Нитрид галлия (GaN) эпитаксиально выращен на сапфировых пластинах 4 дюйма 6 дюймов для MEMS

Краткое описание:

Нитрид галлия (GaN) на сапфировых пластинах обеспечивает непревзойденную производительность для высокочастотных и высокомощных приложений, что делает его идеальным материалом для интерфейсных модулей RF (радиочастот) следующего поколения, светодиодных фонарей и других полупроводниковых приборов.GaNПревосходные электрические характеристики, включая большую ширину запрещенной зоны, позволяют ему работать при более высоких напряжениях пробоя и температурах, чем традиционные устройства на основе кремния. Поскольку GaN все чаще применяется вместо кремния, он стимулирует прогресс в электронике, требующей легких, мощных и эффективных материалов.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Свойства GaN на сапфировых пластинах

●Высокая эффективность:Устройства на основе GaN обеспечивают в пять раз большую мощность, чем устройства на основе кремния, повышая производительность в различных электронных приложениях, включая усиление радиочастот и оптоэлектронику.
●Широкая запрещенная зона:Широкая запрещенная зона GaN обеспечивает высокую эффективность при повышенных температурах, что делает его идеальным для высокомощных и высокочастотных приложений.
●Долговечность:Способность GaN выдерживать экстремальные условия (высокие температуры и радиацию) обеспечивает длительную работу в суровых условиях.
●Маленький размер:GaN позволяет производить более компактные и легкие устройства по сравнению с традиционными полупроводниковыми материалами, что позволяет создавать более компактную и мощную электронику.

Абстрактный

Нитрид галлия (GaN) становится предпочтительным полупроводником для современных приложений, требующих высокой мощности и эффективности, таких как входные модули RF, высокоскоростные системы связи и светодиодное освещение. Эпитаксиальные пластины GaN, выращенные на сапфировых подложках, обеспечивают сочетание высокой теплопроводности, высокого напряжения пробоя и широкого частотного отклика, что является ключевым фактором для оптимальной производительности в беспроводных коммуникационных устройствах, радарах и глушителях. Эти пластины доступны как в диаметрах 4 дюйма, так и в 6 дюймов с различной толщиной GaN для соответствия различным техническим требованиям. Уникальные свойства GaN делают его главным кандидатом для будущего силовой электроники.

Параметры продукта

Особенность продукта	Спецификация
Диаметр пластины	50мм, 100мм, 50,8мм
Субстрат	Сапфир
Толщина слоя GaN	0,5 мкм - 10 мкм
Тип GaN/Легирование	N-тип (P-тип доступен по запросу)
Ориентация кристалла GaN	<0001>
Тип полировки	Односторонняя полировка (SSP), двухсторонняя полировка (DSP)
Толщина Al2O3	430 мкм - 650 мкм
TTV (Общее изменение толщины)	≤ 10 мкм
Поклон	≤ 10 мкм
Варп	≤ 10 мкм
Площадь поверхности	Полезная площадь поверхности > 90%

Вопросы и ответы

В1: Каковы основные преимущества использования GaN по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния?

A1: GaN предлагает несколько существенных преимуществ по сравнению с кремнием, включая более широкую запрещенную зону, что позволяет ему выдерживать более высокие напряжения пробоя и эффективно работать при более высоких температурах. Это делает GaN идеальным для мощных, высокочастотных приложений, таких как радиочастотные модули, усилители мощности и светодиоды. Способность GaN выдерживать более высокую плотность мощности также позволяет создавать более мелкие и эффективные устройства по сравнению с альтернативами на основе кремния.

В2: Можно ли использовать GaN на сапфировых пластинах в приложениях МЭМС (микроэлектромеханических системах)?

A2: Да, GaN на сапфировых пластинах подходит для приложений MEMS, особенно там, где требуются высокая мощность, температурная стабильность и низкий уровень шума. Прочность и эффективность материала в высокочастотных средах делают его идеальным для устройств MEMS, используемых в беспроводных системах связи, датчиков и радаров.

В3: Каковы потенциальные области применения GaN в беспроводной связи?

A3: GaN широко используется в радиочастотных фронтальных модулях для беспроводной связи, включая инфраструктуру 5G, радиолокационные системы и глушилки. Его высокая плотность мощности и теплопроводность делают его идеальным для мощных, высокочастотных устройств, обеспечивая лучшую производительность и меньшие форм-факторы по сравнению с решениями на основе кремния.

В4: Каковы сроки поставки и минимальные объемы заказа для пластин GaN на сапфире?

A4: Сроки выполнения и минимальные объемы заказа зависят от размера пластины, толщины GaN и конкретных требований заказчика. Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую для получения подробной информации о ценах и наличии на основе ваших спецификаций.

В5: Могу ли я получить индивидуальную толщину слоя GaN или уровень легирования?

A5: Да, мы предлагаем настройку толщины GaN и уровней легирования для удовлетворения конкретных потребностей приложения. Пожалуйста, сообщите нам желаемые характеристики, и мы предоставим индивидуальное решение.