Печь для выращивания кристаллов SiC. Выращивание слитков SiC. Метод выращивания PTV Lely TSSG LPE. 4 дюйма, 6 дюймов, 8 дюймов.
Основные методы выращивания кристаллов и их характеристики
(1) Физический метод переноса паров (PTV)
Принцип: При высоких температурах исходный материал SiC сублимируется в газовую фазу, которая затем перекристаллизовывается на затравочном кристалле.
Основные характеристики:
Высокая температура роста (2000-2500°С).
Можно выращивать высококачественные кристаллы 4H-SiC и 6H-SiC большого размера.
Темпы роста медленные, но качество кристаллов высокое.
Применение: в основном используется в силовых полупроводниках, СВЧ-устройствах и других высокотехнологичных областях.
(2) Метод Лели
Принцип: Кристаллы выращиваются путем спонтанной сублимации и перекристаллизации порошков SiC при высоких температурах.
Основные характеристики:
Процесс выращивания не требует использования семян, а размер кристаллов невелик.
Качество кристаллов высокое, но эффективность выращивания низкая.
Подходит для лабораторных исследований и мелкосерийного производства.
Применение: В основном используется в научных исследованиях и получении кристаллов SiC небольшого размера.
(3) Метод выращивания с использованием раствора верхнего затравочного материала (TSSG)
Принцип: В высокотемпературном растворе сырье SiC растворяется и кристаллизуется на затравочном кристалле.
Основные характеристики:
Температура роста низкая (1500-1800°С).
Можно выращивать высококачественные кристаллы SiC с низким содержанием дефектов.
Скорость роста медленная, но однородность кристаллов хорошая.
Применение: Подходит для изготовления высококачественных кристаллов SiC, например, для оптоэлектронных приборов.
(4) Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ)
Принцип: В жидкометаллическом растворе эпитаксиальный рост исходного материала SiC на подложке.
Основные характеристики:
Температура роста низкая (1000-1500°С).
Высокая скорость роста, подходит для выращивания в пленке.
Качество кристаллов высокое, но толщина ограничена.
Применение: В основном используется для эпитаксиального роста пленок SiC, таких как датчики и оптоэлектронные устройства.
Основные направления применения печи из кристалла карбида кремния
Печь для кристаллов SiC является основным оборудованием для получения кристаллов SiC, и ее основные области применения включают в себя:
Производство силовых полупроводниковых приборов: используется для выращивания высококачественных кристаллов 4H-SiC и 6H-SiC в качестве материалов подложек для силовых приборов (таких как МОП-транзисторы, диоды).
Области применения: электромобили, фотоэлектрические преобразователи, промышленные источники питания и т. д.
Производство СВЧ-устройств: используется для выращивания кристаллов SiC с низким уровнем дефектов в качестве подложек для СВЧ-устройств, отвечающих высокочастотным потребностям связи 5G, радаров и спутниковой связи.
Производство оптоэлектронных приборов: используется для выращивания высококачественных кристаллов SiC в качестве подложечных материалов для светодиодов, ультрафиолетовых детекторов и лазеров.
Научные исследования и мелкосерийное производство: для лабораторных исследований и разработки новых материалов для поддержки инноваций и оптимизации технологии выращивания кристаллов SiC.
Производство высокотемпературных устройств: используется для выращивания устойчивых к высоким температурам кристаллов SiC в качестве базового материала для аэрокосмических и высокотемпературных датчиков.
Оборудование и услуги печей SiC, предоставляемые компанией
Компания XKH специализируется на разработке и производстве оборудования для кристаллических печей SIC, предоставляя следующие услуги:
Оборудование, изготавливаемое по индивидуальному заказу: XKH поставляет ростовые печи, изготавливаемые по индивидуальному заказу, с использованием различных методов роста, таких как PTV и TSSG, в соответствии с требованиями заказчика.
Техническая поддержка: XKH предоставляет клиентам техническую поддержку на протяжении всего процесса: от оптимизации процесса выращивания кристаллов до обслуживания оборудования.
Услуги по обучению: XKH предоставляет клиентам обучение по эксплуатации и техническое руководство для обеспечения эффективной эксплуатации оборудования.
Послепродажное обслуживание: XKH обеспечивает быстрое послепродажное обслуживание и модернизацию оборудования для обеспечения непрерывности производства клиентов.
Технология выращивания кристаллов карбида кремния (например, PTV, Lely, TSSG, LPE) находит важное применение в области силовой электроники, радиочастотных устройств и оптоэлектроники. Компания XKH предоставляет современное оборудование для печей для обработки SiC и полный спектр услуг для поддержки клиентов в крупномасштабном производстве высококачественных кристаллов SiC и развития полупроводниковой промышленности.
Подробная схема
