Высокомощная эпитаксиальная пластина GaAs с длиной волны 905 нм для лазерной медицинской обработки

Высокомощная эпитаксиальная подложка GaAs с длиной волны 905 нм для лазерной обработки пластин арсенида галлия для лазерной медицинской обработки Избранное изображение

Краткое описание:

Лазерный эпитаксиальный лист GaAs представляет собой монокристаллический тонкопленочный материал, сформированный с помощью технологии эпитаксиального выращивания на подложке из арсенида галлия (GaAs), который используется для производства оптоэлектронных устройств, таких как лазеры.
Мощные лазеры GaAs 905 и мощные эпитаксионные чипы GaAs представляют собой лазеры на основе материалов арсенида галлия (GaAs) и широко используются во многих областях. Эпитаксиальная пластина MOCVD в основном используется в лазерных диодах высокой мощности. В качестве активного слоя используется квантовая яма InGaAs. Эпитаксиальная пластина анализируется с помощью фотолюминесценции, рентгеноструктурного анализа, ECV и других методов испытаний. Мощные лазеры GaAs 905 и мощные эпитаксионные чипы GaAs широко используются в медицинских, промышленных, научных исследованиях и других областях благодаря их высокой эффективности, высокой выходной мощности и хорошим тепловым характеристикам, а также имеют важную рыночную ценность и технический потенциал.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Ключевые особенности лазерного эпитаксиального листа GaAs включают в себя:

1. Высокая подвижность электронов: арсенид галлия обладает высокой подвижностью электронов, что позволяет лазерным эпитаксиальным пластинам GaAs хорошо применяться в высокочастотных устройствах и высокоскоростных электронных устройствах.
2. Люминесценция с прямым переходом запрещенной зоны. В качестве материала с прямой запрещенной зоной арсенид галлия может эффективно преобразовывать электрическую энергию в энергию света в оптоэлектронных устройствах, что делает его идеальным для производства лазеров.
3. Длина волны: лазеры GaAs 905 обычно работают на длине волны 905 нм, что делает их пригодными для многих приложений, включая биомедицину.
4. Высокая эффективность: благодаря высокой эффективности фотоэлектрического преобразования он может эффективно преобразовывать электрическую энергию в лазерный выход.
5. Высокая выходная мощность: он может достигать высокой выходной мощности и подходит для сценариев применения, требующих сильного источника света.
6. Хорошие тепловые характеристики: материал GaAs обладает хорошей теплопроводностью, что помогает снизить рабочую температуру лазера и повысить стабильность.
7. Широкие возможности настройки: выходную мощность можно регулировать путем изменения тока привода для адаптации к различным требованиям применения.

Основные области применения лазерных эпитаксиальных таблеток GaAs включают в себя:

1. Оптоволоконная связь: лазерный эпитаксиальный лист GaAs можно использовать для изготовления лазеров в оптоволоконной связи для достижения высокоскоростной и дальней передачи оптического сигнала.

2. Промышленное применение. В промышленной сфере лазерные эпитаксиальные листы GaAs могут использоваться для лазерной локации, лазерной маркировки и других целей.

3. VCSEL: Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL) является важной областью применения эпитаксиального листа лазера GaAs, который широко используется в оптической связи, оптическом хранении и оптическом считывании.

4. Инфракрасное и точечное поле: эпитаксиальный лист GaAs для лазера также может использоваться для производства инфракрасных лазеров, генераторов пятен и других устройств, играющих важную роль в инфракрасном обнаружении, отображении света и других областях.

Подготовка лазерного эпитаксиального листа GaAs в основном зависит от технологии эпитаксиального выращивания, включая металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD), молекулярно-лучевую эпитаксиальную (MBE) и другие методы. Эти методы позволяют точно контролировать толщину, состав и кристаллическую структуру эпитаксиального слоя для получения высококачественных лазерных эпитаксиальных листов GaAs.

XKH предлагает изготовление эпитаксиальных листов GaAs различной структуры и толщины по индивидуальному заказу, охватывающих широкий спектр применений в оптической связи, VCSEL, инфракрасном излучении и полях световых пятен. Продукция XKH производится с использованием современного оборудования MOCVD, обеспечивающего высокую производительность и надежность. Что касается логистики, XKH имеет широкий спектр международных каналов поставок, которые могут гибко обрабатывать количество заказов и предоставлять дополнительные услуги, такие как уточнение и подразделение. Эффективные процессы доставки обеспечивают своевременную доставку и отвечают требованиям клиентов по качеству и срокам доставки. Клиенты могут получить комплексную техническую поддержку и послепродажное обслуживание после прибытия, чтобы гарантировать бесперебойный ввод продукта в эксплуатацию.