GaAs высокомощная эпитаксиальная пластина подложка пластина арсенида галлия мощность лазера длина волны 905 нм для лазерной медицинской терапии

GaAs высокомощная эпитаксиальная пластина подложка из арсенида галлия мощность лазера длина волны 905 нм для лазерной медицинской терапии Главное изображение

Краткое описание:

Лазерный эпитаксиальный лист GaAs представляет собой монокристаллический тонкопленочный материал, сформированный с помощью технологии эпитаксиального роста на подложке из арсенида галлия (GaAs), который используется для производства оптоэлектронных устройств, таких как лазеры.
Мощные лазеры GaAs 905 и высокомощные эпитаксические чипы GaAs — это лазеры на основе материалов из арсенида галлия (GaAs), которые широко используются во многих областях. Эпитаксиальная пластина MOCVD в основном используется в высокомощных лазерных диодах. В качестве активного слоя используется квантовая яма InGaAs. Эпитаксиальная пластина анализируется с помощью PL, XRD, ECV и других методов испытаний. Мощные лазеры GaAs 905 и высокомощные эпитаксические чипы GaAs широко используются в медицине, промышленности, научных исследованиях и других областях благодаря своей высокой эффективности, высокой выходной мощности и хорошим тепловым характеристикам, а также имеют важную рыночную стоимость и технический потенциал.

Напишите нам письмо

Функции

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа GaAs включают в себя:

1. Высокая подвижность электронов: арсенид галлия обладает высокой подвижностью электронов, благодаря чему лазерные эпитаксиальные пластины GaAs находят широкое применение в высокочастотных устройствах и высокоскоростных электронных устройствах.
2. Люминесценция с прямым переходом в запрещенную зону: как материал с прямой запрещенной зоной арсенид галлия может эффективно преобразовывать электрическую энергию в световую в оптоэлектронных устройствах, что делает его идеальным для производства лазеров.
3. Длина волны: лазеры GaAs 905 обычно работают на длине волны 905 нм, что делает их пригодными для многих применений, включая биомедицину.
4. Высокая эффективность: благодаря высокой эффективности фотоэлектрического преобразования он может эффективно преобразовывать электрическую энергию в выходной лазерный сигнал.
5. Высокая выходная мощность: обеспечивает высокую выходную мощность и подходит для случаев применения, требующих мощного источника света.
6. Хорошие тепловые характеристики: материал GaAs обладает хорошей теплопроводностью, что помогает снизить рабочую температуру лазера и повысить стабильность.
7. Широкие возможности настройки: выходную мощность можно регулировать путем изменения тока возбуждения, чтобы адаптировать ее к различным требованиям применения.

Основные области применения эпитаксиальных таблеток GaAs-лазера включают:

1. Оптоволоконная связь: эпитаксиальный лист GaAs-лазера может использоваться для изготовления лазеров в оптоволоконной связи для достижения высокоскоростной и дальней передачи оптического сигнала.

2. Промышленное применение: В промышленной сфере лазерные эпитаксиальные листы GaAs могут использоваться для лазерной локации, лазерной маркировки и других применений.

3. VCSEL: Вертикальный лазер с поверхностным излучением (VCSEL) является важной областью применения эпитаксиального листа лазера на основе GaAs, который широко используется в оптической связи, оптической памяти и оптическом считывании.

4. Инфракрасное и точечное поле: лазерный эпитаксиальный лист GaAs также может использоваться для изготовления инфракрасных лазеров, точечных генераторов и других устройств, играя важную роль в инфракрасном детектировании, световом отображении и других областях.

Подготовка лазерного эпитаксиального листа GaAs в основном зависит от технологии эпитаксиального роста, включая осаждение из паровой фазы металлорганических соединений (MOCVD), молекулярно-лучевую эпитаксиальную (MBE) и другие методы. Эти методы позволяют точно контролировать толщину, состав и кристаллическую структуру эпитаксиального слоя для получения высококачественных лазерных эпитаксиальных листов GaAs.

XKH предлагает кастомизацию эпитаксиальных листов GaAs в различных структурах и толщинах, охватывая широкий спектр приложений в оптической связи, VCSEL, инфракрасных и световых пятнах. Продукция XKH производится с использованием передового оборудования MOCVD для обеспечения высокой производительности и надежности. С точки зрения логистики, XKH имеет широкий спектр международных каналов поставок, которые могут гибко обрабатывать количество заказов и предоставлять услуги с добавленной стоимостью, такие как очистка и подразделение. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и отвечают требованиям клиентов по качеству и срокам доставки. Клиенты могут получить комплексную техническую поддержку и послепродажное обслуживание после прибытия, чтобы гарантировать бесперебойную эксплуатацию продукта.