Лазерная эпитаксиальная пластина GaAs, 4 дюйма, 6 дюймов, VCSEL, вертикальная полость, лазер с поверхностной эмиссией, длина волны 940 нм, одиночный переход

Лазерная эпитаксиальная пластина GaAs, 4 дюйма, 6 дюймов, VCSEL, лазер с вертикальной резонацией, длина волны поверхностного излучения, длина волны 940 нм, одиночный переход.

Краткое описание:

Конструкция, указанная заказчиком. Лазерные матрицы Gigabit Ethernet для высокой однородности 6-дюймовых пластин. Центральная оптическая длина волны 850/940 нм. Цифровая линия передачи данных VCSEL, ограниченная оксидом или имплантированная протонами, электрические и оптические характеристики лазерной мыши, низкая чувствительность к температуре. VCSEL-940 Single Junction — это лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL) с длиной волны излучения обычно около 940 нанометров. Такие лазеры обычно состоят из одной квантовой ямы и способны обеспечивать эффективное излучение света. Длина волны 940 нанометров делает его в инфракрасном спектре подходящим для различных применений. По сравнению с другими типами лазеров VCsels имеют более высокую эффективность электрооптического преобразования. Пакет VCSEL относительно небольшой и легко интегрируется. Широкое применение VCSEL-940 позволило ему сыграть важную роль в современных технологиях.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа GaAs включают:

1. Однопереходная структура. Этот лазер обычно состоит из одной квантовой ямы, которая может обеспечить эффективное излучение света.
2. Длина волны: длина волны 940 нм делает ее частью инфракрасного спектра, подходящей для различных применений.
3. Высокая эффективность: по сравнению с другими типами лазеров VCSEL имеет высокую эффективность электрооптического преобразования.
4. Компактность. Пакет VCSEL относительно небольшой и легко интегрируется.

5. Низкий пороговый ток и высокая эффективность. Лазеры со скрытой гетероструктурой демонстрируют чрезвычайно низкую пороговую плотность тока генерации (например, 4 мА/см²) и высокую внешнюю дифференциальную квантовую эффективность (например, 36%), при этом линейная выходная мощность превышает 15 мВт.
6. Стабильность волноводного режима. Преимущество лазера со скрытой гетероструктурой заключается в стабильности волноводного режима благодаря волноводному механизму, управляемому по показателю преломления, и узкой ширине активной полосы (около 2 мкм).
7. Превосходная эффективность фотоэлектрического преобразования. Путем оптимизации процесса эпитаксиального роста можно получить высокую внутреннюю квантовую эффективность и эффективность фотоэлектрического преобразования для уменьшения внутренних потерь.
8. Высокая надежность и срок службы: высококачественная технология эпитаксиального роста позволяет получать эпитаксиальные листы с хорошим внешним видом поверхности и низкой плотностью дефектов, что повышает надежность и срок службы продукта.
9. Подходит для различных применений: эпитаксиальный лист лазерного диода на основе GAAS широко используется в волоконно-оптической связи, промышленных приложениях, инфракрасных и фотодетекторах и других областях.

Основные способы применения лазерного эпитаксиального листа GaAs включают в себя:

1. Оптическая связь и передача данных. Эпитаксиальные пластины GaAs широко используются в области оптической связи, особенно в высокоскоростных системах оптической связи, для производства оптоэлектронных устройств, таких как лазеры и детекторы.

2. Промышленное применение. Лазерные эпитаксиальные листы GaAs также находят важное применение в промышленных целях, таких как лазерная обработка, измерения и зондирование.

3. Бытовая электроника. В бытовой электронике эпитаксиальные пластины GaAs используются для изготовления VCsels (лазеров поверхностного излучения с вертикальным резонатором), которые широко используются в смартфонах и другой бытовой электронике.

4. Радиочастотные применения. Материалы GaAs обладают значительными преимуществами в радиочастотной области и используются для производства высокоэффективных радиочастотных устройств.

5. Лазеры на квантовых точках. Лазеры на квантовых точках на основе GAAS широко используются в сфере связи, медицины и военной промышленности, особенно в диапазоне оптической связи 1,31 мкм.

6. Пассивный переключатель добротности: поглотитель GaAs используется в твердотельных лазерах с диодной накачкой и пассивным переключателем добротности, который подходит для микрообработки, измерения дальности и микрохирургии.

Эти применения демонстрируют потенциал лазерных эпитаксиальных пластин GaAs в широком спектре высокотехнологичных приложений.

XKH предлагает эпитаксиальные пластины GaAs различной структуры и толщины, адаптированные к требованиям клиентов, охватывающие широкий спектр применений, таких как VCSEL/HCSEL, WLAN, базовые станции 4G/5G и т. д. Продукция XKH производится с использованием современного оборудования MOCVD, обеспечивающего высокую производительность и надежность. Что касается логистики, у нас есть широкий спектр международных каналов поставок, мы можем гибко обрабатывать количество заказов и предоставлять дополнительные услуги, такие как прореживание, сегментация и т. д. Эффективные процессы доставки обеспечивают своевременную доставку и удовлетворение требований клиентов по качество и сроки доставки. По прибытии клиенты могут получить комплексную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы обеспечить бесперебойный ввод продукта в эксплуатацию.