Композитные подложки SiC N-типа диаметром 6 дюймов. Высококачественная монокристаллическая подложка и подложка низкого качества.

Обозначение «N-тип» относится к типу легирования, используемого в материалах SiC. В физике полупроводников легирование предполагает преднамеренное введение примесей в полупроводник для изменения его электрических свойств. Легирование N-типа вводит элементы, которые обеспечивают избыток свободных электронов, придавая материалу отрицательную концентрацию носителей заряда.

К преимуществам композитных подложек SiC N-типа относятся:

1. Высокотемпературные характеристики: карбид кремния обладает высокой теплопроводностью и может работать при высоких температурах, что делает его пригодным для мощных и высокочастотных электронных приложений.

2. Высокое напряжение пробоя: материалы SiC имеют высокое напряжение пробоя, что позволяет им выдерживать сильные электрические поля без электрического пробоя.

3. Химическая стойкость и устойчивость к окружающей среде. Карбид кремния химически стоек и может выдерживать суровые условия окружающей среды, что делает его пригодным для использования в сложных условиях.

4. Снижение потерь мощности. По сравнению с традиционными материалами на основе кремния, подложки SiC обеспечивают более эффективное преобразование энергии и снижают потери мощности в электронных устройствах.

5. Широкая запрещенная зона: SiC имеет широкую запрещенную зону, что позволяет разрабатывать электронные устройства, способные работать при более высоких температурах и более высокой плотности мощности.

В целом, композитные подложки SiC N-типа предлагают значительные преимущества для разработки высокопроизводительных электронных устройств, особенно в приложениях, где критически важны работа при высоких температурах, высокая плотность мощности и эффективное преобразование энергии.