Новости
-
Тонкопленочный танталат лития (LTOI): новый перспективный материал для высокоскоростных модуляторов?
Материал из тонкопленочного танталата лития (LTOI) становится новой значительной силой в области интегральной оптики. В этом году было опубликовано несколько работ высокого уровня по модуляторам LTOI, высококачественные пластины LTOI были предоставлены профессором Синь Оу из Шанхайского ин-та...Читать далее -
Глубокое понимание системы SPC в производстве пластин
SPC (статистический контроль процесса) — важнейший инструмент в процессе производства пластин, используемый для мониторинга, контроля и повышения стабильности различных этапов производства. 1. Обзор системы SPC SPC — это метод, который использует ста...Читать далее -
Почему эпитаксия выполняется на пластинчатой подложке?
Выращивание дополнительного слоя атомов кремния на подложке из кремниевой пластины имеет несколько преимуществ: В процессах производства кремния КМОП эпитаксиальный рост (ЭПИ) на подложке из пластины является критически важным этапом процесса. 1. Улучшение качества кристалла...Читать далее -
Принципы, процессы, методы и оборудование для очистки пластин
Влажная очистка (Wet Clean) — один из важнейших этапов в процессах производства полупроводников, направленный на удаление различных загрязнений с поверхности пластины для обеспечения возможности выполнения последующих этапов процесса на чистой поверхности. ...Читать далее -
Связь между кристаллическими плоскостями и ориентацией кристалла.
Кристаллические плоскости и кристаллическая ориентация являются двумя основными концепциями в кристаллографии, тесно связанными со структурой кристалла в технологии кремниевых интегральных схем. 1. Определение и свойства кристаллической ориентации Кристаллическая ориентация представляет собой определенное направление...Читать далее -
Каковы преимущества процессов сквозного стеклянного отверстия (TGV) и сквозного кремниевого отверстия (TSV) по сравнению с TGV?
Преимущества процессов сквозного стеклянного отверстия (TGV) и сквозного кремниевого отверстия (TSV) по сравнению с TGV заключаются в следующем: (1) превосходные высокочастотные электрические характеристики. Стеклянный материал является изолятором, диэлектрическая проницаемость составляет всего около 1/3 от диэлектрической проницаемости кремниевого материала, а коэффициент потерь равен 2-...Читать далее -
Применение проводящих и полуизолированных подложек из карбида кремния
Подложка из карбида кремния делится на полуизолирующий тип и проводящий тип. В настоящее время основная спецификация полуизолированных подложек из карбида кремния составляет 4 дюйма. В проводящей подложке из карбида кремния...Читать далее -
Существуют ли также различия в применении сапфировых пластин с разной ориентацией кристаллов?
Сапфир представляет собой монокристалл оксида алюминия, принадлежит к трехкомпонентной кристаллической системе, имеет гексагональную структуру, его кристаллическая структура состоит из трех атомов кислорода и двух атомов алюминия в ковалентном типе связи, расположенных очень близко, с прочной цепью связей и энергией решетки, в то время как его кристаллическое строение...Читать далее -
В чем разница между проводящей подложкой SiC и полуизолированной подложкой?
Устройство из карбида кремния SiC относится к устройству, изготовленному из карбида кремния в качестве сырья. В соответствии с различными свойствами сопротивления оно делится на проводящие силовые устройства из карбида кремния и полуизолированные радиочастотные устройства из карбида кремния. Основные формы устройства и...Читать далее -
Статья знакомит вас с TGV
Что такое TGV? TGV (Through-Glass via) — технология создания сквозных отверстий на стеклянной подложке. Проще говоря, TGV — это высотное здание, которое пробивает, заполняет и соединяет стекло сверху и снизу для создания интегральных схем на стеклянной поверхности.Читать далее -
Каковы показатели оценки качества поверхности пластин?
С непрерывным развитием полупроводниковой технологии, в полупроводниковой промышленности и даже в фотоэлектрической промышленности, требования к качеству поверхности подложки пластины или эпитаксиального листа также очень строгие. Итак, каковы требования к качеству ...Читать далее -
Насколько хорошо вы знаете процесс выращивания монокристаллов SiC?
Карбид кремния (SiC), как вид широкозонного полупроводникового материала, играет все более важную роль в применении современной науки и техники. Карбид кремния обладает превосходной термической стабильностью, высокой устойчивостью к электрическому полю, преднамеренной проводимостью и...Читать далее