4H-N HPSI SiC пластина 6H-N 6H-P 3C-N SiC эпитаксиальная пластина для МОП или SBD

Свойства и области применения эпитаксиальных пластин типа SiC 4H-N

Свойства эпитаксиальной пластины типа SiC 4H-N:

Состав материала:

SiC (карбид кремния): Известный своей исключительной твердостью, высокой теплопроводностью и превосходными электрическими свойствами, SiC идеально подходит для высокопроизводительных электронных устройств.
Политип 4H-SiC: Политип 4H-SiC известен своей высокой эффективностью и стабильностью в электронных приложениях.
Легирование N-типа: Легирование N-типа (легирование азотом) обеспечивает превосходную подвижность электронов, что делает SiC пригодным для высокочастотных и мощных приложений.

Высокая теплопроводность:

Пластины SiC обладают превосходной теплопроводностью, обычно в диапазоне от120–200 Вт/м·К, что позволяет им эффективно управлять теплом в мощных устройствах, таких как транзисторы и диоды.

Широкая запрещенная зона:

С шириной запрещенной зоны3,26 эВ4H-SiC может работать при более высоких напряжениях, частотах и температурах по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния, что делает его идеальным для высокоэффективных, высокопроизводительных приложений.

Электрические свойства:

Высокая подвижность электронов и проводимость SiC делают его идеальным длясиловая электроника, обеспечивая высокую скорость переключения и высокую способность выдерживать большие токи и напряжения, что приводит к созданию более эффективных систем управления электропитанием.

Механическая и химическая стойкость:

SiC является одним из самых твердых материалов, уступая только алмазу, и обладает высокой устойчивостью к окислению и коррозии, что делает его долговечным в суровых условиях.

Применение эпитаксиальных пластин типа SiC 4H-N:

Силовая электроника:

Эпикристаллические пластины типа SiC 4H-N широко используются всиловые МОП-транзисторы, IGBT-транзисторы, идиодыдляпреобразование мощностив таких системах, каксолнечные инверторы, электромобили, исистемы хранения энергии, предлагая повышенную производительность и энергоэффективность.

Электромобили (ЭМ):

In силовые агрегаты электромобилей, контроллеры двигателей, изарядные станцииПластины SiC помогают достичь более высокой эффективности аккумулятора, более быстрой зарядки и улучшения общих энергетических показателей благодаря их способности выдерживать высокую мощность и температуру.

Системы возобновляемой энергии:

Солнечные инверторы: Пластины SiC используются всолнечные энергетические системыдля преобразования постоянного тока от солнечных панелей в переменный, повышая общую эффективность и производительность системы.
Ветряные турбины: Технология SiC используется всистемы управления ветряными турбинами, оптимизируя эффективность генерации и преобразования электроэнергии.

Аэрокосмическая промышленность и оборона:

Пластины SiC идеально подходят для использования ваэрокосмическая электроникаивоенные применения, включаярадиолокационные системыиспутниковая электроника, где решающее значение имеют высокая радиационная стойкость и термостабильность.

Высокотемпературные и высокочастотные применения:

Пластины SiC превосходны ввысокотемпературная электроника, используется вавиационные двигатели, космический корабль, ипромышленные системы отопления, поскольку они сохраняют производительность в условиях экстремальных температур. Кроме того, их широкая запрещенная зона позволяет использовать их ввысокочастотные приложениянравитьсяРЧ-устройстваимикроволновая связь.