В настоящее время наша компания может продолжать поставлять небольшие партии пластин SiC типа 8 дюймовN. Если у вас есть потребности в образцах, пожалуйста, свяжитесь со мной.У нас есть несколько образцов пластин, готовых к отправке.
В области полупроводниковых материалов компания совершила крупный прорыв в исследовании и разработке кристаллов SiC большого размера.Используя собственные затравочные кристаллы после многократного увеличения диаметра, компания успешно вырастила 8-дюймовые кристаллы SiC N-типа, которые решают сложные проблемы, такие как неравномерность температурного поля, растрескивание кристаллов и распределение сырья в газовой фазе в процессе роста. 8-дюймовые кристаллы SIC, ускоряющие рост кристаллов SIC большого размера и автономную и контролируемую технологию обработки.Значительно повысит конкурентоспособность компании в отрасли монокристаллических подложек SiC.В то же время компания активно продвигает накопление технологий и процессов экспериментальной линии по подготовке подложек из карбида кремния большого размера, укрепляет технический обмен и промышленное сотрудничество в областях разведки и переработки, а также сотрудничает с клиентами для постоянного улучшения характеристик продукции и совместно способствует темпам промышленного применения карбидокремниевых материалов.
| Характеристики 8-дюймового SiC DSP N-типа | |||||
| Число | Элемент | Единица | Производство | Исследовать | Дурачок |
| 1. Параметры | |||||
| 1.1 | политип | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ориентация поверхности | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Электрический параметр | |||||
| 2.1 | присадка | -- | Азот n-типа | Азот n-типа | Азот n-типа |
| 2.2 | удельное сопротивление | ом·см | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Механический параметр | |||||
| 3.1 | диаметр | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | толщина | мкм | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Ориентация выреза | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Глубина выреза | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3,5 | Общая ценность | мкм | ≤5(10мм*10мм) | ≤5(10мм*10мм) | ≤10(10мм*10мм) |
| 3.6 | ТТВ | мкм | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3,7 | Поклон | мкм | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3,8 | Деформация | мкм | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3,9 | АСМ | nm | Ра≤0,2 | Ра≤0,2 | Ра≤0,2 |
| 4. Структура | |||||
| 4.1 | плотность микротрубок | шт/см2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | содержание металла | атомов/см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ТСД | шт/см2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | БЛД | шт/см2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | ТЕД | шт/см2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Положительное качество | |||||
| 5.1 | передний | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | чистота поверхности | -- | Si-лицо CMP | Si-лицо CMP | Si-лицо CMP |
| 5.3 | частица | шт/вафля | ≤100 (размер≥0,3 мкм) | NA | NA |
| 5.4 | царапать | шт/вафля | ≤5, общая длина≤200 мм | NA | NA |
| 5,5 | Край сколы/вмятины/трещины/пятна/загрязнения | -- | Никто | Никто | NA |
| 5,6 | Политипные области | -- | Никто | Площадь ≤10% | Площадь ≤30% |
| 5,7 | передняя маркировка | -- | Никто | Никто | Никто |
| 6. Качество спинки | |||||
| 6.1 | задняя отделка | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | царапать | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Край задних дефектов сколы/вмятины | -- | Никто | Никто | NA |
| 6.4 | Задняя шероховатость | nm | Ра≤5 | Ра≤5 | Ра≤5 |
| 6,5 | Задняя маркировка | -- | Нотч | Нотч | Нотч |
| 7. Край | |||||
| 7.1 | край | -- | Фаска | Фаска | Фаска |
| 8. Пакет | |||||
| 8.1 | упаковка | -- | Эпи-готовность с вакуумом упаковка | Эпи-готовность с вакуумом упаковка | Эпи-готовность с вакуумом упаковка |
| 8.2 | упаковка | -- | Мультивафельный кассетная упаковка | Мультивафельный кассетная упаковка | Мультивафельный кассетная упаковка |
Время публикации: 18 апреля 2023 г.