Эпитаксиальный нитрид галлия (GaN), выращенный на сапфировых пластинах размером 4 дюйма и 6 дюймов для МЭМС

Краткое описание:

Нитрид галлия (GaN) на сапфировых пластинах обеспечивает непревзойденную производительность для высокочастотных и высокомощных приложений, что делает его идеальным материалом для интерфейсных модулей RF (радиочастот) следующего поколения, светодиодных фонарей и других полупроводниковых приборов.GaNПревосходные электрические характеристики GaN, включая широкую ширину запрещённой зоны, позволяют ему работать при более высоких напряжениях пробоя и температурах, чем традиционные кремниевые устройства. Поскольку GaN всё чаще используется вместо кремния, он стимулирует развитие электроники, требующей лёгких, мощных и эффективных материалов.

Написать нам письмо

Функции

Свойства GaN на сапфировых пластинах

●Высокая эффективность:Устройства на основе GaN обеспечивают в пять раз большую мощность, чем устройства на основе кремния, повышая производительность в различных электронных приложениях, включая усиление радиочастот и оптоэлектронику.
●Широкая запрещенная зона:Широкая запрещенная зона GaN обеспечивает высокую эффективность при повышенных температурах, что делает его идеальным для высокомощных и высокочастотных приложений.
●Долговечность:Способность GaN выдерживать экстремальные условия (высокие температуры и радиацию) обеспечивает длительную работу в суровых условиях.
●Маленький размер:GaN позволяет производить более компактные и легкие устройства по сравнению с традиционными полупроводниковыми материалами, что позволяет создавать более компактную и мощную электронику.

Абстрактный

Нитрид галлия (GaN) становится предпочтительным полупроводником для современных приложений, требующих высокой мощности и эффективности, таких как входные радиочастотные модули, высокоскоростные системы связи и светодиодное освещение. Эпитаксиальные пластины GaN, выращенные на сапфировых подложках, обеспечивают сочетание высокой теплопроводности, высокого напряжения пробоя и широкого частотного диапазона, что является ключевым фактором для оптимальной производительности устройств беспроводной связи, радаров и генераторов помех. Эти пластины доступны диаметром 4 и 6 дюймов, с различной толщиной слоя GaN для удовлетворения различных технических требований. Уникальные свойства GaN делают его одним из лучших вариантов для будущего силовой электроники.

Параметры продукта

Особенность продукта	Спецификация
Диаметр пластины	50 мм, 100 мм, 50,8 мм
Субстрат	Сапфир
Толщина слоя GaN	0,5 мкм - 10 мкм
Тип GaN/Легирование	N-тип (P-тип доступен по запросу)
Ориентация кристалла GaN	<0001>
Тип полировки	Односторонняя полировка (SSP), двухсторонняя полировка (DSP)
Толщина Al2O3	430 мкм - 650 мкм
TTV (Общее изменение толщины)	≤ 10 мкм
Поклон	≤ 10 мкм
Варп	≤ 10 мкм
Площадь поверхности	Полезная площадь поверхности > 90%

Вопросы и ответы

В1: Каковы основные преимущества использования GaN по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния?

A1: GaN обладает рядом существенных преимуществ по сравнению с кремнием, включая более широкую запрещенную зону, что позволяет ему выдерживать более высокие напряжения пробоя и эффективно работать при более высоких температурах. Это делает GaN идеальным материалом для мощных и высокочастотных приложений, таких как радиочастотные модули, усилители мощности и светодиоды. Способность GaN выдерживать более высокую плотность мощности также позволяет создавать более компактные и эффективные устройства по сравнению с кремниевыми аналогами.

В2: Можно ли использовать GaN на сапфировых пластинах в приложениях МЭМС (микроэлектромеханических системах)?

A2Да, GaN на сапфировых пластинах подходит для MEMS-приложений, особенно там, где требуются высокая мощность, температурная стабильность и низкий уровень шума. Долговечность и эффективность материала в высокочастотных средах делают его идеальным для MEMS-устройств, используемых в системах беспроводной связи, датчиках и радарах.

В3: Каковы потенциальные области применения GaN в беспроводной связи?

A3: GaN широко используется в радиочастотных модулях для беспроводной связи, включая инфраструктуру 5G, радиолокационные системы и генераторы помех. Высокая плотность мощности и теплопроводность делают его идеальным для мощных высокочастотных устройств, обеспечивая более высокую производительность и меньшие габариты по сравнению с кремниевыми решениями.

В4: Каковы сроки поставки и минимальные объемы заказа для пластин GaN на сапфире?

A4: Сроки выполнения заказа и минимальный объём заказа зависят от размера пластины, толщины GaN и конкретных требований заказчика. Свяжитесь с нами напрямую, чтобы узнать подробную информацию о цене и наличии в соответствии с вашими требованиями.

В5: Могу ли я получить индивидуальную толщину слоя GaN или уровни легирования?

A5: Да, мы предлагаем индивидуальную настройку толщины GaN и уровня легирования для удовлетворения конкретных потребностей. Сообщите нам ваши требования, и мы предложим индивидуальное решение.