Слиток карбида кремния (SiC) 6 дюймов, тип N, пробный/основной, толщина может быть изменена по индивидуальному заказу.

Краткое описание:

Карбид кремния (SiC) — это широкозонный полупроводниковый материал, который благодаря своим превосходным электрическим, тепловым и механическим свойствам набирает все большую популярность в различных отраслях промышленности. Слиток SiC 6-дюймового N-типа (типа Dummy/Prime) специально разработан для производства современных полупроводниковых устройств, включая мощные и высокочастотные приложения. Благодаря возможности выбора толщины и точным техническим характеристикам, этот слиток SiC является идеальным решением для разработки устройств, используемых в электромобилях, промышленных энергетических системах, телекоммуникациях и других высокопроизводительных отраслях. Устойчивость SiC к высоким напряжениям, высоким температурам и высоким частотам обеспечивает длительную, эффективную и надежную работу в различных областях применения.
Слиток SiC выпускается в размере 6 дюймов, диаметром 150,25 мм ± 0,25 мм и толщиной более 10 мм, что делает его идеальным для нарезки пластин. Этот продукт обеспечивает четко определенную ориентацию поверхности 4° в направлении <11-20> ± 0,2°, гарантируя высокую точность при изготовлении устройств. Кроме того, слиток имеет основную плоскую ориентацию <1-100> ± 5°, что способствует оптимальному выравниванию кристаллов и производительности обработки.
Благодаря высокому удельному сопротивлению в диапазоне 0,015–0,0285 Ом·см, низкой плотности микротрубок (<0,5) и превосходному качеству кромок, этот слиток SiC подходит для производства силовых устройств, требующих минимального количества дефектов и высокой производительности в экстремальных условиях.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Характеристики

Класс: Производственный класс (макет/основной)
Размер: диаметр 6 дюймов.
Диаметр: 150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина: >10 мм (по запросу возможна индивидуальная толщина)
Ориентация поверхности: 4° в направлении <11-20> ± 0,2°, что обеспечивает высокое качество кристалла и точное выравнивание для изготовления устройств.
Первичная плоская ориентация: <1-100> ± 5°, ключевая особенность для эффективной нарезки слитка на пластины и для оптимального роста кристаллов.
Длина основной плоской части: 47,5 мм ± 1,5 мм, разработана для удобства обращения и точной резки.
Удельное сопротивление: 0,015–0,0285 Ом·см, идеально подходит для применения в высокоэффективных силовых устройствах.
Плотность микротрубок: <0,5, что обеспечивает минимальное количество дефектов, которые могут повлиять на характеристики изготовленных устройств.
BPD (плотность бороновой питтинговой коррозии): <2000, низкое значение, указывающее на высокую чистоту кристалла и низкую плотность дефектов.
Плотность дислокаций резьбового винта (TSD): <500, что обеспечивает превосходную целостность материала для высокопроизводительных устройств.
Полиморфные зоны: Отсутствуют – слиток не содержит полиморфных дефектов, что обеспечивает превосходное качество материала для высокотехнологичных применений.
Вмятины по краям: <3, шириной и глубиной 1 мм, что обеспечивает минимальное повреждение поверхности и сохранение целостности слитка для эффективной нарезки пластины.
Трещины по краям: 3, каждая <1 мм, с низкой вероятностью повреждения кромок, что обеспечивает безопасное обращение и дальнейшую обработку.
Упаковка: Корпус для пластин – слиток SiC надежно упакован в корпус для пластин, что обеспечивает безопасную транспортировку и обращение.

Приложения

Силовая электроника:6-дюймовый слиток SiC широко используется в производстве силовых электронных устройств, таких как MOSFET, IGBT и диоды, которые являются важными компонентами в системах преобразования энергии. Эти устройства широко применяются в инверторах электромобилей, промышленных приводах двигателей, источниках питания и системах хранения энергии. Способность SiC работать при высоких напряжениях, высоких частотах и экстремальных температурах делает его идеальным для применений, где традиционные кремниевые (Si) устройства с трудом справляются со своей задачей.

