Пластина InSb 2 дюйма 3 дюйма нелегированная N-типа P-типа ориентация 111 100 для инфракрасных детекторов

Краткое описание:

Пластины антимонида индия (InSb) являются ключевыми материалами, используемыми в технологиях обнаружения инфракрасного излучения благодаря своей узкой запрещенной зоне и высокой подвижности электронов. Эти пластины доступны диаметром 2 и 3 дюйма (5,5 см) в нелегированном, N- и P-типе исполнениях. Пластины изготавливаются с ориентацией 100 и 111, что обеспечивает гибкость для различных приложений обнаружения инфракрасного излучения и полупроводниковой промышленности. Высокая чувствительность и низкий уровень шума пластин InSb делают их идеальными для использования в средневолновых инфракрасных (MWIR) детекторах, системах инфракрасной визуализации и других оптоэлектронных устройствах, требующих точности и высокой производительности.

Написать нам письмо

Функции

Варианты допинга:
1.Нелегированный:Эти пластины не содержат никаких легирующих примесей и в основном используются для специализированных применений, таких как эпитаксиальный рост, где пластина действует как чистая подложка.
2.N-тип (легированный Te):Легирование теллуром (Te) используется для создания пластин N-типа, что обеспечивает высокую подвижность электронов и делает их пригодными для инфракрасных детекторов, высокоскоростной электроники и других приложений, требующих эффективного потока электронов.
3.P-тип (легированный Ge):Легирование германием (Ge) используется для создания пластин P-типа, обеспечивающих высокую подвижность дырок и превосходные характеристики для инфракрасных датчиков и фотодетекторов.

Варианты размеров:
1. Пластины доступны диаметром 2 и 3 дюйма. Это обеспечивает совместимость с различными технологиями и устройствами производства полупроводников.
2. 2-дюймовая пластина имеет диаметр 50,8±0,3 мм, а 3-дюймовая — диаметр 76,2±0,3 мм.

Ориентация:
1. Пластины доступны с ориентацией 100 и 111. Ориентация 100 идеально подходит для высокоскоростной электроники и инфракрасных детекторов, тогда как ориентация 111 часто используется для устройств, требующих особых электрических или оптических свойств.

Качество поверхности:
1. Эти пластины имеют полированные/травленые поверхности превосходного качества, что обеспечивает оптимальную производительность в приложениях, требующих точных оптических или электрических характеристик.
2.Подготовка поверхности обеспечивает низкую плотность дефектов, что делает эти пластины идеальными для применений в области инфракрасного обнаружения, где стабильность характеристик имеет решающее значение.

Epi-Ready:
1. Эти пластины готовы к эпитаксии, что делает их пригодными для применений, включающих эпитаксиальный рост, когда на пластину будут наноситься дополнительные слои материала для изготовления современных полупроводниковых или оптоэлектронных устройств.

Приложения

1.Инфракрасные детекторы:Пластины InSb широко используются для изготовления инфракрасных детекторов, особенно в средневолновом инфракрасном диапазоне (MWIR). Они незаменимы в системах ночного видения, тепловизионных системах и военных приложениях.
2.Инфракрасные системы визуализации:Высокая чувствительность пластин InSb позволяет получать точные инфракрасные изображения в различных областях, включая безопасность, наблюдение и научные исследования.
3.Высокоскоростная электроника:Благодаря высокой подвижности электронов эти пластины используются в современных электронных устройствах, таких как высокоскоростные транзисторы и оптоэлектронные приборы.
4. Устройства с квантовыми ямами:Пластины InSb идеально подходят для применения в квантовых ямах в лазерах, детекторах и других оптоэлектронных системах.

Параметры продукта

Параметр	2-дюймовый	3-дюймовый
Диаметр	50,8±0,3 мм	76,2±0,3 мм
Толщина	500±5мкм	650±5мкм
Поверхность	Полированный/травленый	Полированный/травленый
Тип допинга	Нелегированный, легированный Te (N), легированный Ge (P)	Нелегированный, легированный Te (N), легированный Ge (P)
Ориентация	100, 111	100, 111
Упаковка	Одинокий	Одинокий
Epi-Ready	Да	Да

Электрические параметры для легированных теллуром (N-типа):

Мобильность: 2000-5000 см²/В·с
Удельное сопротивление: (1-1000) Ом·см
EPD (плотность дефектов): ≤2000 дефектов/см²

Электрические параметры для легированных германием (P-типа):

Мобильность: 4000-8000 см²/В·с
Удельное сопротивление: (0,5-5) Ом·см

EPD (плотность дефектов): ≤2000 дефектов/см²

Вопросы и ответы (часто задаваемые вопросы)

В1: Какой тип легирования является идеальным для применения в инфракрасном детектировании?

А1:Легированный Te (N-тип)Пластины, как правило, являются идеальным выбором для приложений инфракрасного обнаружения, поскольку они обеспечивают высокую подвижность электронов и превосходные характеристики в детекторах и системах визуализации средневолнового инфракрасного диапазона (MWIR).

В2: Могу ли я использовать эти пластины для высокоскоростных электронных приложений?

A2: Да, пластины InSb, особенно те, которые имеютлегирование N-типаи100 ориентация, хорошо подходят для высокоскоростной электроники, такой как транзисторы, приборы с квантовыми ямами и оптоэлектронные компоненты, благодаря высокой подвижности электронов.

В3: В чем разница между ориентациями 100 и 111 для пластин InSb?

A3:100Ориентация обычно используется для устройств, требующих высокоскоростной электронной производительности, в то время как111Ориентация часто используется для особых приложений, требующих различных электрических или оптических характеристик, включая некоторые оптоэлектронные устройства и датчики.

В4: Каково значение функции Epi-Ready для пластин InSb?

А4:Epi-ReadyЭта особенность означает, что пластина предварительно подготовлена для процессов эпитаксиального осаждения. Это критически важно для приложений, требующих выращивания дополнительных слоёв материала поверх пластины, например, при производстве современных полупроводниковых или оптоэлектронных устройств.

В5: Каковы типичные области применения пластин InSb в области инфракрасных технологий?

A5: Пластины InSb в основном используются в инфракрасных системах обнаружения, тепловизионных системах, системах ночного видения и других инфракрасных сенсорных технологиях. Высокая чувствительность и низкий уровень шума делают их идеальными длясредневолновый инфракрасный диапазон (MWIR)детекторы.

В6: Как толщина пластины влияет на ее производительность?

A6: Толщина пластины играет решающую роль в её механической стабильности и электрических характеристиках. Более тонкие пластины часто используются в более чувствительных приложениях, где требуется точный контроль свойств материала, в то время как более толстые пластины обеспечивают повышенную прочность в некоторых промышленных приложениях.

В7: Как выбрать подходящий размер пластины для моего применения?

A7: Подходящий размер пластины зависит от конкретного разрабатываемого устройства или системы. Пластины меньшего размера (2 дюйма) часто используются для исследований и мелкосерийных приложений, тогда как пластины большего размера (3 дюйма) обычно применяются для массового производства и более крупных устройств, требующих больше материала.

Заключение

Пластины InSb в2-дюймовыйи3-дюймовыйразмеры, снелегированный, N-типа, иP-типавариации, очень ценны в полупроводниковых и оптоэлектронных приложениях, особенно в системах инфракрасного обнаружения.100и111Ориентация обеспечивает гибкость для различных технологических задач, от высокоскоростной электроники до систем инфракрасной визуализации. Благодаря исключительной подвижности электронов, низкому уровню шума и прецизионному качеству поверхности эти пластины идеально подходят длясредневолновые инфракрасные детекторыи другие высокопроизводительные приложения.