Полуизолирующие SiC на композитных подложках Si

Эта комбинация дает ряд преимуществ в производстве электроники:

Совместимость: использование кремниевой подложки делает ее совместимой со стандартными технологиями обработки на основе кремния и позволяет интегрировать ее с существующими процессами производства полупроводников.

Характеристики при высоких температурах: карбид кремния обладает превосходной теплопроводностью и может работать при высоких температурах, что делает его пригодным для мощных и высокочастотных электронных приложений.

Высокое напряжение пробоя: материалы SiC имеют высокое напряжение пробоя и могут выдерживать сильные электрические поля без электрического пробоя.

Снижение потерь мощности: подложки SiC обеспечивают более эффективное преобразование энергии и меньшие потери мощности в электронных устройствах по сравнению с традиционными материалами на основе кремния.

Широкая полоса пропускания: SiC имеет широкую полосу пропускания, что позволяет разрабатывать электронные устройства, способные работать при более высоких температурах и более высокой плотности мощности.

Таким образом, полуизолирующие композитные подложки SiC на Si сочетают в себе совместимость кремния с превосходными электрическими и термическими свойствами SiC, что делает его пригодным для применения в высокопроизводительной электронике.

Упаковка и доставка

1. Мы будем использовать защитный пластик и упаковывать его в индивидуальную коробку. (Экологически чистый материал)

2. Мы можем изготовить индивидуальную упаковку в зависимости от количества.

3. DHL/Fedex/UPS Express обычно занимает около 3-7 рабочих дней до места назначения.