Изготовление эпитаксиальных пластин GaN-на-SiC по индивидуальному заказу (100 мм, 150 мм) – различные варианты подложек из SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Изготовление эпитаксиальных пластин GaN-на-SiC по индивидуальному заказу (100 мм, 150 мм) – различные варианты подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) Изображение на обложке

Краткое описание:

Наши специально разработанные эпитаксиальные пластины GaN-на-SiC обеспечивают превосходные характеристики для мощных и высокочастотных приложений благодаря сочетанию исключительных свойств нитрида галлия (GaN) с высокой теплопроводностью и механической прочностью.Карбид кремния (SiC)Доступные в размерах 100 мм и 150 мм, эти пластины изготавливаются на различных подложках из карбида кремния (SiC), включая типы 4H-N, HPSI и 4H/6H-P, и адаптированы для удовлетворения конкретных требований силовой электроники, радиочастотных усилителей и других передовых полупроводниковых устройств. Благодаря настраиваемым эпитаксиальным слоям и уникальным подложкам из SiC, наши пластины разработаны для обеспечения высокой эффективности, эффективного теплоотвода и надежности в сложных промышленных условиях.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

● Толщина эпитаксиального слоя: Настраивается из1,0 мкмк3,5 мкмОптимизирован для работы с высокой мощностью и частотой.

●Варианты подложек из карбида кремнияДоступен с различными подложками из карбида кремния, в том числе:

4H-NВысококачественный легированный азотом 4H-SiC для высокочастотных и мощных применений.
HPSIВысокочистый полуизолирующий карбид кремния для применений, требующих электрической изоляции.
4H/6H-P: Смесь 4H и 6H-SiC для достижения баланса между высокой эффективностью и надежностью.

●Размеры вафельДоступно в100 мми150 ммдиаметры для обеспечения универсальности при масштабировании и интеграции устройств.

● Высокое напряжение пробояТехнология GaN на SiC обеспечивает высокое напряжение пробоя, что позволяет добиться стабильной работы в мощных приложениях.

●Высокая теплопроводность: Собственная теплопроводность SiC (приблизительно) 490 Вт/м·К) обеспечивает превосходное рассеивание тепла для энергоемких приложений.

Технические характеристики

Параметр	Ценить
Диаметр пластины	100 мм, 150 мм
Толщина эпитаксиального слоя	1,0 мкм – 3,5 мкм (настраиваемый)
Типы подложек из карбида кремния	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Теплопроводность SiC	490 Вт/м·К
Сопротивление SiC	4H-N: 10^6 Ом·см,HPSI: Полуизолирующий,4H/6H-P: Смешанный 4-часовой/6-часовой формат
Толщина слоя GaN	1,0 мкм – 2,0 мкм
Концентрация носителей заряда в GaN	10^18 см^-3 до 10^19 см^-3 (настраиваемый)
Качество поверхности пластины	Среднеквадратичная шероховатость: < 1 нм
Плотность дислокаций	< 1 x 10^6 см^-2
Вафельный бант	< 50 мкм
Плоскостность вафли	< 5 мкм
Максимальная рабочая температура	400 °C (типичная температура для устройств GaN-on-SiC)

Приложения

●Силовая электроника:Пластины GaN-on-SiC обеспечивают высокую эффективность и теплоотвод, что делает их идеальными для усилителей мощности, преобразователей энергии и схем инверторов мощности, используемых в электромобилях, системах возобновляемой энергии и промышленном оборудовании.
●Усилители мощности радиочастотного сигнала:Сочетание GaN и SiC идеально подходит для высокочастотных и мощных радиочастотных приложений, таких как телекоммуникации, спутниковая связь и радиолокационные системы.
●Аэрокосмическая и оборонная промышленность:Эти пластины подходят для аэрокосмической и оборонной промышленности, где требуются высокопроизводительные силовые электронные и коммуникационные системы, способные работать в суровых условиях.
●Применение в автомобильной промышленности:Идеально подходит для высокопроизводительных систем электропитания в электромобилях (EV), гибридных автомобилях (HEV) и зарядных станциях, обеспечивая эффективное преобразование и управление энергией.
●Военные и радиолокационные системы:Пластины GaN-on-SiC используются в радиолокационных системах благодаря их высокой эффективности, способности выдерживать большую мощность и тепловым характеристикам в сложных условиях эксплуатации.
●Применение в микроволновой и миллиметровой областях:Для систем связи следующего поколения, включая 5G, технология GaN-on-SiC обеспечивает оптимальную производительность в высокомощных микроволновых и миллиметровых диапазонах.

