Новый продукт: кремнийкарбидная подложка P-типа, кремнийкарбидная пластина диаметром 2 дюйма.

Подложки из карбида кремния p-типа широко используются для изготовления силовых устройств, таких как биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, что означает переключатель «вкл/выкл». MOSFET = IGFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, или полевой транзистор с изолированным затвором). BJT (биполярный транзистор, также известный как транзистор), биполярный означает, что в процессе проводимости участвуют два типа носителей: электроны и дырки; как правило, в проводимости задействован PN-переход.

2-дюймовая кремниевая карбидная пластина p-типа (SiC) имеет полиморфную модификацию 4H или 6H. Она обладает свойствами, аналогичными свойствам кремниевых карбидных пластин n-типа (SiC), такими как высокая термостойкость, высокая теплопроводность и высокая электропроводность. Подложки из SiC p-типа широко используются при изготовлении силовых устройств, в частности, для изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Конструкция IGBT обычно включает PN-переходы, где SiC p-типа выгоден для управления поведением устройства.