Диаметр пластины HPSI SiC: толщина 3 дюйма: 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники

Диаметр пластины HPSI SiC: 3 дюйма, толщина: 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Пластина SiC HPSI (карбид кремния высокой чистоты) диаметром 3 дюйма и толщиной 350 ± 25 мкм разработана специально для приложений силовой электроники, требующих высокопроизводительных подложек. Эта пластина SiC обеспечивает превосходную теплопроводность, высокое напряжение пробоя и эффективность при высоких рабочих температурах, что делает ее идеальным выбором для удовлетворения растущего спроса на энергоэффективные и надежные силовые электронные устройства. Пластины SiC особенно подходят для высоковольтных, сильноточных и высокочастотных приложений, где традиционные кремниевые подложки не соответствуют эксплуатационным требованиям.
Наша пластина HPSI SiC, изготовленная с использованием новейших передовых технологий, доступна в нескольких марках, каждый из которых разработан для удовлетворения конкретных производственных требований. Пластина демонстрирует выдающуюся структурную целостность, электрические свойства и качество поверхности, гарантируя, что она может обеспечить надежную работу в требовательных приложениях, включая силовые полупроводники, электромобили (EV), системы возобновляемых источников энергии и промышленное преобразование энергии.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Приложение

Пластины HPSI SiC используются в широком спектре приложений силовой электроники, в том числе:

Силовые полупроводники:Пластины SiC обычно используются в производстве силовых диодов, транзисторов (MOSFET, IGBT) и тиристоров. Эти полупроводники широко используются в приложениях преобразования энергии, требующих высокой эффективности и надежности, например, в приводах промышленных двигателей, источниках питания и инверторах для систем возобновляемых источников энергии.
Электромобили (EV):В силовых агрегатах электромобилей силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую скорость переключения, более высокую энергоэффективность и снижение тепловых потерь. Компоненты SiC идеально подходят для применения в системах управления батареями (BMS), инфраструктуре зарядки и бортовых зарядных устройствах (OBC), где минимизация веса и максимизация эффективности преобразования энергии имеют решающее значение.

Системы возобновляемой энергии:Пластины SiC все чаще используются в солнечных инверторах, ветряных генераторах и системах хранения энергии, где важны высокая эффективность и надежность. Компоненты на основе SiC обеспечивают более высокую плотность мощности и повышенную производительность в этих приложениях, улучшая общую эффективность преобразования энергии.

Промышленная силовая электроника:В высокопроизводительных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, робототехника и крупномасштабные источники питания, использование пластин SiC позволяет повысить производительность с точки зрения эффективности, надежности и управления температурным режимом. Устройства SiC могут работать с высокими частотами переключения и высокими температурами, что делает их пригодными для работы в сложных условиях.

Телекоммуникации и центры обработки данных:Карбид кремния используется в источниках питания телекоммуникационного оборудования и центров обработки данных, где решающее значение имеют высокая надежность и эффективное преобразование энергии. Силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую эффективность при меньших размерах, что приводит к снижению энергопотребления и повышению эффективности охлаждения в крупномасштабных инфраструктурах.

Высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление в открытом состоянии и превосходная теплопроводность пластин SiC делают их идеальной подложкой для этих передовых приложений, позволяя разрабатывать энергоэффективную силовую электронику нового поколения.

Характеристики

Свойство	Ценить
Диаметр пластины	3 дюйма (76,2 мм)
Толщина пластины	350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины	<0001> по оси ± 0,5°
Плотность микротрубок (MPD)	≤ 1 см⁻²
Электрическое сопротивление	≥ 1E7 Ом·см
легирующая примочка	Нелегированный
Первичная плоская ориентация	{11-20} ± 5,0°
Основная плоская длина	32,5 мм ± 3,0 мм
Вторичная плоская длина	18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская ориентация	Si лицевой стороной вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0°
Исключение краев	3 мм
LTV/TTV/Лук/Деформация	3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм
Шероховатость поверхности	Лицо C: полированное, Лицо Si: CMP
Трещины (проверка при помощи света высокой интенсивности)	Никто
Шестигранные пластины (проверяются при помощи света высокой интенсивности)	Никто
Политипные области (проверяются при помощи света высокой интенсивности)	Совокупная площадь 5%
Царапины (проверяются при помощи света высокой интенсивности)	≤ 5 царапин, совокупная длина ≤ 150 мм
Сколы кромок	Не допускается Ширина и глубина ≥ 0,5 мм
Загрязнение поверхности (проверка с помощью света высокой интенсивности)	Никто

Ключевые преимущества

Высокая теплопроводность:Пластины SiC известны своей исключительной способностью рассеивать тепло, что позволяет силовым устройствам работать с более высоким КПД и выдерживать более высокие токи без перегрева. Эта функция имеет решающее значение в силовой электронике, где управление теплом является серьезной проблемой.
Высокое напряжение пробоя:Широкая запрещенная зона SiC позволяет устройствам выдерживать более высокие уровни напряжения, что делает их идеальными для высоковольтных приложений, таких как электросети, электромобили и промышленное оборудование.
Высокая эффективность:Сочетание высоких частот переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии приводит к созданию устройств с меньшими потерями энергии, повышению общей эффективности преобразования энергии и снижению необходимости в сложных системах охлаждения.
Надежность в суровых условиях:SiC способен работать при высоких температурах (до 600°C), что делает его пригодным для использования в средах, которые в противном случае могли бы повредить традиционные устройства на основе кремния.
Экономия энергии:Силовые устройства SiC повышают эффективность преобразования энергии, что имеет решающее значение для снижения энергопотребления, особенно в таких крупных системах, как промышленные преобразователи энергии, электромобили и инфраструктура возобновляемых источников энергии.