Подложка SiC P-типа, пластина SiC диаметром 2 дюйма, новый продукт

Краткое описание:

2-дюймовая пластина из карбида кремния (SiC) P-типа политипа 4H или 6H. Он имеет свойства, аналогичные свойствам пластины карбида кремния (SiC) N-типа, такие как высокая термостойкость, высокая теплопроводность, высокая электропроводность и т. д. Подложка SiC P-типа обычно используется для производства силовых устройств, особенно для производства изолированных Биполярные транзисторы с затвором (IGBT). В конструкции IGBT часто используются PN-переходы, где SiC P-типа может быть полезен для управления поведением устройств.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Подложки из карбида кремния P-типа обычно используются для изготовления силовых устройств, таких как биполярные транзисторы с изолирующим затвором (IGBT).

IGBT = MOSFET+BJT, который представляет собой двухпозиционный переключатель. MOSFET = IGFET (металлооксидно-полупроводниковая полевая трубка или полевой транзистор с изолированным затвором). BJT (транзистор с биполярным переходом, также известный как транзистор), биполярный означает, что в процессе проводимости участвуют два типа электронных и дырочных носителей, обычно в проводимости участвует PN-переход.

2-дюймовая пластина карбида кремния (SiC) p-типа имеет политип 4H или 6H. Он имеет свойства, аналогичные пластинам карбида кремния (SiC) n-типа, такие как высокая термостойкость, высокая теплопроводность и высокая электропроводность. Подложки SiC p-типа обычно используются при производстве силовых устройств, особенно для изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). В конструкции IGBT обычно используются PN-переходы, где SiC p-типа предпочтителен для управления поведением устройства.