Индивидуальные эпитаксиальные пластины GaN-on-SiC (100 мм, 150 мм) – несколько вариантов подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Краткое описание:

Наши индивидуальные эпитаксиальные пластины GaN-on-SiC обеспечивают превосходную производительность для высокомощных высокочастотных приложений, сочетая исключительные свойства нитрида галлия (GaN) с надежной теплопроводностью и механической прочностьюКарбид кремния (SiC). Доступные в размерах пластин 100 мм и 150 мм, эти пластины построены на различных вариантах подложек SiC, включая типы 4H-N, HPSI и 4H/6H-P, специально разработанные для удовлетворения особых требований силовой электроники, радиочастотных усилителей и других современных полупроводниковых приборов. Благодаря настраиваемым эпитаксиальным слоям и уникальным подложкам SiC наши пластины разработаны для обеспечения высокой эффективности, управления температурой и надежности для требовательных промышленных приложений.

Напишите нам письмо

Подробности продукта

Теги продукта

Функции

● Толщина эпитаксиального слоя: Настраиваемый из1,0 мкмк3,5 мкм, оптимизированный для высокой мощности и частоты.

●Варианты подложек SiC: Доступно с различными подложками SiC, включая:

4H-N: Высококачественный легированный азотом 4H-SiC для высокочастотных и высокомощных применений.
HPSI: Высокочистый полуизолирующий SiC для применений, требующих электрической изоляции.
4H/6H-P: Смесь 4H и 6H-SiC для баланса высокой эффективности и надежности.

●Размеры пластин: Доступно в100мми150ммдиаметры для универсальности масштабирования и интеграции устройств.

●Высокое напряжение пробоя: Технология GaN на SiC обеспечивает высокое напряжение пробоя, что обеспечивает надежную работу в мощных приложениях.

●Высокая теплопроводность: Собственная теплопроводность SiC (приблизительно 490 Вт/м·К) обеспечивает превосходное рассеивание тепла для энергоемких приложений.

Технические характеристики

Параметр	Ценить
Диаметр пластины	100мм, 150мм
Толщина эпитаксиального слоя	1,0 мкм – 3,5 мкм (настраивается)
Типы подложек SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Теплопроводность SiC	490 Вт/м·К
Удельное сопротивление SiC	4H-N: 10^6 Ом·см,HPSI: Полуизолирующий,4H/6H-P: Смешанный 4H/6H
Толщина слоя GaN	1,0 мкм – 2,0 мкм
Концентрация носителей GaN	10^18 см^-3 до 10^19 см^-3 (настраивается)
Качество поверхности пластины	Среднеквадратическая шероховатость: < 1 нм
Плотность дислокаций	< 1 x 10^6 см^-2
Вафельный бант	< 50 мкм
Плоскостность пластины	< 5 мкм
Максимальная рабочая температура	400°C (типично для устройств GaN-на-SiC)

Приложения

●Силовая электроника:Пластины GaN-on-SiC обеспечивают высокую эффективность и рассеивание тепла, что делает их идеальными для усилителей мощности, устройств преобразования энергии и схем инверторов мощности, используемых в электромобилях, системах возобновляемой энергии и промышленном оборудовании.
●РЧ-усилители мощности:Сочетание GaN и SiC идеально подходит для высокочастотных и мощных радиочастотных приложений, таких как телекоммуникации, спутниковая связь и радиолокационные системы.
●Аэрокосмическая и оборонная промышленность:Эти пластины подходят для аэрокосмических и оборонных технологий, требующих высокопроизводительной силовой электроники и систем связи, способных работать в суровых условиях.
●Применение в автомобильной промышленности:Идеально подходит для высокопроизводительных систем питания в электромобилях (ЭМ), гибридных автомобилях (ГЭМ) и зарядных станциях, обеспечивая эффективное преобразование и управление энергией.
●Военные и радиолокационные системы:Пластины GaN-on-SiC используются в радиолокационных системах благодаря своей высокой эффективности, возможности передачи мощности и тепловым характеристикам в сложных условиях.
●Применение в СВЧ и миллиметровом диапазоне волн:Для систем связи следующего поколения, включая 5G, GaN-on-SiC обеспечивает оптимальную производительность в диапазонах мощных микроволновых и миллиметровых волн.

