Пластина HPSI SiC диаметром 3 дюйма, толщиной 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники

Краткое описание:

Пластина из карбида кремния высокой чистоты (HPSI) диаметром 3 дюйма (7,5 см) и толщиной 350 мкм ± 25 мкм разработана специально для силовой электроники, требующей высокопроизводительных подложек. Эта пластина из карбида кремния (SiC) обладает превосходной теплопроводностью, высоким пробивным напряжением и эффективностью при высоких рабочих температурах, что делает её идеальным выбором для удовлетворения растущего спроса на энергоэффективные и надёжные силовые электронные устройства. Пластины из карбида кремния (SiC) особенно подходят для высоковольтных, сильноточных и высокочастотных приложений, где традиционные кремниевые подложки не отвечают эксплуатационным требованиям.
Наши пластины HPSI SiC, изготовленные с использованием новейших передовых технологий, доступны в нескольких вариантах, каждый из которых разработан для удовлетворения конкретных производственных требований. Пластина обладает превосходной структурной целостностью, электрическими свойствами и качеством поверхности, что гарантирует её надёжную работу в сложных условиях, включая силовые полупроводники, электромобили, системы возобновляемой энергии и промышленные преобразователи энергии.


Функции

Приложение

Пластины HPSI SiC используются в широком спектре приложений силовой электроники, включая:

Силовые полупроводники:Пластины SiC обычно используются для производства силовых диодов, транзисторов (MOSFET, IGBT) и тиристоров. Эти полупроводники широко применяются в преобразователях энергии, требующих высокой эффективности и надежности, например, в промышленных электроприводах, источниках питания и инверторах для систем возобновляемой энергетики.
Электромобили (ЭМ):В силовых агрегатах электромобилей силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую скорость переключения, более высокую энергоэффективность и снижение тепловых потерь. Компоненты SiC идеально подходят для применения в системах управления аккумуляторными батареями (BMS), зарядной инфраструктуре и бортовых зарядных устройствах (OBC), где минимизация веса и максимальная эффективность преобразования энергии имеют решающее значение.

Системы возобновляемой энергии:Пластины SiC всё чаще используются в солнечных инверторах, ветрогенераторах и системах накопления энергии, где высокая эффективность и надёжность имеют решающее значение. Компоненты на основе SiC обеспечивают более высокую плотность мощности и улучшенные характеристики в этих приложениях, повышая общую эффективность преобразования энергии.

Промышленная силовая электроника:В высокопроизводительных промышленных приложениях, таких как электроприводы, робототехника и крупные источники питания, использование пластин SiC позволяет повысить эффективность, надежность и улучшить теплоотвод. Устройства на основе SiC выдерживают высокие частоты коммутации и высокие температуры, что делает их пригодными для использования в сложных условиях.

Телекоммуникации и центры обработки данных:Карбид кремния (SiC) используется в источниках питания телекоммуникационного оборудования и центров обработки данных, где высокая надежность и эффективное преобразование энергии имеют решающее значение. Устройства питания на основе SiC обеспечивают более высокую эффективность при меньших размерах, что приводит к снижению энергопотребления и повышению эффективности охлаждения в крупномасштабных инфраструктурах.

Высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление открытого канала и превосходная теплопроводность пластин SiC делают их идеальной подложкой для этих современных приложений, позволяя разрабатывать энергосберегающую силовую электронику следующего поколения.

Характеристики

Свойство

Ценить

Диаметр пластины 3 дюйма (76,2 мм)
Толщина пластины 350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины <0001> по оси ± 0,5°
Плотность микротрубок (MPD) ≤ 1 см⁻²
Электрическое сопротивление ≥ 1E7 Ом·см
Легирующая примесь Нелегированный
Первичная плоская ориентация {11-20} ± 5,0°
Длина первичной плоскости 32,5 мм ± 3,0 мм
Длина вторичной плоскости 18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская ориентация Si лицевой стороной вверх: 90° по часовой стрелке от первичной плоскости ± 5,0°
Исключение границ 3 мм
LTV/TTV/Бук/Варп 3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм
Шероховатость поверхности C-face: полированная, Si-face: CMP
Трещины (проверяются с помощью высокоинтенсивного света) Никто
Шестигранные пластины (проверены с помощью высокоинтенсивного света) Никто
Политипные области (проверяются с помощью света высокой интенсивности) Общая площадь 5%
Царапины (проверяются с помощью мощного света) ≤ 5 царапин, общая длина ≤ 150 мм
Сколы кромок Не допускается ширина и глубина ≥ 0,5 мм
Поверхностное загрязнение (проверяется с помощью высокоинтенсивного света) Никто

Основные преимущества

Высокая теплопроводность:Пластины SiC известны своей исключительной способностью рассеивать тепло, что позволяет силовым устройствам работать с более высокой эффективностью и выдерживать более высокие токи без перегрева. Эта особенность критически важна в силовой электронике, где отвод тепла представляет собой серьёзную проблему.
Высокое напряжение пробоя:Широкая запрещенная зона SiC позволяет устройствам выдерживать более высокие уровни напряжения, что делает их идеальными для высоковольтных приложений, таких как электросети, электромобили и промышленное оборудование.
Высокая эффективность:Сочетание высоких частот переключения и низкого сопротивления открытого канала позволяет создавать устройства с меньшими потерями энергии, повышая общую эффективность преобразования энергии и снижая потребность в сложных системах охлаждения.
Надежность в суровых условиях:SiC способен работать при высоких температурах (до 600 °C), что делает его пригодным для использования в условиях, которые в противном случае могли бы повредить традиционные кремниевые устройства.
Экономия энергии:Силовые устройства на основе SiC повышают эффективность преобразования энергии, что имеет решающее значение для снижения энергопотребления, особенно в крупных системах, таких как промышленные преобразователи энергии, электромобили и инфраструктура возобновляемой энергетики.

Подробная схема

3-дюймовая пластина HPSI SIC 04
3-дюймовая пластина HPSI SIC 10
3-дюймовая пластина HPSI SIC 08
3-дюймовая пластина HPSI SIC 09

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам