Карбид кремния
-
4Х-Н 8-дюймовая вафельная подложка Карбида кремния-пустышка исследовательского класса 500ум
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch производство Пустышка класса Dia150mm Карбид кремния
-
тип вафель 4Х-Н карбида кремния 8инч 200мм толщина 500ум ранга продукции
-
Диаметр пластины HPSI SiC: толщина 3 дюйма: 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники
-
8-дюймовая пластина карбида кремния SiC 4H-N типа 0,5 мм, производственная степень, исследовательский класс, полированная на заказ подложка
-
3-дюймовая полуизолирующая пластина высокой чистоты (HPSI) SiC толщиной 350 мкм, стандартный класс, основной класс
-
Подложка SiC P-типа, пластина SiC диаметром 2 дюйма, новый продукт
-
2-дюймовая подложка из карбида кремния 6H-N Sic Wafer с двойной полировкой проводящего основного класса Mos Grade
-
Пластина карбида кремния SiC Пластина SiC 4H-N 6H-N HPSI (полуизоляционный материал высокой чистоты) 4H/6H-P 3C -n тип 2 3 4 6 8 дюймов в наличии
-
2-дюймовая подложка из карбида кремния Sic 6H-N Тип 0,33 мм 0,43 мм, двухсторонняя полировка Высокая теплопроводность, низкое энергопотребление
-
Подложка из карбида кремния, 3 дюйма, толщина 350 мкм, тип HPSI Prime Grade Стандартный класс
-
Слиток карбида кремния SiC, 6 дюймов, тип N, толщина манекена/высшего класса, может быть настроена по индивидуальному заказу.