Мощная эпитаксиальная пластина GaAs с подложкой из арсенида галлия, лазерная пластина с длиной волны 905 нм для лазерной медицинской терапии

Мощная эпитаксиальная пластина GaAs с подложкой из арсенида галлия, длина волны мощного лазера 905 нм для лазерной медицинской терапии. Изображение

Краткое описание:

Лазерный эпитаксиальный лист GaAs представляет собой монокристаллический тонкопленочный материал, сформированный с помощью технологии эпитаксиального роста на подложке из арсенида галлия (GaAs), который используется для производства оптоэлектронных устройств, таких как лазеры.
Мощные лазеры GaAs 905 и высокомощные эпитаксические чипы GaAs представляют собой лазеры на основе материалов из арсенида галлия (GaAs) и широко применяются во многих областях. Эпитаксиальные пластины MOCVD в основном используются в мощных лазерных диодах. В качестве активного слоя используется квантовая яма InGaAs. Эпитаксиальные пластины анализируются методами фотолюминесценции (ФЛ), рентгеновской дифракции (РДА), электронного вакуумного зондирования (ЭВА) и другими методами испытаний. Мощные лазеры GaAs 905 и высокомощные эпитаксические чипы GaAs широко используются в медицине, промышленности, научных исследованиях и других областях благодаря высокой эффективности, высокой выходной мощности и хорошим тепловым характеристикам, а также обладают высокой рыночной стоимостью и техническим потенциалом.

Написать нам письмо

Функции

Основные характеристики лазерного эпитаксиального листа GaAs включают в себя:

1. Высокая подвижность электронов: арсенид галлия обладает высокой подвижностью электронов, благодаря чему лазерные эпитаксиальные пластины GaAs находят широкое применение в высокочастотных устройствах и высокоскоростных электронных устройствах.
2. Люминесценция с прямой запрещенной зоной: как материал с прямой запрещенной зоной, арсенид галлия может эффективно преобразовывать электрическую энергию в световую в оптоэлектронных устройствах, что делает его идеальным для производства лазеров.
3. Длина волны: лазеры GaAs 905 обычно работают на длине волны 905 нм, что делает их пригодными для многих применений, включая биомедицину.
4. Высокая эффективность: благодаря высокой эффективности фотоэлектрического преобразования он может эффективно преобразовывать электрическую энергию в лазерный выход.
5. Высокая выходная мощность: обеспечивает высокую выходную мощность и подходит для случаев применения, требующих мощного источника света.
6. Хорошие тепловые характеристики: материал GaAs обладает хорошей теплопроводностью, что помогает снизить рабочую температуру лазера и повысить стабильность.
7. Широкие возможности настройки: выходную мощность можно регулировать путем изменения тока возбуждения, чтобы адаптировать ее к различным требованиям применения.

Основные области применения лазерных эпитаксиальных таблеток GaAs включают:

1. Оптоволоконная связь: лазерный эпитаксиальный лист GaAs может использоваться для изготовления лазеров в оптоволоконной связи для достижения высокоскоростной и дальней передачи оптического сигнала.

2. Промышленное применение: В промышленной сфере лазерные эпитаксиальные листы GaAs могут использоваться для лазерной локации, лазерной маркировки и других применений.

3. VCSEL: Вертикальный резонатор поверхностно-излучающего лазера (VCSEL) является важной областью применения эпитаксиального листа лазера на основе GaAs, который широко используется в оптической связи, оптической памяти и оптических датчиках.

4. Инфракрасное и точечное поле: лазерный эпитаксиальный лист GaAs также может использоваться для изготовления инфракрасных лазеров, точечных генераторов и других устройств, играя важную роль в инфракрасном детектировании, световых дисплеях и других областях.

Изготовление лазерных эпитаксиальных пластин GaAs в основном зависит от технологии эпитаксиального роста, включая методы химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений (MOCVD), молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) и другие. Эти методы позволяют точно контролировать толщину, состав и кристаллическую структуру эпитаксиального слоя для получения высококачественных лазерных эпитаксиальных пластин GaAs.

Компания XKH предлагает изготовление эпитаксиальных пластин GaAs различной структуры и толщины по индивидуальному заказу, охватывая широкий спектр применений в оптической связи, VCSEL, инфракрасном спектре и области световых пятен. Продукция XKH производится на передовом оборудовании MOCVD, обеспечивающем высокую производительность и надежность. В сфере логистики XKH располагает широким спектром международных каналов поставок, что позволяет гибко обрабатывать большое количество заказов и предоставлять услуги с добавленной стоимостью, такие как доработка и разделение. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и соответствие требованиям клиентов к качеству и срокам поставки. Клиенты могут получить комплексную техническую поддержку и послепродажное обслуживание после получения продукта, что гарантирует бесперебойный ввод продукта в эксплуатацию.