Узорчатая сапфировая подложка PSS 2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов. Сухое травление ICP может использоваться для светодиодных чипов.
Основная характеристика
1. Характеристики материала: Материал подложки – монокристаллический сапфир (Al₂O₃), обладающий высокой твердостью, высокой термостойкостью и химической стабильностью.
2. Структура поверхности: Поверхность формируется с помощью фотолитографии и травления в периодические микро-наноструктуры, такие как конусы, пирамиды или шестиугольные решетки.
3. Оптические характеристики: благодаря рельефной структуре поверхности снижается общее отражение света на границе раздела и повышается эффективность извлечения света.
4. Тепловые характеристики: сапфировая подложка обладает превосходной теплопроводностью, что позволяет использовать ее в светодиодах высокой мощности.
5. Размеры: Обычные размеры — 2 дюйма (50,8 мм), 4 дюйма (100 мм) и 6 дюймов (150 мм).
Основные области применения
1. Производство светодиодов:
Повышенная эффективность светоотдачи: PSS снижает потери света за счет специальной конструкции, что значительно повышает яркость и светоотдачу светодиодов.
Улучшенное качество эпитаксиального роста: структурированная структура обеспечивает лучшую основу для роста эпитаксиальных слоев GaN и повышает производительность светодиодов.
2. Лазерный диод (ЛД):
Лазеры высокой мощности: Высокая теплопроводность и стабильность PSS подходят для лазерных диодов высокой мощности, улучшая характеристики рассеивания тепла и надежность.
Низкий пороговый ток: оптимизируйте эпитаксиальный рост, уменьшите пороговый ток лазерного диода и повысьте эффективность.
3. Фотодетектор:
Высокая чувствительность: высокое светопропускание и низкая плотность дефектов PSS повышают чувствительность и скорость реагирования фотодетектора.
Широкий спектральный диапазон: подходит для фотоэлектрического обнаружения в ультрафиолетовом и видимом диапазонах.
4. Силовая электроника:
Высокая стойкость к напряжению: высокая изоляция и термостойкость сапфира делают его пригодным для использования в высоковольтных силовых устройствах.
Эффективное рассеивание тепла: Высокая теплопроводность улучшает эффективность рассеивания тепла силовых устройств и продлевает срок их службы.
5. Радиочастотные устройства:
Высокочастотные характеристики: низкие диэлектрические потери и высокая термостабильность PSS подходят для высокочастотных радиочастотных устройств.
Низкий уровень шума: высокая плоскостность и низкая плотность дефектов снижают уровень шума устройства и улучшают качество сигнала.
6. Биосенсоры:
Высокая чувствительность обнаружения: высокая светопропускаемость и химическая стабильность PSS подходят для высокочувствительных биосенсоров.
Биосовместимость: Биосовместимость сапфира делает его пригодным для использования в медицине и биодетекции.
Подложка из структурированного сапфира (PSS) с эпитаксиальным материалом GaN:
Подложка из структурированного сапфира (PSS) является идеальной подложкой для эпитаксиального роста GaN (нитрид галлия). Постоянная решетки сапфира близка к постоянной решетки GaN, что позволяет уменьшить несоответствия параметров решетки и дефекты при эпитаксиальном росте. Микро-наноструктура поверхности PSS не только повышает эффективность светоизвлечения, но и улучшает качество кристалла эпитаксиального слоя GaN, тем самым повышая производительность и надежность светодиода.
Технические параметры
| Элемент | Узорчатая сапфировая подложка (2~6 дюймов) | ||
| Диаметр | 50,8 ± 0,1 мм | 100,0 ± 0,2 мм | 150,0 ± 0,3 мм |
| Толщина | 430 ± 25 мкм | 650 ± 25 мкм | 1000 ± 25 мкм |
| Ориентация поверхности | Плоскость С (0001) под углом к оси М (10-10) 0,2 ± 0,1° | ||
| Плоскость С (0001) под углом к оси А (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Первичная плоская ориентация | Плоскость А (11-20) ± 1,0° | ||
| Длина первичной плоскости | 16,0 ± 1,0 мм | 30,0 ± 1,0 мм | 47,5 ± 2,0 мм |
| R-Plane | 9 часов | ||
| Отделка лицевой поверхности | Узорчатый | ||
| Отделка задней поверхности | SSP: Тонкая шлифовка, Ra = 0,8–1,2 мкм; DSP: Эпиполировка, Ra < 0,3 нм | ||
| Лазерная метка | Обратная сторона | ||
| ТТВ | ≤8 мкм | ≤10 мкм | ≤20 мкм |
| ПОКЛОН | ≤10 мкм | ≤15мкм | ≤25мкм |
| ВАРП | ≤12 мкм | ≤20 мкм | ≤30 мкм |
| Исключение границ | ≤2 мм | ||
| Спецификация шаблона | Структура формы | Купол, Конус, Пирамида | |
| Высота узора | 1,6~1,8 мкм | ||
| Диаметр узора | 2,75~2,85 мкм | ||
| Пространство шаблонов | 0,1~0,3 мкм | ||
Компания XKH специализируется на поставках высококачественных, изготовленных по индивидуальному заказу структурированных сапфировых подложек (PSS) с технической поддержкой и послепродажным обслуживанием, чтобы помочь клиентам добиться эффективных инноваций в области светодиодов, дисплеев и оптоэлектроники.
1. Поставка высококачественных PSS: узорчатые сапфировые подложки различных размеров (2", 4", 6") для удовлетворения потребностей светодиодных, дисплейных и оптоэлектронных устройств.
2. Индивидуальная конструкция: индивидуальная настройка поверхностной микро-наноструктуры (например, конуса, пирамиды или шестиугольной решетки) в соответствии с потребностями заказчика для оптимизации эффективности извлечения света.
3. Техническая поддержка: предоставление услуг по проектированию приложений PSS, оптимизации процессов и технических консультаций для помощи клиентам в улучшении производительности продукта.
4. Поддержка эпитаксиального роста: PSS, согласованный с эпитаксиальным материалом GaN, обеспечивает высококачественный рост эпитаксиального слоя.
5. Тестирование и сертификация: предоставление отчета о проверке качества PSS для подтверждения соответствия продукции отраслевым стандартам.
Подробная схема
