GaAs лазер эпитаксиальная пластина 4 дюйма 6 дюймов VCSEL вертикальный резонатор поверхностный эмиссионный лазер длина волны 940 нм однопереходный

Краткое описание:

Конструкция, разработанная по индивидуальному заказу заказчика: гигабитные Ethernet-лазерные массивы для высокой однородности, 6-дюймовые пластины, центральная оптическая длина волны 850/940 нм, VCSEL с ограниченным оксидным слоем или имплантированными протонами, цифровая связь, лазерная мышь, электрические и оптические характеристики, низкая чувствительность к температуре. VCSEL-940 Single Junction — это лазер с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSEL) с длиной волны излучения, обычно около 940 нанометров. Такие лазеры обычно состоят из одной квантовой ямы и способны обеспечивать эффективное излучение света. Длина волны 940 нанометров находится в инфракрасном спектре, что делает его подходящим для различных применений. По сравнению с другими типами лазеров, VCSEL обладают более высокой эффективностью электрооптического преобразования. Корпус VCSEL относительно мал и прост в интеграции. Широкое применение VCSEL-940 обеспечило ему важную роль в современных технологиях.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Основные характеристики лазерной эпитаксиальной пленки из GaAs включают в себя:

1. Однопереходная структура: Этот лазер обычно состоит из одной квантовой ямы, что обеспечивает эффективное излучение света.
2. Длина волны: Длина волны 940 нм находится в инфракрасном диапазоне спектра и подходит для различных применений.
3. Высокая эффективность: По сравнению с другими типами лазеров, VCSEL обладает высокой эффективностью электрооптического преобразования.
4. Компактность: Корпус VCSEL относительно невелик и прост в интеграции.

5. Низкий пороговый ток и высокая эффективность: Лазеры на основе скрытых гетероструктур демонстрируют чрезвычайно низкую плотность порогового тока генерации (например, 4 мА/см²) и высокую внешнюю дифференциальную квантовую эффективность (например, 36%), при этом линейная выходная мощность превышает 15 мВт.
6. Стабильность волноводной моды: Лазер на основе скрытой гетероструктуры обладает преимуществом стабильности волноводной моды благодаря механизму волноводного распространения, обусловленному показателем преломления, и узкой ширине активной полосы (около 2 мкм).
7. Превосходная эффективность фотоэлектрического преобразования: Оптимизация процесса эпитаксиального роста позволяет получить высокую внутреннюю квантовую эффективность и эффективность фотоэлектрического преобразования, что снижает внутренние потери.
8. Высокая надежность и срок службы: высококачественная технология эпитаксиального роста позволяет получать эпитаксиальные листы с хорошим внешним видом поверхности и низкой плотностью дефектов, что повышает надежность и срок службы изделия.
9. Подходит для различных применений: эпитаксиальный слой лазерного диода на основе GAAS широко используется в волоконно-оптической связи, промышленных приложениях, инфракрасных и фотодетекторах и других областях.

Основные способы применения лазерной эпитаксиальной пленки из GaAs включают в себя:

1. Оптическая связь и передача данных: Эпитаксиальные пластины GaAs широко используются в области оптической связи, особенно в высокоскоростных оптических системах связи, для производства оптоэлектронных устройств, таких как лазеры и детекторы.

2. Промышленное применение: Лазерные эпитаксиальные листы GaAs также находят важное применение в промышленности, например, в лазерной обработке, измерениях и сенсорике.

3. Бытовая электроника: В бытовой электронике эпитаксиальные пластины GaAs используются для производства VCsels (вертикально-резонаторных лазеров с поверхностным излучением), которые широко применяются в смартфонах и другой бытовой электронике.

4. Применение в радиочастотной области: материалы на основе GaAs обладают значительными преимуществами в радиочастотной области и используются для производства высокопроизводительных радиочастотных устройств.

5. Квантово-точечные лазеры: Квантово-точечные лазеры на основе GAAS широко используются в коммуникационной, медицинской и военной областях, особенно в оптическом диапазоне связи 1,31 мкм.

6. Пассивный переключатель добротности: Поглотитель на основе GaAs используется в твердотельных лазерах с диодной накачкой и пассивным переключателем добротности, что подходит для микрообработки, измерения расстояний и микрохирургии.

Эти примеры демонстрируют потенциал эпитаксиальных пластин из арсенида галлия (GaAs), полученных лазерным методом, в широком спектре высокотехнологичных применений.

Компания XKH предлагает эпитаксиальные пластины GaAs различной структуры и толщины, изготовленные в соответствии с требованиями заказчика, для широкого спектра применений, таких как VCSEL/HCSEL, WLAN, базовые станции 4G/5G и др. Продукция XKH производится с использованием передового оборудования MOCVD, что обеспечивает высокую производительность и надежность. В плане логистики мы располагаем широким спектром международных каналов поставок, можем гибко обрабатывать заказы и предоставляем дополнительные услуги, такие как утонение, сегментация и т.д. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и соответствие требованиям заказчика к качеству и срокам поставки. После получения заказа клиенты получают всестороннюю техническую поддержку и послепродажное обслуживание, что обеспечивает бесперебойную эксплуатацию продукции.