Эпитаксиальная пластина лазера GaAs размером 4 дюйма и 6 дюймов с вертикальным резонатором VCSEL, длина волны поверхностного излучения лазера 940 нм, один переход

Эпитаксиальная пластина лазера GaAs с вертикальным резонатором VCSEL, длина волны лазера поверхностного излучения 940 нм, один переход. Изображение

Краткое описание:

Заказчику предлагается конструкция Gigabit Ethernet лазерных решеток для высокооднородных 6-дюймовых пластин с центральной оптической длиной волны 850/940 нм, цифровая линия передачи данных VCSEL с ограничением оксида или протонной имплантацией, электрические и оптические характеристики лазерной мыши, низкая чувствительность к температуре. VCSEL-940 Single Junction — это вертикально-резонаторный поверхностно-излучающий лазер (VCSEL) с длиной волны излучения около 940 нанометров. Такие лазеры обычно состоят из одной квантовой ямы и способны обеспечивать эффективное излучение света. Длина волны 940 нанометров делает его инфракрасным спектром, подходящим для различных применений. По сравнению с другими типами лазеров, VCsel имеют более высокую эффективность электрооптического преобразования. Корпус VCSEL относительно мал и прост в интеграции. Широкое применение VCSEL-940 сделало его важным в современных технологиях.

Написать нам письмо

Функции

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа GaAs включают:

1. Однопереходная структура: такой лазер обычно состоит из одной квантовой ямы, которая может обеспечить эффективное излучение света.
2. Длина волны: длина волны 940 нм находится в диапазоне инфракрасного спектра, что подходит для самых разных применений.
3. Высокая эффективность: по сравнению с другими типами лазеров VCSEL имеет высокую эффективность электрооптического преобразования.
4. Компактность: корпус VCSEL относительно мал и прост в интеграции.

5. Низкий пороговый ток и высокая эффективность: лазеры на основе скрытой гетероструктуры демонстрируют чрезвычайно низкую плотность порогового тока генерации (например, 4 мА/см²) и высокую внешнюю дифференциальную квантовую эффективность (например, 36%) с линейной выходной мощностью, превышающей 15 мВт.
6. Стабильность волноводной моды: лазер на основе скрытой гетероструктуры обладает преимуществом стабильности волноводной моды благодаря механизму волновода, управляемого показателем преломления, и узкой ширине активной полоски (около 2 мкм).
7. Отличная эффективность фотоэлектрического преобразования: оптимизируя процесс эпитаксиального роста, можно добиться высокой внутренней квантовой эффективности и эффективности фотоэлектрического преобразования, что позволит снизить внутренние потери.
8. Высокая надежность и срок службы: высококачественная технология эпитаксиального роста позволяет получать эпитаксиальные листы с хорошим внешним видом поверхности и низкой плотностью дефектов, что повышает надежность и срок службы изделия.
9. Подходит для различных применений: эпитаксиальный лист лазерного диода на основе GAAS широко используется в оптоволоконной связи, промышленных приложениях, инфракрасных и фотодетекторах и других областях.

Основные области применения лазерного эпитаксиального листа GaAs включают:

1. Оптическая связь и передача данных: эпитаксиальные пластины GaAs широко используются в области оптической связи, особенно в высокоскоростных оптических системах связи, для изготовления оптоэлектронных устройств, таких как лазеры и детекторы.

2. Промышленное применение: лазерные эпитаксиальные листы GaAs также имеют важное применение в промышленных приложениях, таких как лазерная обработка, измерения и зондирование.

3. Бытовая электроника: В бытовой электронике эпитаксиальные пластины GaAs используются для производства VCsels (лазерных диодов с вертикальным резонатором и поверхностным излучением), которые широко используются в смартфонах и других потребительских электронных устройствах.

4. Радиочастотные применения: материалы GaAs обладают значительными преимуществами в области радиочастот и используются для производства высокопроизводительных радиочастотных устройств.

5. Лазеры на квантовых точках: лазеры на квантовых точках на основе GAAS широко используются в области связи, медицины и военного дела, особенно в диапазоне оптической связи 1,31 мкм.

6. Пассивный модулятор добротности: поглотитель GaAs используется в твердотельных лазерах с диодной накачкой с пассивным модулятором добротности, которые подходят для микрообработки, дальнометрии и микрохирургии.

Эти приложения демонстрируют потенциал лазерных эпитаксиальных пластин GaAs в широком спектре высокотехнологичных приложений.

Компания XKH предлагает эпитаксиальные пластины GaAs различной структуры и толщины, адаптированные под требования заказчика, охватывая широкий спектр применений, таких как VCSEL/HCSEL, WLAN, базовые станции 4G/5G и т.д. Продукция XKH производится на передовом оборудовании MOCVD, что обеспечивает высокую производительность и надежность. В сфере логистики мы располагаем широким спектром международных каналов поставок, можем гибко обрабатывать заказы и предоставлять услуги с добавленной стоимостью, такие как утонение, сегментация и т.д. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и соответствие требованиям заказчиков к качеству и срокам поставки. После получения заказа заказчики получают комплексную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, что гарантирует бесперебойный ввод изделия в эксплуатацию.