Электромобили (EV):В электромобилях компоненты на основе карбида кремния (SiC) играют решающую роль в разработке силовых модулей для инверторов, преобразователей постоянного тока и бортовых зарядных устройств. Превосходная теплопроводность SiC позволяет снизить тепловыделение и повысить эффективность преобразования энергии, что крайне важно для повышения производительности и запаса хода электромобилей. Кроме того, устройства на основе SiC позволяют создавать более компактные, легкие и надежные компоненты, что способствует повышению общей производительности систем электромобилей.

Возобновляемые энергетические системы:Слитки карбида кремния (SiC) являются важнейшим материалом при разработке устройств преобразования энергии, используемых в системах возобновляемой энергетики, включая солнечные инверторы, ветротурбины и системы хранения энергии. Высокая мощность, которую может выдерживать SiC, и эффективное теплоотведение позволяют повысить эффективность преобразования энергии и надежность этих систем. Его использование в возобновляемой энергетике способствует глобальным усилиям по обеспечению энергетической устойчивости.

Телекоммуникации:Слиток SiC диаметром 6 дюймов также подходит для производства компонентов, используемых в мощных радиочастотных (РЧ) приложениях. К ним относятся усилители, генераторы и фильтры, используемые в телекоммуникационных и спутниковых системах связи. Способность SiC выдерживать высокие частоты и большую мощность делает его превосходным материалом для телекоммуникационных устройств, требующих надежной работы и минимальных потерь сигнала.

Аэрокосмическая и оборонная промышленность:Высокое напряжение пробоя и устойчивость к высоким температурам делают карбид кремния идеальным материалом для применения в аэрокосмической и оборонной отраслях. Компоненты, изготовленные из слитков карбида кремния, используются в радиолокационных системах, спутниковой связи и силовой электронике для самолетов и космических аппаратов. Материалы на основе карбида кремния позволяют аэрокосмическим системам работать в экстремальных условиях, встречающихся в космосе и на больших высотах.

Промышленная автоматизация:В промышленной автоматизации компоненты из карбида кремния используются в датчиках, исполнительных механизмах и системах управления, которые должны работать в суровых условиях. Устройства на основе карбида кремния применяются в оборудовании, требующем эффективных и долговечных компонентов, способных выдерживать высокие температуры и электрические нагрузки.

Таблица технических характеристик изделия

Свойство	Спецификация
Оценка	Производство (макет/основной)
Размер	6 дюймов
Диаметр	150,25 мм ± 0,25 мм
Толщина	>10 мм (настраиваемый)
Ориентация поверхности	4° в направлении <11-20> ± 0,2°
Ориентация основной квартиры	<1-100> ± 5°
Основная плоская длина	47,5 мм ± 1,5 мм
Сопротивление	0,015–0,0285 Ом·см
Плотность микротрубок	<0,5
Плотность боратной точечной коррозии (BPD)	<2000
Плотность дислокаций резьбового винта (TSD)	<500
Политипные области	Никто
Вмятины на краях	<3, ширина и глубина 1 мм
Трещины по краям	3, <1 мм/шт.
Упаковка	корпус вафли

Заключение

6-дюймовый слиток SiC – N-типа (типа Dummy/Prime) – это высококачественный материал, отвечающий строгим требованиям полупроводниковой промышленности. Высокая теплопроводность, исключительное удельное сопротивление и низкая плотность дефектов делают его отличным выбором для производства современных силовых электронных устройств, автомобильных компонентов, телекоммуникационных систем и систем возобновляемой энергии. Регулируемая толщина и точные характеристики позволяют адаптировать этот слиток SiC к широкому спектру применений, обеспечивая высокую производительность и надежность в сложных условиях. Для получения дополнительной информации или размещения заказа, пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж.