Керамическая пластина/лоток из карбида кремния для держателя 4- и 6-дюймовых пластин для ИСП-спектрометрии.

Керамическая пластина/лоток из карбида кремния для держателя 4-дюймовых и 6-дюймовых пластин для ИСП-спектроскопии. Изображение в иллюстративном разделе.

Краткое описание:

Керамическая пластина из карбида кремния (SiC) — это высокоэффективный компонент, изготовленный из высокочистого карбида кремния и предназначенный для использования в экстремальных температурных, химических и механических условиях. Известная своей исключительной твердостью, теплопроводностью и коррозионной стойкостью, пластина из SiC широко используется в качестве подложки для пластин, подложки или конструкционного компонента в полупроводниковой, светодиодной, фотоэлектрической и аэрокосмической промышленности.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Керамическая пластина SiC. Аннотация.

Благодаря выдающейся термической стабильности до 1600 °C и превосходной устойчивости к реактивным газам и плазменным средам, пластина из карбида кремния обеспечивает стабильную работу в процессе высокотемпературного травления, осаждения и диффузии. Ее плотная, непористая микроструктура минимизирует образование частиц, что делает ее идеальной для сверхчистых применений в вакууме или чистых помещениях.

Применение керамической пластины из карбида кремния (SiC).

1. Производство полупроводников

Керамические пластины из карбида кремния (SiC) широко используются в качестве подложек для пластин, подложек и опорных пластин в оборудовании для производства полупроводников, таком как системы CVD (химическое осаждение из паровой фазы), PVD (физическое осаждение из паровой фазы) и травления. Их превосходная теплопроводность и низкое термическое расширение позволяют поддерживать равномерное распределение температуры, что имеет решающее значение для высокоточной обработки пластин. Устойчивость SiC к коррозионным газам и плазме обеспечивает долговечность в агрессивных средах, помогая снизить загрязнение частицами и затраты на техническое обслуживание оборудования.

2. Светодиодная промышленность – травление методом ICP

В секторе производства светодиодов пластины из карбида кремния (SiC) являются ключевыми компонентами в системах травления с индуктивно связанной плазмой (ICP). Выступая в качестве держателей пластин, они обеспечивают стабильную и термостойкую платформу для поддержки сапфировых или GaN-пластин во время плазменной обработки. Их превосходная устойчивость к плазме, плоскостность поверхности и стабильность размеров помогают обеспечить высокую точность и равномерность травления, что приводит к увеличению выхода годной продукции и производительности светодиодных чипов.

3. Фотовольтаика (ФВ) и солнечная энергия

Керамические пластины из карбида кремния (SiC) также используются в производстве солнечных элементов, особенно на этапах высокотемпературного спекания и отжига. Их инертность при повышенных температурах и устойчивость к деформации обеспечивают стабильную обработку кремниевых пластин. Кроме того, низкий риск загрязнения имеет решающее значение для поддержания эффективности фотоэлектрических элементов.

Свойства керамической пластины из карбида кремния

1. Исключительная механическая прочность и твердость.

Керамические пластины из карбида кремния обладают очень высокой механической прочностью: типичная прочность на изгиб превышает 400 МПа, а твердость по Виккерсу достигает >2000 HV. Это делает их высокоустойчивыми к механическому износу, истиранию и деформации, обеспечивая длительный срок службы даже при высоких нагрузках или многократных термических циклах.

2. Высокая теплопроводность

Карбид кремния обладает превосходной теплопроводностью (обычно 120–200 Вт/м·К), что позволяет ему равномерно распределять тепло по своей поверхности. Это свойство имеет решающее значение в таких процессах, как травление пластин, осаждение или спекание, где равномерность температуры напрямую влияет на выход и качество продукции.

3. Превосходная термостойкость

Благодаря высокой температуре плавления (2700 °C) и низкому коэффициенту теплового расширения (4,0 × 10⁻⁶/K), керамические пластины из карбида кремния сохраняют точность размеров и структурную целостность при быстрых циклах нагрева и охлаждения. Это делает их идеальными для применения в высокотемпературных печах, вакуумных камерах и плазменных средах.

Технические характеристики
Индекс	Единица	Ценить
Название материала		Реакционно-спеченный карбид кремния	Безнапорное спеченное карбид кремния	Перекристаллизованный карбид кремния
Композиция		RBSiC	SSIC	R-SiC
Объемная плотность	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Прочность на изгиб	МПа (кпси)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Прочность на сжатие	МПа (кпси)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твердость	Кнуп	2700	2800	/
Преодоление упорства	МПа м1/2	4.5	4	/
Теплопроводность	Вт/мк	95	120	23
Коэффициент теплового расширения	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Удельная теплоемкость	Джоуль/г 0 кДж	0,8	0,67	/
Максимальная температура воздуха	℃	1200	1500	1600
Модуль упругости	Гпа	360	410	240

Вопросы и ответы по керамической пластине из карбида кремния

В: Каковы свойства пластины из карбида кремния?

А: Пластины из карбида кремния (SiC) известны своей высокой прочностью, твердостью и термической стабильностью. Они обладают превосходной теплопроводностью и низким коэффициентом теплового расширения, что обеспечивает надежную работу при экстремальных температурах. SiC также химически инертен, устойчив к кислотам, щелочам и плазменным средам, что делает его идеальным материалом для обработки полупроводников и светодиодов. Его плотная, гладкая поверхность минимизирует образование частиц, обеспечивая совместимость с чистыми помещениями. Пластины из SiC широко используются в качестве подложек для пластин, подложек и опорных компонентов в высокотемпературных и агрессивных средах в полупроводниковой, фотоэлектрической и аэрокосмической отраслях.