Керамическая пластина/лоток из карбида кремния для держателя пластин размером 4 и 6 дюймов для ИСП

Краткое описание:

Керамическая пластина SiC — это высокопроизводительный компонент, изготовленный из высокочистого карбида кремния, предназначенный для использования в экстремальных термических, химических и механических условиях. Благодаря своей исключительной твёрдости, теплопроводности и коррозионной стойкости, пластина SiC широко используется в качестве носителя пластин, токоприемника или структурного компонента в полупроводниковой, светодиодной, фотоэлектрической и аэрокосмической промышленности.

Написать нам письмо

Функции

Керамическая пластина SiC Аннотация

Обладая исключительной термостойкостью до 1600 °C и превосходной стойкостью к химически активным газам и плазме, пластина из карбида кремния обеспечивает стабильную производительность при высокотемпературном травлении, осаждении и диффузии. Её плотная, непористая микроструктура минимизирует образование частиц, что делает её идеальным решением для сверхчистых применений в вакууме или чистых помещениях.

Применение керамической пластины SiC

1. Производство полупроводников

Керамические пластины SiC широко используются в качестве носителей пластин, токоприемников и опорных пластин в оборудовании для производства полупроводников, таком как системы химического осаждения из газовой фазы (CVD), физического осаждения из газовой фазы (PVD) и травления. Их превосходная теплопроводность и низкое тепловое расширение позволяют поддерживать равномерное распределение температуры, что критически важно для высокоточной обработки пластин. Устойчивость SiC к агрессивным газам и плазме обеспечивает долговечность в суровых условиях, помогая снизить загрязнение частицами и снизить затраты на обслуживание оборудования.

2. Светодиодная промышленность – травление ICP

В секторе производства светодиодов пластины SiC являются ключевыми компонентами систем травления с индуктивно связанной плазмой (ИСП). Выступая в качестве держателей пластин, они обеспечивают стабильную и термически устойчивую платформу для поддержки сапфировых или GaN-пластин в процессе плазменной обработки. Их превосходная стойкость к плазме, плоскостность поверхности и размерная стабильность обеспечивают высокую точность и однородность травления, что приводит к повышению выхода годных изделий и производительности светодиодных кристаллов.

3. Фотоэлектрические системы (PV) и солнечная энергия

Керамические пластины SiC также используются в производстве солнечных элементов, особенно на этапах высокотемпературного спекания и отжига. Их инертность при повышенных температурах и устойчивость к деформации обеспечивают стабильную обработку кремниевых пластин. Кроме того, их низкий риск загрязнения критически важен для поддержания эффективности фотоэлектрических элементов.

Свойства керамической пластины SiC

1. Исключительная механическая прочность и твердость

Керамические пластины из карбида кремния обладают очень высокой механической прочностью: типичная прочность на изгиб превышает 400 МПа, а твёрдость по Виккерсу достигает более 2000 HV. Это обеспечивает им высокую устойчивость к механическому износу, истиранию и деформации, обеспечивая длительный срок службы даже при высоких нагрузках и многократных термоциклических воздействиях.

2. Высокая теплопроводность

SiC обладает превосходной теплопроводностью (обычно 120–200 Вт/м·К), что позволяет ему равномерно распределять тепло по поверхности. Это свойство критически важно для таких процессов, как травление пластин, осаждение или спекание, где равномерность температуры напрямую влияет на выход и качество продукции.

3. Превосходная термическая стабильность

Благодаря высокой температуре плавления (2700 °C) и низкому коэффициенту теплового расширения (4,0 × 10⁻⁶/K) пластины из карбид-кремниевой керамики сохраняют размерную точность и структурную целостность при быстрых циклах нагрева и охлаждения. Это делает их идеальными для применения в высокотемпературных печах, вакуумных камерах и плазменных средах.

Технические свойства
Индекс	Единица	Ценить
Название материала		Реакционно-спеченный карбид кремния	Спеченный без давления карбид кремния	Рекристаллизованный карбид кремния
Состав		РБСиК	SSiC	R-SiC
Насыпная плотность	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Прочность на изгиб	МПа (кфунтов на квадратный дюйм)	338(49)	380(55)	80-90 (20°С) 90-100(1400°С)
Прочность на сжатие	МПа (кфунтов на квадратный дюйм)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твердость	Кноп	2700	2800	/
Сломить упорство	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопроводность	Вт/мК	95	120	23
Коэффициент теплового расширения	10^-6.1/°С	5	4	4.7
Удельная теплоемкость	Джоуль/г 0k	0,8	0,67	/
Максимальная температура воздуха	℃	1200	1500	1600
Модуль упругости	Средний балл	360	410	240

Вопросы и ответы по керамической пластине SiC

В：Каковы свойства пластины из карбида кремния?

А： Пластины из карбида кремния (SiC) известны своей высокой прочностью, твёрдостью и термической стабильностью. Они обладают превосходной теплопроводностью и низким коэффициентом теплового расширения, обеспечивая надёжную работу при экстремальных температурах. SiC также химически инертен, устойчив к кислотам, щелочам и плазменному воздействию, что делает его идеальным материалом для обработки полупроводников и светодиодов. Его плотная, гладкая поверхность минимизирует образование частиц, обеспечивая совместимость с чистыми помещениями. Пластины из SiC широко используются в качестве носителей пластин, токоприемников и опорных компонентов в высокотемпературных и коррозионных средах в полупроводниковой, фотоэлектрической и аэрокосмической промышленности.