Эпитаксиально выращенный нитрид галлия (GaN) на сапфировых пластинах, 4-6 дюймов, для MEMS-устройств.
Свойства нитрида галлия (GaN) на сапфировых подложках
●Высокая эффективность:Устройства на основе нитрида галлия (GaN) обеспечивают в пять раз большую мощность, чем устройства на основе кремния, что повышает их производительность в различных электронных приложениях, включая радиочастотное усиление и оптоэлектронику.
●Широкая запрещенная зона:Широкая запрещенная зона GaN обеспечивает высокую эффективность при повышенных температурах, что делает его идеальным для мощных и высокочастотных применений.
●Долговечность:Способность нитрида галлия (GaN) выдерживать экстремальные условия (высокие температуры и радиацию) обеспечивает длительную работу в суровых условиях окружающей среды.
●Маленький размер:Нитрид галлия (GaN) позволяет производить более компактные и легкие устройства по сравнению с традиционными полупроводниковыми материалами, что способствует созданию более миниатюрной и мощной электроники.
Абстрактный
Нитрид галлия (GaN) становится предпочтительным полупроводником для передовых приложений, требующих высокой мощности и эффективности, таких как радиочастотные модули, высокоскоростные системы связи и светодиодное освещение. Эпитаксиальные пластины GaN, выращенные на сапфировых подложках, обладают сочетанием высокой теплопроводности, высокого напряжения пробоя и широкого частотного диапазона, что является ключевым фактором для оптимальной работы беспроводных устройств связи, радаров и устройств подавления помех. Эти пластины доступны в диаметрах 4 и 6 дюймов, с различной толщиной слоя GaN для удовлетворения различных технических требований. Уникальные свойства GaN делают его перспективным кандидатом для будущего силовой электроники.
Параметры продукта
| Характеристики продукта | Спецификация |
| Диаметр пластины | 50 мм, 100 мм, 50,8 мм |
| Субстрат | Сапфир |
| Толщина слоя GaN | 0,5 мкм - 10 мкм |
| Тип/легирование GaN | N-тип (P-тип доступен по запросу) |
| Ориентация кристалла GaN | <0001> |
| Тип полировки | Односторонняя полировка (SSP), двусторонняя полировка (DSP) |
| Толщина Al2O3 | 430 мкм - 650 мкм |
| TTV (Total Thickness Variation) | ≤ 10 мкм |
| Поклон | ≤ 10 мкм |
| Искажение | ≤ 10 мкм |
| Площадь поверхности | Полезная площадь поверхности > 90% |
Вопросы и ответы
В1: Каковы основные преимущества использования GaN по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния?
A1GaN обладает рядом существенных преимуществ перед кремнием, включая более широкую запрещенную зону, что позволяет ему выдерживать более высокие напряжения пробоя и эффективно работать при более высоких температурах. Это делает GaN идеальным материалом для мощных высокочастотных приложений, таких как радиочастотные модули, усилители мощности и светодиоды. Способность GaN выдерживать более высокие плотности мощности также позволяет создавать более компактные и эффективные устройства по сравнению с кремниевыми аналогами.
В2: Можно ли использовать нитрид галлия (GaN) на сапфировых пластинах в микроэлектромеханических системах (MEMS)?
A2Да, нитрид галлия на сапфировых подложках подходит для применения в MEMS-технологиях, особенно там, где требуется высокая мощность, температурная стабильность и низкий уровень шума. Долговечность и эффективность материала в высокочастотных средах делают его идеальным для MEMS-устройств, используемых в беспроводной связи, системах зондирования и радиолокации.
В3: Каковы потенциальные области применения GaN в беспроводной связи?
A3GaN широко используется в радиочастотных модулях для беспроводной связи, включая инфраструктуру 5G, радиолокационные системы и устройства подавления помех. Высокая удельная мощность и теплопроводность делают его идеальным материалом для мощных высокочастотных устройств, обеспечивая лучшую производительность и меньшие габариты по сравнению с решениями на основе кремния.
Вопрос 4: Каковы сроки поставки и минимальные объемы заказа для пластин GaN на сапфировой подложке?
A4Сроки выполнения заказа и минимальные объемы заказа варьируются в зависимости от размера пластины, толщины GaN и конкретных требований заказчика. Для получения подробной информации о ценах и наличии товара в соответствии с вашими спецификациями, пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую.
В5: Можно ли заказать индивидуальную толщину слоя GaN или уровень легирования?
A5Да, мы предлагаем индивидуальную настройку толщины и уровня легирования GaN в соответствии с конкретными потребностями применения. Пожалуйста, сообщите нам ваши желаемые характеристики, и мы предложим вам индивидуальное решение.
Подробная схема
