Диаметр пластины HPSI SiC: толщина 3 дюйма: 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники
Приложение
Пластины HPSI SiC используются в широком спектре приложений силовой электроники, в том числе:
Силовые полупроводники:Пластины SiC обычно используются в производстве силовых диодов, транзисторов (MOSFET, IGBT) и тиристоров. Эти полупроводники широко используются в приложениях преобразования энергии, требующих высокой эффективности и надежности, например, в приводах промышленных двигателей, источниках питания и инверторах для систем возобновляемых источников энергии.
Электромобили (EV):В силовых агрегатах электромобилей силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую скорость переключения, более высокую энергоэффективность и снижение тепловых потерь. Компоненты SiC идеально подходят для применения в системах управления батареями (BMS), зарядной инфраструктуре и бортовых зарядных устройствах (OBC), где минимизация веса и максимизация эффективности преобразования энергии имеют решающее значение.
Возобновляемые энергетические системы:Пластины SiC все чаще используются в солнечных инверторах, ветряных генераторах и системах хранения энергии, где важны высокая эффективность и надежность. Компоненты на основе SiC обеспечивают более высокую плотность мощности и повышенную производительность в этих приложениях, повышая общую эффективность преобразования энергии.
Промышленная силовая электроника:В высокопроизводительных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, робототехника и крупномасштабные источники питания, использование пластин SiC позволяет повысить производительность с точки зрения эффективности, надежности и управления температурным режимом. Устройства SiC могут выдерживать высокие частоты переключения и высокие температуры, что делает их пригодными для работы в сложных условиях.
Телекоммуникации и центры обработки данных:Карбид кремния используется в источниках питания телекоммуникационного оборудования и центров обработки данных, где решающее значение имеют высокая надежность и эффективное преобразование энергии. Силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую эффективность при меньших размерах, что приводит к снижению энергопотребления и повышению эффективности охлаждения в крупномасштабных инфраструктурах.
Высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление в открытом состоянии и превосходная теплопроводность пластин SiC делают их идеальной подложкой для этих передовых приложений, позволяя разрабатывать энергоэффективную силовую электронику нового поколения.
Характеристики
Свойство | Ценить |
Диаметр пластины | 3 дюйма (76,2 мм) |
Толщина пластины | 350 мкм ± 25 мкм |
Ориентация пластины | <0001> по оси ± 0,5° |
Плотность микротрубок (MPD) | ≤ 1 см⁻² |
Электрическое сопротивление | ≥ 1E7 Ом·см |
легирующая примочка | Нелегированный |
Первичная плоская ориентация | {11-20} ± 5,0° |
Основная плоская длина | 32,5 мм ± 3,0 мм |
Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм |
Вторичная плоская ориентация | Si лицевой стороной вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоскости ± 5,0° |
Исключение краев | 3 мм |
LTV/TTV/Лук/Деформация | 3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм |
Шероховатость поверхности | Лицо C: полированное, Лицо Si: CMP |
Трещины (проверка с помощью света высокой интенсивности) | Никто |
Шестигранные пластины (проверяются при помощи света высокой интенсивности) | Никто |
Политипные области (проверяются при помощи света высокой интенсивности) | Совокупная площадь 5% |
Царапины (проверяются при помощи света высокой интенсивности) | ≤ 5 царапин, совокупная длина ≤ 150 мм |
Сколы кромок | Не допускается Ширина и глубина ≥ 0,5 мм |
Загрязнение поверхности (проверка с помощью света высокой интенсивности) | Никто |
Ключевые преимущества
Высокая теплопроводность:Пластины SiC известны своей исключительной способностью рассеивать тепло, что позволяет силовым устройствам работать с более высоким КПД и выдерживать более высокие токи без перегрева. Эта функция имеет решающее значение в силовой электронике, где управление теплом является серьезной проблемой.
Высокое напряжение пробоя:Широкая запрещенная зона SiC позволяет устройствам выдерживать более высокие уровни напряжения, что делает их идеальными для высоковольтных приложений, таких как электросети, электромобили и промышленное оборудование.
Высокая эффективность:Сочетание высоких частот переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии приводит к созданию устройств с меньшими потерями энергии, повышению общей эффективности преобразования энергии и снижению необходимости в сложных системах охлаждения.
Надежность в суровых условиях:SiC способен работать при высоких температурах (до 600°C), что делает его пригодным для использования в средах, которые в противном случае могли бы повредить традиционные устройства на основе кремния.
Экономия энергии:Силовые устройства SiC повышают эффективность преобразования энергии, что имеет решающее значение для снижения энергопотребления, особенно в таких крупных системах, как промышленные преобразователи энергии, электромобили и инфраструктура возобновляемых источников энергии.