Индивидуальные эпитаксиальные пластины GaN-on-SiC (100 мм, 150 мм) — несколько вариантов подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Индивидуально изготовленные эпитаксиальные пластины GaN-на-SiC (100 мм, 150 мм) – несколько вариантов подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) Изображение

Краткое описание:

Наши индивидуальные эпитаксиальные пластины GaN-on-SiC обеспечивают превосходную производительность для мощных высокочастотных приложений, сочетая исключительные свойства нитрида галлия (GaN) с высокой теплопроводностью и механической прочностьюКарбид кремния (SiC)Эти пластины доступны в размерах 100 и 150 мм и изготавливаются на различных типах SiC-подложек, включая 4H-N, HPSI и 4H/6H-P, специально разработанных для удовлетворения специфических требований силовой электроники, СВЧ-усилителей и других современных полупроводниковых приборов. Благодаря настраиваемым эпитаксиальным слоям и уникальным SiC-подложкам наши пластины обеспечивают высокую эффективность, эффективное теплоотведение и надежность в сложных промышленных условиях.

Написать нам письмо

Функции

●Толщина эпитаксиального слоя: Настраивается из1,0 мкмк3,5 мкм, оптимизированный для высокой мощности и частоты.

●Варианты подложек SiC: Доступно с различными подложками SiC, включая:

4H-N: Высококачественный легированный азотом 4H-SiC для высокочастотных и мощных применений.
HPSI: Высокочистый полуизолирующий SiC для применений, требующих электрической изоляции.
4H/6H-P: Смесь 4H и 6H-SiC для баланса высокой эффективности и надежности.

●Размеры пластин: Доступно в100 мми150 ммдиаметры для универсальности масштабирования и интеграции устройств.

●Высокое напряжение пробоя: Технология GaN на SiC обеспечивает высокое напряжение пробоя, что обеспечивает надежную работу в мощных приложениях.

●Высокая теплопроводность: Собственная теплопроводность SiC (приблизительно 490 Вт/м·К) обеспечивает превосходное рассеивание тепла для энергоемких приложений.

Технические характеристики

Параметр	Ценить
Диаметр пластины	100мм, 150мм
Толщина эпитаксиального слоя	1,0 мкм – 3,5 мкм (настраивается)
Типы подложек SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Теплопроводность SiC	490 Вт/м·К
Удельное сопротивление SiC	4H-N: 10^6 Ом·см,HPSI: Полуизолирующий,4H/6H-P: Смешанный 4H/6H
Толщина слоя GaN	1,0 мкм – 2,0 мкм
Концентрация носителей GaN	от 10^18 см^-3 до 10^19 см^-3 (настраивается)
Качество поверхности пластины	Среднеквадратическая шероховатость: < 1 нм
Плотность дислокаций	< 1 x 10^6 см^-2
Вафельный бант	< 50 мкм
Плоскостность пластины	< 5 мкм
Максимальная рабочая температура	400°C (типично для устройств GaN-на-SiC)

Приложения

●Силовая электроника:Пластины GaN-on-SiC обеспечивают высокую эффективность и рассеивание тепла, что делает их идеальными для усилителей мощности, устройств преобразования энергии и схем инверторов мощности, используемых в электромобилях, системах возобновляемой энергии и промышленном оборудовании.
●РЧ-усилители мощности:Сочетание GaN и SiC идеально подходит для высокочастотных и мощных радиочастотных приложений, таких как телекоммуникации, спутниковая связь и радиолокационные системы.
●Авиационно-космическая и оборонная промышленность:Эти пластины подходят для аэрокосмических и оборонных технологий, требующих высокопроизводительной силовой электроники и систем связи, способных работать в суровых условиях.
●Применение в автомобилестроении:Идеально подходит для высокопроизводительных систем питания в электромобилях (ЭМ), гибридных автомобилях (ГЭМ) и зарядных станциях, обеспечивая эффективное преобразование и управление энергией.
●Военные и радиолокационные системы:Пластины GaN-on-SiC используются в радиолокационных системах благодаря своей высокой эффективности, возможности передачи мощности и тепловым характеристикам в сложных условиях.
●Применение в СВЧ и миллиметровом диапазоне волн:Для систем связи следующего поколения, включая 5G, GaN-on-SiC обеспечивает оптимальную производительность в диапазонах мощных микроволновых и миллиметровых волн.

