Новости
-
Применение проводящих и полуизолированных подложек из карбида кремния.
Подложки из карбида кремния делятся на полуизолирующие и проводящие. В настоящее время основной размер полуизолирующих подложек из карбида кремния составляет 4 дюйма. В проводящих подложках из карбида кремния...Читать далее -
Существуют ли также различия в применении сапфировых пластин с разной ориентацией кристаллов?
Сапфир — это монокристалл оксида алюминия, принадлежащий к трехкомпонентной кристаллической системе, имеющий гексагональную структуру. Его кристаллическая структура состоит из трех атомов кислорода и двух атомов алюминия, связанных ковалентной связью, расположенных очень близко друг к другу, с прочной цепной связью и высокой энергией решетки. Его кристаллическая структура...Читать далее -
В чём разница между проводящей подложкой из карбида кремния (SiC) и полуизолированной подложкой?
Устройства на основе карбида кремния (SiC) — это устройства, изготовленные из карбида кремния в качестве исходного материала. В зависимости от различных резистивных характеристик они делятся на проводящие силовые устройства на основе карбида кремния и полуизолированные радиочастотные устройства на основе карбида кремния. Основные формы устройств и...Читать далее -
Статья сделает вас мастером TGV.
Что такое TGV? TGV (Through-Glass via) — это технология создания сквозных отверстий в стеклянной подложке. Проще говоря, TGV — это высотное здание, в котором отверстия, заполнения и соединения по всей толщине стекла используются для создания интегральных схем на стеклянной поверхности...Читать далее -
Какие существуют показатели для оценки качества поверхности кремниевых пластин?
В связи с непрерывным развитием полупроводниковых технологий, в полупроводниковой промышленности и даже в фотоэлектрической промышленности, требования к качеству поверхности подложек или эпитаксиальных слоев также очень строгие. Итак, каковы же требования к качеству...?Читать далее -
Насколько хорошо вы знакомы с процессом выращивания монокристаллов SiC?
Карбид кремния (SiC), как широкозонный полупроводниковый материал, играет все более важную роль в применении в современной науке и технике. Карбид кремния обладает превосходной термической стабильностью, высокой устойчивостью к электрическим полям, преднамеренной проводимостью и...Читать далее -
Битва за прорыв в сфере отечественных подложек из карбида кремния.
В последние годы, в связи с непрерывным распространением таких смежных областей применения, как электромобили, фотоэлектрические системы и системы хранения энергии, карбид кремния (SiC) как новый полупроводниковый материал играет важную роль в этих областях. Согласно...Читать далее -
SiC MOSFET, 2300 вольт.
26 числа компания Power Cube Semi объявила об успешной разработке первого в Южной Корее полупроводникового МОП-транзистора на основе карбида кремния (SiC) с напряжением 2300 В. По сравнению с существующими полупроводниками на основе кремния (Si), карбид кремния (SiC) способен выдерживать более высокие напряжения, поэтому его называют перспективным...Читать далее -
Неужели восстановление полупроводниковой отрасли — всего лишь иллюзия?
В период с 2021 по 2022 год наблюдался стремительный рост мирового рынка полупроводников благодаря возникновению особого спроса, вызванного вспышкой COVID-19. Однако, поскольку особый спрос, вызванный пандемией COVID-19, закончился во второй половине 2022 года, он резко снизился...Читать далее -
В 2024 году капитальные затраты на полупроводниковую промышленность снизились.
В среду президент Байден объявил о соглашении, предусматривающем предоставление компании Intel 8,5 миллиардов долларов прямого финансирования и 11 миллиардов долларов в виде кредитов в рамках Закона о чипах и науке. Intel использует эти средства для своих заводов по производству кремниевых пластин в Аризоне, Огайо, Нью-Мексико и Орегоне. Как сообщалось ранее...Читать далее -
Что такое кремниевая пластина SiC?
Кремниевые пластины (SiC) — это полупроводники, изготовленные из карбида кремния. Этот материал был разработан в 1893 году и идеально подходит для различных применений. Особенно хорошо подходит для диодов Шоттки, диодов Шоттки с барьерным переходом, переключателей и полевых транзисторов типа металл-оксид-полупроводник...Читать далее -
Углубленный анализ полупроводника третьего поколения – карбида кремния.
Введение в карбид кремния. Карбид кремния (SiC) — это полупроводниковый материал, состоящий из углерода и кремния, который является одним из идеальных материалов для изготовления высокотемпературных, высокочастотных, мощных и высоковольтных устройств. По сравнению с традиционными...Читать далее