Новости
-
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD
В производстве полупроводников, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, эпитаксиальные методы, или методы осаждения тонких плёнок, не менее важны. В данной статье рассматриваются несколько распространённых методов осаждения тонких плёнок, используемых при изготовлении микросхем, включая MOCVD, магнитоэлектрофорез...Читать далее -
Сапфировые защитные трубки для термопар: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля. В современных отраслях промышленности, работающих во всё более сложных и экстремальных условиях, точный и надёжный мониторинг температуры становится всё более важным. Среди различных технологий измерения температуры термопары получили широкое распространение благодаря...Читать далее -
Карбид кремния освещает очки дополненной реальности, открывая безграничные новые визуальные возможности
Историю человеческих технологий часто можно рассматривать как неустанное стремление к «улучшениям» — внешним инструментам, усиливающим естественные возможности. Например, огонь служил «дополнительной» пищеварительной системой, высвобождая больше энергии для развития мозга. Радио, появившееся в конце XIX века, стало…Читать далее -
Сапфир: «Магия», скрытая в прозрачных драгоценных камнях
Вы когда-нибудь восхищались яркой синевой сапфира? Этот ослепительный драгоценный камень, ценимый за свою красоту, таит в себе секретную «научную сверхспособность», которая может произвести революцию в технологиях. Недавние прорывы китайских учёных раскрыли скрытые термические тайны кристаллов сапфира...Читать далее -
Выращенный в лаборатории цветной сапфир – будущее ювелирных материалов? Комплексный анализ его преимуществ и тенденций
В последние годы выращенные в лаборатории цветные сапфиры стали революционным материалом в ювелирной промышленности. Эти синтетические драгоценные камни, предлагающие более яркую цветовую гамму, чем традиционный синий сапфир, производятся с использованием передовых технологий.Читать далее -
Прогнозы и проблемы полупроводниковых материалов пятого поколения
Полупроводники служат краеугольным камнем информационной эпохи, и каждое новое поколение материалов переопределяет границы человеческих технологий. От кремниевых полупроводников первого поколения до современных сверхширокозонных материалов четвёртого поколения — каждый эволюционный скачок приводил к переходу...Читать далее -
В будущем лазерная резка станет основной технологией резки карбида кремния толщиной 8 дюймов. Коллекция вопросов и ответов
В: Какие основные технологии используются для резки и обработки пластин SiC? О: Карбид кремния (SiC) по твёрдости уступает только алмазу и считается очень твёрдым и хрупким материалом. Процесс резки, включающий резку выращенных кристаллов на тонкие пластины,...Читать далее -
Текущее состояние и тенденции технологии обработки пластин SiC
Монокристаллический карбид кремния (SiC), являясь полупроводниковым подложечным материалом третьего поколения, имеет широкие перспективы применения в производстве высокочастотных и мощных электронных устройств. Технология обработки SiC играет решающую роль в производстве высококачественных подложек...Читать далее -
Сапфир: в гардеробе «топ-класса» присутствует не только синий цвет.
Сапфир, «главная звезда» семейства корундов, подобен изысканному молодому человеку в «тёмно-синем костюме». Но, встретившись с ним много раз, вы обнаружите, что его гардероб не просто «синий» и не просто «тёмно-синий». От «василькового» до…Читать далее -
Композиты на основе алмаза и меди – следующее большое достижение!
С 1980-х годов плотность интеграции электронных схем ежегодно увеличивается в 1,5 раза и более. Более высокая степень интеграции приводит к увеличению плотности тока и тепловыделения во время работы. Если тепло не рассеивать эффективно, оно может привести к тепловому отказу и снижению срока службы.Читать далее -
Первое поколение Второе поколение Третье поколение полупроводниковых материалов
Полупроводниковые материалы прошли через три преобразующих поколения: 1-е поколение (Si/Ge) заложило основу современной электроники, 2-е поколение (GaAs/InP) преодолело оптоэлектронные и высокочастотные барьеры, обеспечив информационную революцию, 3-е поколение (SiC/GaN) теперь решает проблемы энергетики и внеш...Читать далее -
Процесс производства кремния на изоляторе
Пластины SOI (кремний на изоляторе) представляют собой специализированный полупроводниковый материал, состоящий из сверхтонкого слоя кремния, сформированного поверх изолирующего оксидного слоя. Эта уникальная сэндвич-структура обеспечивает значительное повышение производительности полупроводниковых приборов. Структурный состав:...Читать далее