Вопросы и ответы

В1: Каковы преимущества использования SiC в качестве подложки для GaN?

А1:Карбид кремния (SiC) обеспечивает превосходную теплопроводность, высокое пробивное напряжение и механическую прочность по сравнению с традиционными подложками, такими как кремний. Это делает пластины GaN-на-SiC идеальными для высокомощных, высокочастотных и высокотемпературных приложений. Подложка SiC способствует рассеиванию тепла, генерируемого GaN-устройствами, повышая надёжность и производительность.

В2: Можно ли настроить толщину эпитаксиального слоя для конкретных применений?

А2:Да, толщина эпитаксиального слоя может быть изменена в диапазоне1,0 мкм – 3,5 мкм, в зависимости от требований к мощности и частоте вашего приложения. Мы можем подобрать толщину слоя GaN для оптимизации производительности конкретных устройств, таких как усилители мощности, радиочастотные системы или высокочастотные схемы.

В3: В чем разница между подложками SiC 4H-N, HPSI и 4H/6H-P?

А3:

4H-N: Легированный азотом 4H-SiC обычно используется в высокочастотных приложениях, требующих высоких электронных характеристик.
HPSI: Высокочистый полуизолирующий SiC обеспечивает электрическую изоляцию, идеально подходящую для применений, требующих минимальной электропроводности.
4H/6H-P: смесь 4H и 6H-SiC, обеспечивающая баланс производительности, предлагающая комбинацию высокой эффективности и надежности, подходящую для различных применений силовой электроники.

В4: Подходят ли эти пластины GaN-on-SiC для мощных приложений, таких как электромобили и возобновляемые источники энергии?

А4:Да, пластины GaN-на-SiC хорошо подходят для мощных приложений, таких как электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленные системы. Высокое напряжение пробоя, высокая теплопроводность и высокая мощность, обеспечиваемая приборами GaN-на-SiC, позволяют им эффективно работать в требовательных схемах преобразования энергии и управления.

В5: Какова типичная плотность дислокаций для этих пластин?

А5:Плотность дислокаций этих пластин GaN-на-SiC обычно составляет< 1 x 10^6 см^-2, что обеспечивает высококачественный эпитаксиальный рост, минимизирует дефекты и повышает производительность и надежность устройств.

В6: Могу ли я запросить определенный размер пластины или тип подложки SiC?

А6:Да, мы предлагаем изготовление пластин по индивидуальным размерам (100 мм и 150 мм) и типам подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) в соответствии с вашими требованиями. Свяжитесь с нами, чтобы узнать о дополнительных вариантах изготовления и обсудить ваши требования.

В7: Как пластины GaN-on-SiC ведут себя в экстремальных условиях?

А7:Пластины GaN-на-SiC идеально подходят для экстремальных условий благодаря высокой термостабильности, высокой допустимой мощности и превосходному рассеиванию тепла. Эти пластины хорошо работают в условиях высоких температур, высокой мощности и высоких частот, обычно встречающихся в аэрокосмической, оборонной и промышленной отраслях.

Заключение

Наши изготовленные на заказ эпитаксиальные пластины GaN-на-SiC сочетают в себе передовые свойства GaN и SiC, обеспечивая превосходную производительность в мощных и высокочастотных приложениях. Благодаря различным вариантам подложек SiC и настраиваемым эпитаксиальным слоям эти пластины идеально подходят для отраслей, требующих высокой эффективности, терморегулирования и надежности. Наши пластины GaN-на-SiC обеспечивают необходимую производительность и гибкость для силовой электроники, СВЧ-систем или оборонных приложений.