Вопросы и ответы

В1: Каковы преимущества использования SiC в качестве подложки для GaN?

А1:Карбид кремния (SiC) обеспечивает превосходную теплопроводность, высокое напряжение пробоя и механическую прочность по сравнению с традиционными подложками, такими как кремний. Это делает пластины GaN-на-SiC идеальными для приложений с высокой мощностью, высокой частотой и высокой температурой. Подложка SiC помогает рассеивать тепло, генерируемое устройствами GaN, повышая надежность и производительность.

В2: Можно ли настроить толщину эпитаксиального слоя для конкретных применений?

А2:Да, толщину эпитаксиального слоя можно настраивать в диапазоне1,0 мкм – 3,5 мкм, в зависимости от требований к мощности и частоте вашего приложения. Мы можем адаптировать толщину слоя GaN для оптимизации производительности для определенных устройств, таких как усилители мощности, радиочастотные системы или высокочастотные схемы.

В3: В чем разница между подложками SiC 4H-N, HPSI и 4H/6H-P?

А3:

4H-N: 4H-SiC, легированный азотом, обычно используется в высокочастотных приложениях, требующих высокой производительности электроники.
HPSI: Высокочистый полуизолирующий SiC обеспечивает электрическую изоляцию, идеально подходит для применений, требующих минимальной электропроводности.
4H/6H-P: Смесь 4H и 6H-SiC, обеспечивающая баланс производительности, предлагающая сочетание высокой эффективности и надежности, подходящая для различных применений силовой электроники.

В4: Подходят ли эти пластины GaN-on-SiC для применения в мощных устройствах, таких как электромобили и возобновляемые источники энергии?

А4:Да, пластины GaN-on-SiC хорошо подходят для приложений с высокой мощностью, таких как электромобили, возобновляемые источники энергии и промышленные системы. Высокое напряжение пробоя, высокая теплопроводность и возможности управления мощностью устройств GaN-on-SiC позволяют им эффективно работать в сложных схемах преобразования и управления мощностью.

В5: Какова типичная плотность дислокаций для этих пластин?

А5:Плотность дислокаций этих пластин GaN-на-SiC обычно составляет< 1 x 10^6 см^-2, что обеспечивает высококачественный эпитаксиальный рост, минимизирует дефекты и повышает производительность и надежность устройств.

В6: Могу ли я запросить определенный размер пластины или тип подложки SiC?

А6:Да, мы предлагаем индивидуальные размеры пластин (100 мм и 150 мм) и типы подложек SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) для удовлетворения конкретных потребностей вашего приложения. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения дополнительных вариантов настройки и обсуждения ваших требований.

В7: Как пластины GaN-on-SiC ведут себя в экстремальных условиях?

А7:Пластины GaN-on-SiC идеально подходят для экстремальных условий благодаря своей высокой термостабильности, высокой мощности и отличным возможностям рассеивания тепла. Эти пластины хорошо работают в условиях высоких температур, высокой мощности и высокой частоты, которые обычно встречаются в аэрокосмической, оборонной и промышленной сферах.

Заключение

Наши индивидуальные эпитаксиальные пластины GaN-on-SiC сочетают в себе передовые свойства GaN и SiC, обеспечивая превосходную производительность в мощных и высокочастотных приложениях. Благодаря многочисленным вариантам подложек SiC и настраиваемым эпитаксиальным слоям эти пластины идеально подходят для отраслей, требующих высокой эффективности, управления температурой и надежности. Будь то силовая электроника, радиочастотные системы или оборонные приложения, наши пластины GaN-on-SiC обеспечивают производительность и гибкость, которые вам нужны.