Эпитаксиальная пластина лазера GaAs 4 дюйма 6 дюймов VCSEL вертикальный резонатор поверхностный лазер излучения длина волны 940 нм один переход

Эпитаксиальная пластина лазера GaAs 4 дюйма 6 дюймов VCSEL вертикальный резонатор поверхностный лазер с длиной волны 940 нм один переход Главное изображение

Краткое описание:

Специализированная конструкция Gigabit Ethernet лазерных решеток для высокой однородности 6-дюймовых пластин 850/940 нм центральная оптическая длина волны оксидно-ограниченная или протонно-имплантированная цифровая линия передачи данных VCSEL, лазерная мышь электрические и оптические характеристики низкая чувствительность к температуре. VCSEL-940 Single Junction представляет собой вертикальный резонатор поверхностного излучения (VCSEL) с длиной волны излучения, как правило, около 940 нанометров. Такие лазеры обычно состоят из одной квантовой ямы и способны обеспечивать эффективное излучение света. Длина волны 940 нанометров делает его инфракрасным спектром, подходящим для различных применений. По сравнению с другими типами лазеров, VCsels имеют более высокую эффективность электрооптического преобразования. Корпус VCSEL относительно небольшой и прост в интеграции. Широкое применение VCSEL-940 сделало его важным в современных технологиях.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа GaAs включают в себя:

1. Структура с одним переходом: этот лазер обычно состоит из одной квантовой ямы, которая может обеспечить эффективное излучение света.
2. Длина волны: длина волны 940 нм находится в диапазоне инфракрасного спектра, что подходит для различных применений.
3. Высокая эффективность: по сравнению с другими типами лазеров VCSEL имеет высокую эффективность электрооптического преобразования.
4. Компактность: корпус VCSEL относительно небольшой и его легко интегрировать.

5. Низкий пороговый ток и высокая эффективность: лазеры на основе скрытой гетероструктуры демонстрируют чрезвычайно низкую плотность порогового тока генерации (например, 4 мА/см²) и высокую внешнюю дифференциальную квантовую эффективность (например, 36%) с линейной выходной мощностью, превышающей 15 мВт.
6. Стабильность волноводной моды: лазер на основе скрытой гетероструктуры обладает преимуществом стабильности волноводной моды благодаря механизму волновода, управляемого показателем преломления, и узкой ширине активной полосы (около 2 мкм).
7. Превосходная эффективность фотоэлектрического преобразования: оптимизируя процесс эпитаксиального роста, можно добиться высокой внутренней квантовой эффективности и эффективности фотоэлектрического преобразования, что позволит снизить внутренние потери.
8. Высокая надежность и срок службы: высококачественная технология эпитаксиального роста позволяет изготавливать эпитаксиальные листы с хорошим внешним видом поверхности и низкой плотностью дефектов, что повышает надежность и срок службы изделия.
9. Подходит для различных применений: эпитаксиальный лист лазерного диода на основе GAAS широко используется в оптоволоконной связи, промышленных приложениях, инфракрасных и фотодетекторах и других областях.

Основные области применения лазерного эпитаксиального листа GaAs включают в себя:

1. Оптическая связь и передача данных: эпитаксиальные пластины GaAs широко используются в области оптической связи, особенно в высокоскоростных оптических системах связи, для производства оптоэлектронных устройств, таких как лазеры и детекторы.

2. Промышленное применение: лазерные эпитаксиальные листы GaAs также имеют важное применение в промышленных приложениях, таких как лазерная обработка, измерения и зондирование.

3. Бытовая электроника: В бытовой электронике эпитаксиальные пластины GaAs используются для производства VCsels (вертикальных лазеров поверхностного излучения), которые широко применяются в смартфонах и другой бытовой электронике.

4. Радиочастотные применения: материалы GaAs обладают значительными преимуществами в области радиочастот и используются для производства высокопроизводительных радиочастотных устройств.

5. Лазеры на квантовых точках: лазеры на квантовых точках на основе GAAS широко используются в области связи, медицины и обороны, особенно в диапазоне оптической связи 1,31 мкм.

6. Пассивный переключатель добротности: поглотитель GaAs используется в твердотельных лазерах с диодной накачкой с пассивным переключателем добротности, которые подходят для микрообработки, дальнометрии и микрохирургии.

Эти приложения демонстрируют потенциал лазерных эпитаксиальных пластин GaAs в широком спектре высокотехнологичных приложений.

XKH предлагает эпитаксиальные пластины GaAs с различной структурой и толщиной, адаптированные под требования заказчика, охватывающие широкий спектр приложений, таких как VCSEL/HCSEL, WLAN, базовые станции 4G/5G и т. д. Продукция XKH производится с использованием передового оборудования MOCVD для обеспечения высокой производительности и надежности. С точки зрения логистики у нас есть широкий спектр международных каналов поставок, мы можем гибко обрабатывать количество заказов и предоставлять услуги с добавленной стоимостью, такие как утончение, сегментация и т. д. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и отвечают требованиям заказчика по качеству и срокам доставки. После прибытия заказчики могут получить комплексную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы гарантировать бесперебойную эксплуатацию продукта.