Подложка SiC P-типа, SiC-пластина, диаметр 2 дюйма, новый продукт

Подложки из карбида кремния p-типа обычно используются для изготовления силовых приборов, таких как биполярные транзисторы с изолирующим затвором (IGBT).

IGBT = МОП-транзистор + биполярный транзистор (БПТ), который представляет собой двухпозиционный переключатель. МОП-транзистор = МОП-транзистор (IGFET, полевой транзистор с изолированным затвором). Биполярный транзистор (БПТ, также известный как транзистор) означает, что в процессе проводимости участвуют два вида носителей заряда: электроны и дырки. Обычно в проводимости участвует PN-переход.

Пластина карбида кремния (SiC) p-типа размером 2 дюйма (5,5 см) имеет политип 4H или 6H. Она обладает свойствами, аналогичными пластинам карбида кремния (SiC) n-типа, такими как высокая термостойкость, высокая теплопроводность и высокая электропроводность. Подложки SiC p-типа широко используются в производстве силовых устройств, в частности, биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Конструкция IGBT обычно включает в себя PN-переходы, где SiC p-типа позволяет управлять поведением устройства.