8-дюймовая пластина SiC производственного класса, подложка 4H-N SiC

Краткое описание:

8-дюймовые подложки SiC используются в мощных электронных устройствах, таких как мощные МОП-транзисторы (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы), диоды Шоттки и другие силовые полупроводниковые устройства.


Информация о продукте

Теги продукта

В следующей таблице показаны характеристики наших 8-дюймовых пластин SiC:

Характеристики 8-дюймового SiC DSP N-типа

Число Элемент Единица Производство Исследовать Дурачок
1: параметры
1.1 политип -- 4H 4H 4H
1.2 ориентация поверхности ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2:Электрический параметр
2.1 присадка -- Азот n-типа Азот n-типа Азот n-типа
2.2 удельное сопротивление ом·см 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Механический параметр
3.1 диаметр mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 толщина мкм 500±25 500±25 500±25
3.3 Ориентация выреза ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Глубина выреза mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3,5 Общая ценность мкм ≤5(10мм*10мм) ≤5(10мм*10мм) ≤10(10мм*10мм)
3.6 ТТВ мкм ≤10 ≤10 ≤15
3,7 Поклон мкм -25~25 -45~45 -65~65
3,8 Деформация мкм ≤30 ≤50 ≤70
3,9 АСМ nm Ра≤0,2 Ра≤0,2 Ра≤0,2
4: Структура
4.1 плотность микротрубок шт/см2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 содержание металла атомов/см2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 ТСД шт/см2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 БЛД шт/см2 ≤2000 ≤5000 NA
4,5 ТЕД шт/см2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Качество передней панели
5.1 передний -- Si Si Si
5.2 чистота поверхности -- Si-лицо CMP Si-лицо CMP Si-лицо CMP
5.3 частица шт/вафля ≤100 (размер≥0,3 мкм) NA NA
5.4 царапать шт/вафля ≤5, общая длина≤200 мм NA NA
5,5 Край
сколы/вмятины/трещины/пятна/загрязнения
-- Никто Никто NA
5,6 Политипные области -- Никто Площадь ≤10% Площадь ≤30%
5,7 передняя маркировка -- Никто Никто Никто
6: качество задней части
6.1 задняя отделка -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 царапать mm NA NA NA
6.3 Край задних дефектов
сколы/вмятины
-- Никто Никто NA
6.4 Задняя шероховатость nm Ра≤5 Ра≤5 Ра≤5
6,5 Задняя маркировка -- Нотч Нотч Нотч
7: край
7.1 край -- Фаска Фаска Фаска
8: Пакет
8.1 упаковка -- Эпи-готовность с вакуумом
упаковка
Эпи-готовность с вакуумом
упаковка
Эпи-готовность с вакуумом
упаковка
8.2 упаковка -- Мультивафельный
кассетная упаковка
Мультивафельный
кассетная упаковка
Мультивафельный
кассетная упаковка

Подробная схема

асд (1)
асд (2)
асд (3)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам