°
Первичная плоская ориентация	<1-100> ± 5°
Длина первичной плоскости	47,5 мм ± 1,5 мм
Удельное сопротивление	0,015–0,0285 Ом·см
Плотность микротрубок	<0,5
Плотность питтинга бора (BPD)	<2000
Плотность дислокаций резьбового винта (TSD)	<500
Политипные области	Никто
Отступы по краям	<3, 1 мм ширина и глубина
Трещины на краях	3, <1мм/шт.
Упаковка	Вафельный корпус

Заключение

6-дюймовый слиток SiC – N-type Dummy/Prime grade – это высококачественный материал, отвечающий строгим требованиям полупроводниковой промышленности. Его высокая теплопроводность, исключительное удельное сопротивление и низкая плотность дефектов делают его отличным выбором для производства современных силовых электронных устройств, автомобильных компонентов, телекоммуникационных систем и систем возобновляемой энергии. Настраиваемые характеристики толщины и точности гарантируют, что этот слиток SiC может быть адаптирован к широкому спектру применений, обеспечивая высокую производительность и надежность в сложных условиях. Для получения дополнительной информации или для размещения заказа свяжитесь с нашим отделом продаж.