Вопросы и ответы

В1: Каковы преимущества использования SiC в качестве подложки для GaN?

А1:Карбид кремния (SiC) обладает превосходной теплопроводностью, высоким напряжением пробоя и механической прочностью по сравнению с традиционными подложками, такими как кремний. Это делает пластины GaN-на-SiC идеальными для мощных, высокочастотных и высокотемпературных применений. Подложка из SiC помогает рассеивать тепло, выделяемое устройствами GaN, повышая надежность и производительность.

В2: Можно ли регулировать толщину эпитаксиального слоя в зависимости от конкретных задач?

А2:Да, толщину эпитаксиального слоя можно регулировать в заданном диапазоне.от 1,0 мкм до 3,5 мкмВ зависимости от требований к мощности и частоте вашего приложения, мы можем подобрать толщину слоя GaN для оптимизации производительности конкретных устройств, таких как усилители мощности, радиочастотные системы или высокочастотные схемы.

В3: В чем разница между подложками SiC 4H-N, HPSI и 4H/6H-P?

А3:

4H-NАзотсодержащий 4H-SiC широко используется в высокочастотных приложениях, требующих высоких электронных характеристик.
HPSIВысокочистый полуизолирующий карбид кремния обеспечивает электрическую изоляцию, идеально подходящую для применений, требующих минимальной электропроводности.
4H/6H-P: Смесь 4H и 6H-SiC, обеспечивающая сбалансированную производительность, сочетающая высокую эффективность и надежность, подходит для различных применений в силовой электронике.

Вопрос 4: Подходят ли эти пластины GaN-on-SiC для мощных приложений, таких как электромобили и возобновляемая энергетика?

A4:Да, подложки GaN-on-SiC хорошо подходят для мощных применений, таких как электромобили, возобновляемая энергетика и промышленные системы. Высокое напряжение пробоя, высокая теплопроводность и мощность, которую могут выдерживать устройства на основе GaN-on-SiC, позволяют им эффективно работать в сложных схемах преобразования энергии и управления.

В5: Какова типичная плотность дислокаций для этих пластин?

А5:Плотность дислокаций в этих пластинах GaN-на-SiC обычно составляет< 1 x 10^6 см^-2что обеспечивает высококачественный эпитаксиальный рост, минимизирует дефекты и повышает производительность и надежность устройства.

В6: Могу ли я заказать пластину определенного размера или подложку из карбида кремния?

А6:Да, мы предлагаем пластины нестандартных размеров (100 мм и 150 мм) и подложки из карбида кремния (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) для удовлетворения специфических потребностей вашего приложения. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения дополнительной информации о вариантах индивидуальной настройки и обсуждения ваших требований.

В7: Как ведут себя пластины GaN-on-SiC в экстремальных условиях?

А7:Пластины GaN-на-SiC идеально подходят для экстремальных условий благодаря высокой термической стабильности, высокой мощности и превосходным теплоотводящим свойствам. Эти пластины хорошо работают в условиях высоких температур, высокой мощности и высокой частоты, часто встречающихся в аэрокосмической, оборонной и промышленной отраслях.

Заключение

Наши специализированные эпитаксиальные пластины GaN-на-SiC сочетают в себе передовые свойства GaN и SiC, обеспечивая превосходную производительность в мощных и высокочастотных приложениях. Благодаря множеству вариантов подложек SiC и настраиваемым эпитаксиальным слоям, эти пластины идеально подходят для отраслей, требующих высокой эффективности, эффективного теплового регулирования и надежности. Будь то силовая электроника, радиочастотные системы или оборонные приложения, наши пластины GaN-на-SiC обеспечивают необходимую производительность и гибкость.