Композитные подложки SiC N-типа диаметром 6 дюймов Высококачественные монокристаллические и низкокачественные подложки
Таблица общих параметров композитных подложек SiC N-типа
| 项目Предметы | 指标Спецификация | 项目Предметы | 指标Спецификация |
| 直径Диаметр | 150±0,2 мм | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Шероховатость передней (Si-face) поверхности | Ra≤0,2нм (5мкм*5мкм) |
| 晶型Политип | 4H | Скол, царапина, трещина на кромке (визуальный осмотр) | Никто |
| 电阻率Удельное сопротивление | 0,015-0,025 Ом · см | 总厚度变化ТТВ | ≤3мкм |
| Толщина слоя переноса | ≥0,4 мкм | 翘曲度Варп | ≤35мкм |
| 空洞Пустота | ≤5 шт./пластина (2 мм>D>0,5 мм) | 总厚度Толщина | 350±25мкм |
Обозначение «N-тип» относится к типу легирования, используемому в материалах SiC. В физике полупроводников легирование подразумевает преднамеренное введение примесей в полупроводник для изменения его электрических свойств. Легирование N-типа вводит элементы, которые обеспечивают избыток свободных электронов, придавая материалу концентрацию отрицательных носителей заряда.
Преимущества композитных подложек SiC N-типа включают в себя:
1. Высокотемпературные характеристики: SiC обладает высокой теплопроводностью и может работать при высоких температурах, что делает его пригодным для использования в мощных и высокочастотных электронных устройствах.
2. Высокое напряжение пробоя: материалы SiC имеют высокое напряжение пробоя, что позволяет им выдерживать сильные электрические поля без электрического пробоя.
3. Химическая и экологическая стойкость: SiC химически стоек и может выдерживать суровые условия окружающей среды, что делает его пригодным для использования в сложных условиях.
4. Снижение потерь мощности: по сравнению с традиционными материалами на основе кремния, подложки SiC обеспечивают более эффективное преобразование энергии и снижают потери мощности в электронных устройствах.
5. Широкая запрещенная зона: SiC имеет широкую запрещенную зону, что позволяет разрабатывать электронные устройства, способные работать при более высоких температурах и с более высокой плотностью мощности.
В целом, композитные подложки SiC N-типа обеспечивают значительные преимущества для разработки высокопроизводительных электронных устройств, особенно в приложениях, где критически важны работа при высоких температурах, высокая плотность мощности и эффективное преобразование энергии.