Технология ICP-сухого травления на сапфировой подложке с рисунком (PSS) размером 2, 4 и 6 дюймов может использоваться для светодиодных чипов.
Основная характеристика
1. Характеристики материала: В качестве подложки используется монокристаллический сапфир (Al₂O₃), обладающий высокой твердостью, высокой термостойкостью и химической стабильностью.
2. Структура поверхности: Поверхность формируется методом фотолитографии и травления в виде периодических микро- и наноструктур, таких как конусы, пирамиды или гексагональные массивы.
3. Оптические характеристики: Благодаря дизайну поверхности, позволяющему создавать узоры, уменьшается полное отражение света на границе раздела, что повышает эффективность извлечения света.
4. Тепловые характеристики: Сапфировая подложка обладает превосходной теплопроводностью, что делает её подходящей для применения в мощных светодиодах.
5. Размеры: Наиболее распространенные размеры: 2 дюйма (50,8 мм), 4 дюйма (100 мм) и 6 дюймов (150 мм).
Основные области применения
1. Производство светодиодов:
Повышена эффективность извлечения света: технология PSS снижает потери света за счет особенностей рисунка, что значительно повышает яркость и световой поток светодиодов.
Улучшенное качество эпитаксиального роста: структурированная поверхность обеспечивает лучшую основу для роста эпитаксиальных слоев GaN и улучшает характеристики светодиодов.
2. Лазерный диод (ЛД):
Мощные лазеры: Высокая теплопроводность и стабильность PSS подходят для мощных лазерных диодов, улучшая теплоотвод и надежность.
Низкий пороговый ток: оптимизация эпитаксиального роста, снижение порогового тока лазерного диода и повышение эффективности.
3. Фотодетектор:
Высокая чувствительность: высокая светопропускаемость и низкая плотность дефектов в PSS повышают чувствительность и скорость отклика фотодетектора.
Широкий спектральный диапазон: подходит для фотоэлектрического детектирования в ультрафиолетовом и видимом диапазонах.
4. Силовая электроника:
Высокое сопротивление напряжению: высокая изоляционная способность и термическая стабильность сапфира делают его подходящим для использования в высоковольтных силовых устройствах.
Эффективное рассеивание тепла: высокая теплопроводность улучшает теплоотвод силовых устройств и продлевает срок их службы.
5. Радиочастотные устройства:
Высокочастотные характеристики: низкие диэлектрические потери и высокая термическая стабильность PSS делают его подходящим для высокочастотных радиочастотных устройств.
Низкий уровень шума: высокая плоскостность и низкая плотность дефектов снижают уровень шума устройства и улучшают качество сигнала.
6. Биосенсоры:
Высокочувствительное обнаружение: высокая светопроницаемость и химическая стабильность PSS делают его подходящим для высокочувствительных биосенсоров.
Биосовместимость: Биосовместимость сапфира делает его пригодным для применения в медицине и биодетектировании.
Сапфировая подложка с рисунком (PSS) с эпитаксиальным материалом GaN:
Сапфировая подложка с рисунком (PSS) является идеальной подложкой для эпитаксиального роста нитрида галлия (GaN). Постоянная решетки сапфира близка к постоянной решетки GaN, что позволяет уменьшить несоответствия решеток и дефекты при эпитаксиальном росте. Микро- и наноструктура поверхности PSS не только повышает эффективность извлечения света, но и улучшает качество кристалла эпитаксиального слоя GaN, тем самым повышая производительность и надежность светодиода.
Технические параметры
| Элемент | Узорчатая сапфировая подложка (2–6 дюймов) | ||
| Диаметр | 50,8 ± 0,1 мм | 100,0 ± 0,2 мм | 150,0 ± 0,3 мм |
| Толщина | 430 ± 25 мкм | 650 ± 25 мкм | 1000 ± 25 мкм |
| Ориентация поверхности | Угол отклонения плоскости C (0001) от оси M (10-10) составляет 0,2 ± 0,1° | ||
| Плоскость C (0001) под углом к оси A (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Ориентация основной квартиры | Плоскость А (11-20) ± 1,0° | ||
| Основная плоская длина | 16,0 ± 1,0 мм | 30,0 ± 1,0 мм | 47,5 ± 2,0 мм |
| R-план | 9 часов | ||
| Отделка лицевой поверхности | Узорчатый | ||
| Отделка задней поверхности | SSP: тонкая шлифовка, Ra = 0,8–1,2 мкм; DSP: эпитаксиальная полировка, Ra < 0,3 нм | ||
| Лазерная маркировка | Обратная сторона | ||
| ТТВ | ≤8 мкм | ≤10 мкм | ≤20 мкм |
| ПОКЛОН | ≤10 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм |
| WARP | ≤12 мкм | ≤20 мкм | ≤30 мкм |
| Исключение края | ≤2 мм | ||
| Спецификация шаблона | Форма и структура | Купол, конус, пирамида | |
| Высота узора | 1,6~1,8 мкм | ||
| Диаметр рисунка | 2,75~2,85 мкм | ||
| Пространство шаблонов | 0,1~0,3 мкм | ||
Компания XKH специализируется на предоставлении высококачественных, изготовленных на заказ сапфировых подложек с заданным рисунком (PSS), а также на технической поддержке и послепродажном обслуживании, помогая клиентам эффективно внедрять инновации в области светодиодов, дисплеев и оптоэлектроники.
1. Высококачественная поставка PSS: Сапфировые подложки с рисунком различных размеров (2", 4", 6") для удовлетворения потребностей светодиодов, дисплеев и оптоэлектронных устройств.
2. Индивидуальный дизайн: Настройка микро- и наноструктуры поверхности (например, конусообразной, пирамидальной или гексагональной) в соответствии с потребностями заказчика для оптимизации эффективности извлечения света.
3. Техническая поддержка: Разработка приложений PSS, оптимизация процессов и технические консультации для повышения производительности продукции для клиентов.
4. Поддержка эпитаксиального роста: для обеспечения высококачественного роста эпитаксиальных слоев используется PSS, подобранный в соответствии с эпитаксиальным материалом GaN.
5. Испытания и сертификация: Предоставьте отчет о проверке качества PSS, чтобы гарантировать соответствие продукции отраслевым стандартам.
Подробная схема
