P-тип SiC подложка SiC пластина Dia2inch новый продукт

Подложки из карбида кремния P-типа обычно используются для изготовления силовых приборов, таких как биполярные транзисторы с изолирующим затвором (IGBT).

IGBT = MOSFET+BJT, который является переключателем включения-выключения. MOSFET = IGFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор или полевой транзистор с изолированным затвором). BJT (биполярный транзистор, также известный как транзистор), биполярный означает, что в процессе проводимости участвуют два вида носителей — электронные и дырочные, обычно в проводимости участвует PN-переход.

2-дюймовая пластина карбида кремния (SiC) p-типа имеет политип 4H или 6H. Она имеет схожие свойства с пластинами карбида кремния (SiC) n-типа, такими как высокая термостойкость, высокая теплопроводность и высокая электропроводность. Подложки SiC p-типа обычно используются при изготовлении силовых устройств, в частности для изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Конструкция IGBT обычно включает PN-переходы, где SiC p-типа выгоден для управления поведением устройства.