HPSI SiC пластина диаметром 3 дюйма, толщина: 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники
Приложение
Пластины HPSI SiC используются в широком спектре приложений силовой электроники, включая:
Силовые полупроводники:Пластины SiC обычно используются в производстве силовых диодов, транзисторов (MOSFET, IGBT) и тиристоров. Эти полупроводники широко используются в приложениях преобразования энергии, требующих высокой эффективности и надежности, например, в промышленных приводах двигателей, источниках питания и инверторах для систем возобновляемой энергии.
Электромобили (ЭМ):В силовых агрегатах электромобилей силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую скорость переключения, более высокую энергоэффективность и снижение тепловых потерь. Компоненты SiC идеально подходят для применения в системах управления аккумуляторными батареями (BMS), зарядной инфраструктуре и бортовых зарядных устройствах (OBC), где минимизация веса и максимизация эффективности преобразования энергии имеют решающее значение.
Системы возобновляемой энергии:Пластины SiC все чаще используются в солнечных инверторах, ветровых турбинных генераторах и системах хранения энергии, где важны высокая эффективность и надежность. Компоненты на основе SiC обеспечивают более высокую плотность мощности и улучшенную производительность в этих приложениях, улучшая общую эффективность преобразования энергии.
Промышленная силовая электроника:В высокопроизводительных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, робототехника и крупномасштабные источники питания, использование пластин SiC позволяет улучшить производительность с точки зрения эффективности, надежности и управления температурой. Устройства SiC могут выдерживать высокие частоты переключения и высокие температуры, что делает их пригодными для использования в сложных условиях.
Телекоммуникации и центры обработки данных:SiC используется в источниках питания для телекоммуникационного оборудования и центров обработки данных, где высокая надежность и эффективное преобразование энергии имеют решающее значение. Устройства питания на основе SiC обеспечивают более высокую эффективность при меньших размерах, что приводит к снижению энергопотребления и повышению эффективности охлаждения в крупномасштабных инфраструктурах.
Высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление открытого канала и превосходная теплопроводность пластин SiC делают их идеальной подложкой для этих современных приложений, позволяя разрабатывать энергоэффективную силовую электронику следующего поколения.
Характеристики
| Свойство | Ценить |
| Диаметр пластины | 3 дюйма (76,2 мм) |
| Толщина пластины | 350 мкм ± 25 мкм |
| Ориентация пластины | <0001> по оси ± 0,5° |
| Плотность микротрубок (MPD) | ≤ 1 см⁻² |
| Электрическое сопротивление | ≥ 1E7 Ом·см |
| Легирующая примесь | Нелегированный |
| Первичная плоская ориентация | {11-20} ± 5,0° |
| Длина первичной плоскости | 32,5 мм ± 3,0 мм |
| Длина вторичной плоскости | 18,0 мм ± 2,0 мм |
| Вторичная плоская ориентация | Si лицевой стороной вверх: 90° по часовой стрелке от первичной плоскости ± 5,0° |
| Исключение кромки | 3 мм |
| LTV/TTV/Бук/Варп | 3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм |
| Шероховатость поверхности | C-face: полированная, Si-face: CMP |
| Трещины (проверяются с помощью высокоинтенсивного света) | Никто |
| Шестигранные пластины (проверены с помощью высокоинтенсивного света) | Никто |
| Политипные области (проверяются с помощью света высокой интенсивности) | Общая площадь 5% |
| Царапины (проверяются с помощью мощного света) | ≤ 5 царапин, общая длина ≤ 150 мм |
| Сколы кромок | Не допускается ширина и глубина ≥ 0,5 мм |
| Поверхностное загрязнение (проверяется с помощью высокоинтенсивного света) | Никто |
Основные преимущества
Высокая теплопроводность:Пластины SiC известны своей исключительной способностью рассеивать тепло, что позволяет силовым устройствам работать с более высокой эффективностью и выдерживать более высокие токи без перегрева. Эта особенность имеет решающее значение в силовой электронике, где управление теплом является существенной проблемой.
Высокое напряжение пробоя:Широкая запрещенная зона SiC позволяет устройствам выдерживать более высокие уровни напряжения, что делает их идеальными для высоковольтных приложений, таких как электросети, электромобили и промышленное оборудование.
Высокая эффективность:Сочетание высоких частот переключения и низкого сопротивления открытого канала позволяет создавать устройства с меньшими потерями энергии, повышая общую эффективность преобразования энергии и снижая потребность в сложных системах охлаждения.
Надежность в суровых условиях:SiC способен работать при высоких температурах (до 600°C), что делает его пригодным для использования в средах, которые в противном случае могли бы повредить традиционные устройства на основе кремния.
Экономия энергии:Силовые устройства на основе SiC повышают эффективность преобразования энергии, что имеет решающее значение для снижения энергопотребления, особенно в крупных системах, таких как промышленные преобразователи энергии, электромобили и инфраструктура возобновляемой энергетики.
Подробная схема
