Узорной сапфировой субстрат PSS 2 -дюймовый 4 -дюймовый 6 -дюймовый ICP Сухое травление может использоваться для светодиодных чипов

Узорчатый сапфировый субстрат PSS 2INCH 4INCH 6INCH ICP Сухое травление можно использовать для светодиодных чипов.

Краткое описание:

Узорной сапфировой субстрат (PSS) - это субстрат, на котором микро и нано -структуры образуются с помощью литографии и методов травления. Он используется в основном в производстве светодиодного (светодиодного диода) для повышения эффективности извлечения света за счет конструкции поверхностного паттерна, тем самым улучшая яркость и производительность светодиода.

Отправить нам электронное письмо

Деталь продукта

Теги продукта

Основная характеристика

1. Характеристики материала: Подложка представляет собой монокристаллический сапфир (al₂o₃), с высокой твердостью, высокой теплостойкостью и химической стабильностью.

2. Структура поверхности: поверхность образуется фотолитографией и травлением в периодические микронановые структуры, такие как конусы, пирамиды или шестиугольные массивы.

3. Оптическая производительность: благодаря конструкции паттерна поверхности общее отражение света на границе раздела уменьшается, и эффективность извлечения света улучшается.

4. Тепловые характеристики: сапфировый субстрат имеет отличную теплопроводность, подходящую для применения светодиодов с высокой мощностью.

5. Технические характеристики: общие размеры составляют 2 дюйма (50,8 мм), 4 дюйма (100 мм) и 6 дюймов (150 мм).

Основные области применения

1. Светодиодное производство:
Повышенная эффективность извлечения света: PSS уменьшает потерю света за счет дизайна паттерна, значительно улучшая светодиодную яркость и светящуюся эффективность.

Улучшенное качество эпитаксиального роста: структура с рисунком обеспечивает лучшую базу роста для эпитаксиальных слоев GAN и повышает производительность светодиодов.

2. Лазерный диод (LD):
Лазеры с высокой мощностью: высокая теплопроводности и стабильность PS подходят для лазерных диодов с высокой мощностью, улучшая производительность и надежность рассеивания тепла.

Низкий пороговый ток: оптимизировать эпитаксиальный рост, уменьшить пороговый ток лазерного диода и повысить эффективность.

3. ФОТОДЕЙТОР:
Высокая чувствительность: высокая световая передача и низкая плотность дефектов PS улучшают чувствительность и скорость отклика фотоприемника.

Широкий спектральный отклик: подходит для фотоэлектрического обнаружения в ультрафиолетовом диапазоне.

4. Power Electronics:
Высокое сопротивление напряжения: Высокая изоляция Сапфира и тепловая стабильность подходят для устройств высокого напряжения.

Эффективное рассеяние тепла: высокая теплопроводность улучшает характеристики рассеяния тепла силовых устройств и продлевает срок службы.

5. RF устройства:
Высокочастотные характеристики: низкие диэлектрические потери и высокая тепловая стабильность PS подходят для высокочастотных радиочастотных устройств.

Низкий шум: высокая плоскостность и низкая плотность дефекта снижают шум устройства и улучшают качество сигнала.

6. Биосенсоры:
Выявление высокой чувствительности: высокая световая передача и химическая стабильность PS подходят для биосенсоров с высокой чувствительностью.

Биосовместимость: биосовместимость сапфира делает его подходящим для медицинских и биодневных приложений.
Узорчанный сапфировый субстрат (PSS) с эпитаксиальным материалом GAN:

Узорчатый сапфировый субстрат (PSS) является идеальным субстратом для эпитаксиального роста Gan (нитрид галлия). Постоянка решетки сапфира близка к GAN, что может уменьшить несоответствия решетки и дефекты в эпитаксиальном росте. Микронано-структура поверхности PSS не только повышает эффективность экстракции света, но и повышает качество кристалла эпитаксиального слоя GAN, тем самым повышая производительность и надежность светодиода.

Технические параметры

Элемент	Узорчанный сапфировый субстрат (2 ~ 6 дюйма)
Диаметр	50,8 ± 0,1 мм	100,0 ± 0,2 мм	150,0 ± 0,3 мм
Толщина	430 ± 25 мкм	650 ± 25 мкм	1000 ± 25 мкм
Поверхностная ориентация	C-плоскость (0001) вне углу к оси M (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	C-плоскость (0001) вне углу к оси A (11-20) 0 ± 0,1 °
Первичная плоская ориентация	A-плоскость (11-20) ± 1,0 °
Первичная плоская длина	16,0 ± 1,0 мм	30,0 ± 1,0 мм	47,5 ± 2,0 мм
R-плоскость	9-o'clock
Передняя поверхность отделка	Узорный
Задняя поверхность	SSP: Fine-Ground, RA = 0,8-1,2 мм; DSP: Epi-Polished, Ra <0,3 нм
Лазерная марка	Задняя сторона
TTV	≤8 мкм	≤10 мкм	≤20 мкм
ПОКЛОН	≤10 мкм	≤15 мкм	≤25 мкм
Деформация	≤12 мкм	≤20 мкм	≤30 мкм
Исключение краев	≤2 мм
Спецификация шаблона	Структура формы	Купол, конус, пирамида
	Высота шаблона	1,6 ~ 1,8 мкм
	Диаметр шаблона	2,75 ~ 2,85 мкм
	Паттерн пространство	0,1 ~ 0,3 мкм

XKH специализируется на предоставлении высококачественных, индивидуальных узорных сапфировых субстратов (PSS) с технической поддержкой и послепродажными услугами, чтобы помочь клиентам добиться эффективных инноваций в области светодиодов, отображения и оптоэлектроники.

1. Высококачественные PSS Supply: узорчатые сапфировые подложки в различных размерах (2 ", 4", 6 ") для удовлетворения потребностей светодиодных, отображения и оптоэлектронных устройств.

2. Индивидуальный дизайн: настроить поверхностную микронановую структуру (такую как конус, пирамида или шестиугольная массива) в соответствии с необходимостью клиента для оптимизации эффективности извлечения света.

3. Техническая поддержка: предоставьте PSS -дизайн приложений, оптимизацию процессов и технические консультации, чтобы помочь клиентам повысить производительность продукта.

4. Эпитаксиальная поддержка роста: PSS, соответствующая эпитаксиальному материалу GAN, предоставляется для обеспечения высококачественного роста эпитаксиального слоя.

5. Тестирование и сертификация: предоставьте отчет о проверке качества PSS, чтобы обеспечить соответствие продукции в отраслевых стандартах.