Печь для выращивания кристаллов SiC Выращивание слитков SiC 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов PTV Lely TSSG Метод выращивания LPE

Краткое описание:

Выращивание кристаллов карбида кремния (SiC) является ключевым этапом в получении высокопроизводительных полупроводниковых материалов. Из-за высокой температуры плавления SiC (около 2700 °C) и сложной политипной структуры (например, 4H-SiC, 6H-SiC) технология выращивания кристаллов имеет высокую степень сложности. В настоящее время основными методами выращивания являются метод физического переноса паров (PTV), метод Lely, метод роста верхнего затравочного раствора (TSSG) и метод жидкофазной эпитаксии (LPE). Каждый метод имеет свои преимущества и недостатки и подходит для различных требований к применению.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Основные методы выращивания кристаллов и их характеристики

(1) Физический метод переноса паров (PTV)
Принцип: При высоких температурах исходный материал SiC сублимируется в газовую фазу, которая затем перекристаллизовывается на затравочном кристалле.
Основные характеристики:
Высокая температура роста (2000-2500°С).
Можно выращивать высококачественные кристаллы 4H-SiC и 6H-SiC большого размера.
Скорость роста медленная, но качество кристаллов высокое.
Применение: в основном используется в силовых полупроводниках, радиочастотных устройствах и других высокотехнологичных областях.

(2) Метод Лели
Принцип: Кристаллы выращиваются путем спонтанной сублимации и перекристаллизации порошков SiC при высоких температурах.
Основные характеристики:
Процесс выращивания не требует затравки, а размер кристаллов невелик.
Качество кристаллов высокое, но эффективность роста низкая.
Подходит для лабораторных исследований и мелкосерийного производства.
Применение: В основном используется в научных исследованиях и получении кристаллов SiC небольшого размера.

(3) Метод выращивания в растворе Top Seed (TSSG)
Принцип: В высокотемпературном растворе сырье SiC растворяется и кристаллизуется на затравочном кристалле.
Основные характеристики:
Температура роста низкая (1500-1800°С).
Можно выращивать высококачественные кристаллы SiC с низким содержанием дефектов.
Скорость роста медленная, но однородность кристаллов хорошая.
Применение: Подходит для изготовления высококачественных кристаллов SiC, например, для оптоэлектронных приборов.

(4) Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ)
Принцип: В жидком металлическом растворе происходит эпитаксиальный рост исходного материала SiC на подложке.
Основные характеристики:
Температура роста низкая (1000-1500°С).
Высокая скорость роста, подходит для выращивания в пленке.
Качество кристаллов высокое, но толщина ограничена.
Применение: В основном используется для эпитаксиального выращивания пленок SiC, таких как датчики и оптоэлектронные устройства.

Основные направления применения печи для кристаллизации карбида кремния

Печь для кристаллизации SiC является основным оборудованием для получения кристаллов SiC, и ее основные области применения включают в себя:
Производство силовых полупроводниковых приборов: используется для выращивания высококачественных кристаллов 4H-SiC и 6H-SiC в качестве материалов подложек для силовых приборов (таких как МОП-транзисторы, диоды).
Области применения: электромобили, фотоэлектрические инверторы, промышленные источники питания и т. д.

Производство радиочастотных устройств: используется для выращивания кристаллов SiC с низким содержанием дефектов в качестве подложек для радиочастотных устройств, отвечающих высокочастотным потребностям связи 5G, радаров и спутниковой связи.

Производство оптоэлектронных приборов: используется для выращивания высококачественных кристаллов SiC в качестве материалов подложек для светодиодов, ультрафиолетовых детекторов и лазеров.

Научные исследования и мелкосерийное производство: для лабораторных исследований и разработки новых материалов для поддержки инноваций и оптимизации технологии выращивания кристаллов SiC.

Производство высокотемпературных устройств: используется для выращивания кристаллов SiC, устойчивых к высоким температурам, в качестве базового материала для аэрокосмических и высокотемпературных датчиков.

Оборудование и услуги печей SiC, предоставляемые компанией

Компания XKH специализируется на разработке и производстве оборудования для кристаллических печей SIC, предоставляя следующие услуги:

Индивидуальное оборудование: XKH поставляет индивидуальные ростовые печи с различными методами роста, такими как PTV и TSSG, в соответствии с требованиями заказчика.

Техническая поддержка: XKH предоставляет клиентам техническую поддержку на протяжении всего процесса, от оптимизации процесса выращивания кристаллов до обслуживания оборудования.

Услуги по обучению: XKH предоставляет клиентам операционное обучение и техническое руководство для обеспечения эффективной эксплуатации оборудования.

Послепродажное обслуживание: XKH обеспечивает быстрое послепродажное обслуживание и модернизацию оборудования для обеспечения непрерывности производства клиентов.

Технология выращивания кристаллов карбида кремния (например, PTV, Lely, TSSG, LPE) имеет важные приложения в области силовой электроники, радиочастотных устройств и оптоэлектроники. XKH предоставляет современное оборудование для печей SiC и полный спектр услуг для поддержки клиентов в крупномасштабном производстве высококачественных кристаллов SiC и содействия развитию полупроводниковой промышленности.