Слиток карбида кремния SiC, 6 дюймов, тип N, толщина манекена/высшего класса, может быть настроена по индивидуальному заказу.

Краткое описание:

Карбид кремния (SiC) — это полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, который набирает популярность во многих отраслях промышленности благодаря своим превосходным электрическим, термическим и механическим свойствам. Слиток SiC диаметром 6 дюймов N-типа Dummy/Prime специально разработан для производства современных полупроводниковых приборов, в том числе мощных и высокочастотных. Благодаря настраиваемым параметрам толщины и точным характеристикам этот слиток SiC представляет собой идеальное решение для разработки устройств, используемых в электромобилях, промышленных энергосистемах, телекоммуникациях и других высокопроизводительных секторах. Надежность SiC в условиях высокого напряжения, высоких температур и высоких частот обеспечивает длительную, эффективную и надежную работу в различных приложениях.
Слиток SiC доступен в размере 6 дюймов, диаметром 150,25 мм ± 0,25 мм и толщиной более 10 мм, что делает его идеальным для нарезки пластин. Этот продукт обеспечивает четко выраженную ориентацию поверхности от 4° до <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокую точность изготовления устройств. Кроме того, слиток имеет основную плоскую ориентацию <1-100> ± 5°, что способствует оптимальному выравниванию кристаллов и производительности обработки.
Обладая высоким удельным сопротивлением в диапазоне 0,015–0,0285 Ом·см, низкой плотностью микротрубок <0,5 и отличным качеством кромки, этот слиток SiC подходит для производства силовых устройств, требующих минимального количества дефектов и высокой производительности в экстремальных условиях.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Характеристики

Оценка: Производственная (Dummy/Prime)
Размер: диаметр 6 дюймов
Диаметр: 150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина: > 10 мм (настраиваемая толщина доступна по запросу)
Ориентация поверхности: 4° в направлении <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокое качество кристалла и точное выравнивание при изготовлении устройства.
Первичная плоская ориентация: <1-100> ± 5°, ключевая особенность для эффективной резки слитка на пластины и оптимального роста кристаллов.
Основная плоская длина: 47,5 мм ± 1,5 мм, предназначена для простоты обращения и точной резки.
Удельное сопротивление: 0,015–0,0285 Ом·см, идеально подходит для применения в высокоэффективных силовых устройствах.
Плотность микротрубок: <0,5, что обеспечивает минимальные дефекты, которые могут повлиять на работу изготовленных устройств.
BPD (Плотность борной точечной коррозии): <2000, низкое значение, указывающее на высокую кристаллическую чистоту и низкую плотность дефектов.
TSD (Плотность смещения резьбовых винтов): <500, что обеспечивает превосходную целостность материала для высокопроизводительных устройств.
Области политипа: нет – слиток не имеет политипных дефектов, что обеспечивает превосходное качество материала для высокотехнологичных применений.
Отступы по краям: <3, ширина и глубина 1 мм, что обеспечивает минимальное повреждение поверхности и сохранение целостности слитка для эффективной резки пластины.
Краевые трещины: 3, <1 мм каждая, с низким уровнем повреждения кромок, что обеспечивает безопасное обращение и дальнейшую обработку.
Упаковка: Вафельный корпус – слиток SiC надежно упакован в вафельный корпус, обеспечивающий безопасную транспортировку и обращение.

Приложения

Силовая электроника:6-дюймовый слиток SiC широко используется в производстве силовых электронных устройств, таких как МОП-транзисторы, IGBT и диоды, которые являются важными компонентами систем преобразования энергии. Эти устройства широко используются в инверторах электромобилей (EV), промышленных приводах двигателей, источниках питания и системах хранения энергии. Способность SiC работать при высоких напряжениях, высоких частотах и экстремальных температурах делает его идеальным для приложений, в которых традиционные кремниевые (Si) устройства не могут эффективно работать.

Электромобили (EV):В электромобилях компоненты на основе SiC имеют решающее значение для разработки силовых модулей инверторов, преобразователей постоянного тока и бортовых зарядных устройств. Превосходная теплопроводность карбида кремния позволяет снизить выделение тепла и повысить эффективность преобразования энергии, что жизненно важно для повышения производительности и увеличения запаса хода электромобилей. Кроме того, устройства SiC позволяют использовать компоненты меньшего размера, легче и надежнее, что способствует повышению общей производительности систем электромобилей.

Возобновляемые энергетические системы:Слитки SiC являются важным материалом при разработке устройств преобразования энергии, используемых в системах возобновляемых источников энергии, включая солнечные инверторы, ветряные турбины и решения для хранения энергии. Высокие возможности SiC по управлению энергопотреблением и эффективное управление температурным режимом обеспечивают более высокую эффективность преобразования энергии и повышенную надежность в этих системах. Его использование в возобновляемых источниках энергии помогает стимулировать глобальные усилия по обеспечению энергетической устойчивости.

Телекоммуникации:6-дюймовый слиток SiC также подходит для производства компонентов, используемых в мощных радиочастотных приложениях. К ним относятся усилители, генераторы и фильтры, используемые в системах телекоммуникаций и спутниковой связи. Способность SiC работать с высокими частотами и высокой мощностью делает его отличным материалом для телекоммуникационных устройств, которым требуется надежная работа и минимальные потери сигнала.

Аэрокосмическая промышленность и оборона:Высокое напряжение пробоя и устойчивость карбида кремния к высоким температурам делают его идеальным для применения в аэрокосмической и оборонной промышленности. Компоненты, изготовленные из слитков SiC, используются в радиолокационных системах, спутниковой связи и силовой электронике для самолетов и космических аппаратов. Материалы на основе SiC позволяют аэрокосмическим системам работать в экстремальных условиях космоса и на больших высотах.

Промышленная автоматизация:В промышленной автоматизации компоненты SiC используются в датчиках, исполнительных механизмах и системах управления, которые должны работать в суровых условиях. Устройства на основе SiC используются в оборудовании, требующем эффективных и долговечных компонентов, способных выдерживать высокие температуры и электрические нагрузки.

Таблица технических характеристик продукта

Свойство	Спецификация
Оценка	Производство (Дамми/Прайм)
Размер	6-дюймовый
Диаметр	150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина	>10 мм (настраиваемый)
Ориентация поверхности	4° в сторону <11-20> ± 0,2°
Первичная плоская ориентация	<1-100> ± 5°
Основная плоская длина	47,5 мм ± 1,5 мм
Удельное сопротивление	0,015–0,0285 Ом·см
Плотность микротрубок	<0,5
Плотность борной питтинговой коррозии (BPD)	<2000 г.
Плотность дислокации резьбонарезного винта (TSD)	<500
Политипные области	Никто
Краевые отступы	<3,1 мм ширина и глубина
Краевые трещины	3, <1 мм/шт.
Упаковка	Вафельный корпус

Заключение

6-дюймовый слиток SiC — класс N-типа Dummy/Prime — это материал премиум-класса, отвечающий строгим требованиям полупроводниковой промышленности. Его высокая теплопроводность, исключительное удельное сопротивление и низкая плотность дефектов делают его отличным выбором для производства современных силовых электронных устройств, автомобильных компонентов, телекоммуникационных систем и систем возобновляемых источников энергии. Настраиваемая толщина и характеристики точности гарантируют, что этот слиток SiC можно адаптировать для широкого спектра применений, обеспечивая высокую производительность и надежность в сложных условиях. Для получения дополнительной информации или размещения заказа свяжитесь с нашим отделом продаж.