Керамическая пластина/лоток из SiC для держателя пластин размером 4 и 6 дюймов для ИСП

Краткое описание:

Керамическая пластина SiC — это высокопроизводительный компонент, изготовленный из карбида кремния высокой чистоты, предназначенный для использования в экстремальных термических, химических и механических условиях. Известная своей исключительной твердостью, теплопроводностью и коррозионной стойкостью, пластина SiC широко используется в качестве носителя пластин, токоприемника или структурного компонента в полупроводниковой, светодиодной, фотоэлектрической и аэрокосмической промышленности.

Напишите нам письмо

Функции

Керамическая пластина SiC Аннотация

Благодаря выдающейся термической стабильности до 1600°C и превосходной устойчивости к реактивным газам и плазменному окружению пластина SiC обеспечивает стабильную производительность во время высокотемпературного травления, осаждения и диффузионных процессов. Ее плотная, непористая микроструктура минимизирует образование частиц, что делает ее идеальной для сверхчистых применений в условиях вакуума или чистых помещений.

Керамическая пластина SiC Применение

1. Производство полупроводников

Керамические пластины SiC обычно используются в качестве носителей пластин, токоприемников и опорных пластин в оборудовании для производства полупроводников, таком как CVD (химическое осаждение из паровой фазы), PVD (физическое осаждение из паровой фазы) и травильных системах. Их превосходная теплопроводность и низкое тепловое расширение позволяют им поддерживать равномерное распределение температуры, что имеет решающее значение для высокоточной обработки пластин. Устойчивость SiC к едким газам и плазме обеспечивает долговечность в суровых условиях, помогая снизить загрязнение частицами и техническое обслуживание оборудования.

2. Светодиодная промышленность – травление ICP

В секторе производства светодиодов пластины SiC являются ключевыми компонентами в системах травления ICP (индуктивно-связанная плазма). Действуя как держатели пластин, они обеспечивают стабильную и термически прочную платформу для поддержки сапфировых или GaN-пластин во время плазменной обработки. Их превосходное сопротивление плазме, плоскостность поверхности и размерная стабильность помогают обеспечить высокую точность и однородность травления, что приводит к повышению выхода и производительности устройств в светодиодных чипах.

3. Фотоэлектричество (PV) и солнечная энергия

Керамические пластины SiC также используются в производстве солнечных элементов, особенно на этапах высокотемпературного спекания и отжига. Их инертность при повышенных температурах и способность противостоять деформации обеспечивают последовательную обработку кремниевых пластин. Кроме того, их низкий риск загрязнения имеет решающее значение для поддержания эффективности фотоэлектрических элементов.

Свойства керамической пластины SiC

1. Исключительная механическая прочность и твердость

Керамические пластины SiC обладают очень высокой механической прочностью, типичная прочность на изгиб превышает 400 МПа, а твердость по Виккерсу достигает >2000 HV. Это делает их очень устойчивыми к механическому износу, истиранию и деформации, обеспечивая длительный срок службы даже при высоких нагрузках или повторяющихся термоциклах.

2. Высокая теплопроводность

SiC обладает превосходной теплопроводностью (обычно 120–200 Вт/м·К), что позволяет ему равномерно распределять тепло по поверхности. Это свойство имеет решающее значение в таких процессах, как травление пластин, осаждение или спекание, где однородность температуры напрямую влияет на выход и качество продукции.

3. Превосходная термическая стабильность

Керамические пластины SiC с высокой температурой плавления (2700°C) и низким коэффициентом теплового расширения (4,0 × 10⁻⁶/K) сохраняют размерную точность и структурную целостность при быстрых циклах нагрева и охлаждения. Это делает их идеальными для применения в высокотемпературных печах, вакуумных камерах и плазменных средах.

Технические свойства
Индекс	Единица	Ценить
Название материала		Реакционно-спеченный карбид кремния	Спеченный без давления карбид кремния	Рекристаллизованный карбид кремния
Состав		РБСиК	SSiC	R-SiC
Насыпная плотность	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Прочность на изгиб	МПа (тыс. фунтов на кв. дюйм)	338(49)	380(55)	80-90 (20°С) 90-100(1400°С)
Прочность на сжатие	МПа (тыс. фунтов на кв. дюйм)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твёрдость	Кноп	2700	2800	/
Сломить упорство	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопроводность	Вт/мк	95	120	23
Коэффициент теплового расширения	10^-6.1/°С	5	4	4.7
Удельная теплоемкость	Джоуль/г 0k	0.8	0,67	/
Максимальная температура воздуха	℃	1200	1500	1600
Модуль упругости	ГПа	360	410	240

Вопросы и ответы по керамической пластине SiC

В: Каковы свойства пластины из карбида кремния?

А： Пластины из карбида кремния (SiC) известны своей высокой прочностью, твердостью и термической стабильностью. Они обеспечивают превосходную теплопроводность и низкое тепловое расширение, гарантируя надежную работу при экстремальных температурах. SiC также химически инертен, устойчив к кислотам, щелочам и плазменному окружению, что делает его идеальным для обработки полупроводников и светодиодов. Его плотная, гладкая поверхность минимизирует образование частиц, поддерживая совместимость с чистыми помещениями. Пластины SiC широко используются в качестве носителей пластин, токоприемников и опорных компонентов в высокотемпературных и коррозионных средах в полупроводниковой, фотоэлектрической и аэрокосмической промышленности.