Композитные подложки из карбида кремния N-типа на кремнии, диаметр 6 дюймов.

Краткое описание:

Композитные подложки из карбида кремния n-типа на кремниевой подложке представляют собой полупроводниковые материалы, состоящие из слоя карбида кремния (SiC) n-типа, нанесенного на кремниевую (Si) подложку.


Функции

等级Оценка

У 级

П 级

Д 级

Низкая степень БПД

Производственный класс

Оценка фиктивного образца

直径Диаметр

150,0 мм ± 0,25 мм

厚度Толщина

500 мкм ± 25 мкм

晶片方向Ориентация пластины

Отклонение от оси: 4,0° в сторону < 11-20 > ±0,5° для 4H-N. На оси: <0001> ±0,5° для 4H-SI.

主定位边方向Основная квартира

{10-10}±5.0°

主定位边长度Основная плоская длина

47,5 мм ± 2,5 мм

边缘Исключение края

3 мм

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Лук/Деформация

≤15 мкм /≤40 мкм /≤60 мкм

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 см-2

MPD≤5 см-2

MPD≤15 см-2

ДПД≤1000 см-2

电阻率Сопротивление

≥1E5 Ом·см

表面粗糙度Шероховатость

Польское Ra≤1 нм

CMP Ra≤0,5 нм

裂纹(强光灯观测) #

Никто

Суммарная длина ≤10 мм, длина одного элемента ≤2 мм

Трещины от света высокой интенсивности

六方空洞 (强光灯观测)*

Суммарная площадь ≤1%

Суммарная площадь ≤5%

Шестигранные пластины под воздействием света высокой интенсивности

多型(强光灯观测)*

Никто

Суммарная площадь ≤5%

Политипные участки при высокой интенсивности света

划痕(强光灯观测)*&

3 царапины на 1 диаметр пластины

5 царапин на 1 × диаметр пластины

Царапины от света высокой интенсивности

суммарная длина

суммарная длина

崩边# Краевой чип

Никто

Допускается 5, ≤1 мм каждый

表面污染物(强光灯观测)

Никто

Загрязнение светом высокой интенсивности

 

Подробная схема

WeChatfb506868f1be4983f80912519e79dd7b

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.