Композитные подложки из карбида кремния N-типа, диаметр 6 дюймов. Высококачественные монокристаллические и низкокачественные подложки.
Таблица общих параметров композитных подложек из карбида кремния N-типа
| 项目Предметы | 指标Спецификация | 项目Предметы | 指标Спецификация |
| 直径Диаметр | 150±0,2 мм | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Шероховатость передней (Si) поверхности | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) |
| 晶型Политип | 4H | Сколы, царапины, трещины по краям (визуальный осмотр) | Никто |
| 电阻率Сопротивление | 0,015-0,025 Ом·см | 总厚度变化ТТВ | ≤3 мкм |
| Толщина переносного слоя | ≥0,4 мкм | 翘曲度Искажение | ≤35 мкм |
| 空洞Пустота | ≤5 шт./пластина (2 мм > диаметр > 0,5 мм) | 总厚度Толщина | 350±25 мкм |
Обозначение «N-тип» относится к типу легирования, используемого в материалах SiC. В физике полупроводников легирование включает в себя преднамеренное введение примесей в полупроводник для изменения его электрических свойств. При легировании N-типа вводятся элементы, обеспечивающие избыток свободных электронов, что приводит к отрицательной концентрации носителей заряда в материале.
К преимуществам композитных подложек из карбида кремния N-типа относятся:
1. Высокотемпературные характеристики: Карбид кремния обладает высокой теплопроводностью и может работать при высоких температурах, что делает его подходящим для мощных и высокочастотных электронных устройств.
2. Высокое напряжение пробоя: материалы на основе карбида кремния обладают высоким напряжением пробоя, что позволяет им выдерживать высокие электрические поля без электрического пробоя.
3. Химическая и экологическая стойкость: Карбид кремния (SiC) обладает химической стойкостью и способен выдерживать суровые условия окружающей среды, что делает его пригодным для использования в сложных областях применения.
4. Снижение потерь мощности: По сравнению с традиционными материалами на основе кремния, подложки из карбида кремния обеспечивают более эффективное преобразование энергии и снижают потери мощности в электронных устройствах.
5. Широкая запрещенная зона: SiC обладает широкой запрещенной зоной, что позволяет разрабатывать электронные устройства, способные работать при более высоких температурах и более высоких удельных мощностях.
В целом, композитные подложки из N-типа SiC обладают значительными преимуществами для разработки высокопроизводительных электронных устройств, особенно в тех областях применения, где критически важны работа при высоких температурах, высокая удельная мощность и эффективное преобразование энергии.